Amorphous (α-)InGaZnO4 thin film transistors (TFTs) were fabricated on polyimide clean-room tape at low temperature (<100°C). The α-InGaZnO4 films with an n-type carrier concentration of 1016cm3 were deposited by rf-magnetron sputtering in a mixed ambient of Ar/O2. The bottom-gate-type TFTs showed good saturation mobility (5.3cm2V1s1), drain current on-to-off ratio of approximately 105, threshold voltage of 1.1 V, and subthreshold gate-voltage swing of 0.55Vdecade1. These results were comparable to those of the same oxide TFTs that we have fabricated on either glass or polyethylene terephthalate substrates. The results demonstrate that even polyimide clean-room tape can be an appropriate substrate for inexpensive-flexible-adhesive-transparent electronic devices.

1.
M.
Kimura
,
I.
Yudasaka
,
S.
Kanbe
,
H.
Kobayashi
,
H.
Kiguchi
,
S.
Seki
,
S.
Miyashita
,
T.
Shimoda
,
T.
Ozawa
,
K.
Kitawada
,
T.
Nakazawa
,
W.
Miyazawa
, and
H.
Ohshima
,
IEEE Trans. Electron Devices
46
,
12
(
1999
).
2.
P.
Mach
,
S. J.
Rodriguez
,
R.
Nortrup
,
P.
Wiltzius
, and
J. A.
Rogers
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
3592
(
2001
).
3.
J. H.
Na
,
M.
Kitamura
, and
Y.
Arakawa
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
063501
(
2008
).
4.
G.
Mountjoy
,
R.
Anderson
,
D. T.
Bowron
, and
R. J.
Newport
,
J. Non-Cryst. Solids
232–234
,
227
(
1998
).
5.
P.
Roca Cabarrocas
,
R.
Brenot
,
P.
Bulkin
,
R.
Vanderhaghen
,
B.
Drevillon
, and
I.
French
,
J. Appl. Phys.
86
,
12
(
1999
).
6.
P. F.
Baude
,
D. A.
Ender
,
M. A.
Haase
,
T. W.
Kelley
,
D. V.
Muyres
, and
S. D.
Theiss
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
3964
(
2003
).
7.
B. A.
Ridley
,
B.
Nivi
, and
J. M.
Jacobson
,
Science
286
,
746
(
1999
).
8.
H.
Hosono
,
J. Non-Cryst. Solids
352
,
851
(
2006
).
9.
K.
Nomura
,
A.
Takagi
,
T.
Kamiya
,
H.
Ohta
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
45
,
4303
(
2006
).
10.
A.
Suresh
,
P.
Wellenius
,
A.
Dhawan
, and
J.
Muth
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
123512
(
2007
).
11.
M.
Kimura
,
T.
Nakanishi
,
K.
Nomura
,
T.
Kamiya
, and
H.
Hosono
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
133512
(
2008
).
12.
J. K.
Jeong
,
J. H.
Jeong
,
H. W.
Yang
,
J. S.
Park
,
Y. G.
Mo
, and
H. D.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
113505
(
2007
).
13.
D. H.
Kim
,
N. G.
Cho
,
H. G.
Kim
,
H. S.
Kim
,
J. M.
Hong
, and
I. D.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
032901
(
2008
).
14.
D.
Kang
,
H.
Lim
,
C.
Kim
,
I.
Song
,
J.
Park
, and
Y.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
192191
(
2007
).
15.
H.
Yabuta
,
M.
Sano
,
K.
Abe
,
T.
Aiba
,
T.
Den
,
H.
Kumomi
,
K.
Nomura
,
T.
Kamiya
, and
H.
Hosono
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
112123
(
2006
).
16.
K.
Nomura
,
H.
Ohta
,
A.
Takagi
,
T.
Kamiya
,
M.
Hirano
, and
H.
Hosono
,
Nature (London)
32
,
432
(
2006
).
17.
A.
Suresh
and
J. F.
Muth
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
033502
(
2008
).
18.
H. Q.
Chiang
,
D.
Hong
,
C. M.
Hung
,
R. E.
Presley
,
J. F.
Wager
,
C. -H.
Park
,
D. A.
Keszler
, and
G. S.
Herman
,
J. Vac. Sci. Technol. B
24
,
2702
(
2006
).
19.
W.
Lim
,
J. H.
Jang
,
S.
Kim
,
D. P.
Norton
,
V.
Craciun
,
S. J.
Pearton
,
F.
Ren
, and
H.
Shen
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
082102
(
2008
).
20.
M.
Ito
,
M.
Kon
,
C.
Miyazaki
,
N.
Ikeda
,
M.
Ishizaki
,
R.
Matsubara
,
Y.
Ugajin
, and
N.
Sekine
,
Phys. Status Solidi A
205
,
1885
(
2008
).
21.
E.
Fortunato
,
N.
Correia
,
P.
Barquinha
,
L.
Pereira
,
G.
Goncalves
, and
R.
Martins
,
IEEE Electron Device Lett.
29
,
988
(
2008
).
22.
R.
Martins
,
P.
Barquinha
,
L.
Pereira
,
N.
Correia
,
G.
Goncalves
,
I.
Ferreira
, and
E.
Fortunato
,
Appl. Phys. Lett.
93
,
203501
(
2008
).
23.
W.
Lim
,
S. H.
Kim
,
Y. L.
Wang
,
J. W.
Lee
,
D. P.
Norton
,
S. J.
Pearton
,
F.
Ren
, and
I. I.
Kravchenko
,
J. Vac. Sci. Technol. B
26
,
959
(
2008
).
You do not currently have access to this content.