GaAsN/GaAsN:H in-plane heterostructures have been investigated by secondary electron (SE) imaging in a field-emission scanning electron microscope. Adjacent GaAsN and GaAsN:H regions show a quite different SE image brightness due to the band gap energy difference between H-free and H-irradiated GaAsN. These findings provide a useful means to characterize the lateral diffusion of H and well support secondary ion mass spectroscopy results regarding the importance of a low hydrogenation temperature in order to obtain sharply defined in-plane heterostructures.
REFERENCES
1.
A.
Polimeni
, G.
Baldassarri H. v.
, H. M.
Bissiri
, M.
Capizzi
, M.
Fischer
, M.
Reinhardt
, and A.
Forchel
, Phys. Rev. B
63
, 201304
(R) (2001
).2.
A.
Polimeni
, M.
Bissiri
, M.
Felici
, M.
Capizzi
, I. A.
Buyanova
, W. M.
Chen
, H. P.
Xin
, and C. W.
Tu
, Phys. Rev. B
67
, 201303
(R) (2003
).3.
F.
Masia
, G.
Pettinari
, A.
Polimeni
, M.
Felici
, A.
Miriametro
, M.
Capizzi
, A.
Lindsay
, S. B.
Healy
, E. P.
O’Reilly
, A.
Cristofoli
, G.
Bais
, M.
Piccin
, S.
Rubini
, F.
Martelli
, A.
Franciosi
, P. J.
Klar
, K.
Volz
, and W.
Stolz
, Phys. Rev. B
73
, 073201
(2006
).4.
G.
Bisognin
, D.
De Salvador
, A. V.
Drigo
, E.
Napolitani
, A.
Sambo
, M.
Berti
, A.
Polimeni
, M.
Felici
, M.
Capizzi
, M.
Güngerich
, P. J.
Klar
, G.
Bais
, F.
Jabeen
, M.
Piccin
, S.
Rubini
, F.
Martelli
, and A.
Franciosi
, Appl. Phys. Lett.
89
, 061904
(2006
).5.
M.
Berti
, G.
Bisognin
, D.
DeSalvador
, E.
Napolitani
, S.
Vangelista
, A.
Polimeni
, M.
Capizzi
, F.
Boscherini
, G.
Ciatto
, S.
Rubini
, F.
Martelli
, and A.
Franciosi
, Phys. Rev. B
76
, 205323
(2007
).6.
M.
Felici
, A.
Polimeni
, G.
Salviati
, L.
Lazzarini
, N.
Armani
, F.
Masia
, M.
Capizzi
, F.
Martelli
, M.
Lazzarino
, G.
Bais
, M.
Piccin
, S.
Rubini
, and A.
Franciosi
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
18
, 1993
(2006
).7.
M.
Geddo
, T.
Ciabattoni
, G.
Guizzetti
, M.
Galli
, M.
Patrini
, A.
Polimeni
, R.
Trotta
, M.
Capizzi
, G.
Bais
, M.
Piccin
, S.
Rubini
, F.
Martelli
, and A.
Franciosi
, Appl. Phys. Lett.
90
, 091907
(2007
).8.
R.
Trotta
, A.
Polimeni
, M.
Capizzi
, D.
Giubertoni
, M.
Bersani
, G.
Bisognin
, M.
Berti
, S.
Rubini
, F.
Martelli
, L.
Mariucci
, M.
Francardi
, and A.
Gerardino
, Appl. Phys. Lett.
92
, 221901
(2008
).9.
M. R.
Castell
, D. D.
Perovic
, and H.
Lafontaine
, Ultramicroscopy
69
, 279
(1997
).10.
A. A.
Suvorova
and S.
Samarin
, Surf. Sci.
601
, 4428
(2007
).11.
D. D.
Perovic
, M. R.
Castell
, A.
Howie
, C.
Lavoie
, T.
Tiedje
, and J. S. W.
Cole
, Ultramicroscopy
58
, 104
(1995
).12.
P. G.
Merli
, A.
Migliori
, M.
Nacucci
, D.
Govoni
, and G.
Mattei
, Ultramicroscopy
60
, 229
(1995
).13.
M. S.
Chung
and T. E.
Everhart
, J. Appl. Phys.
45
, 707
(1974
).14.
R. C.
Alig
and S.
Bloom
, Phys. Rev. Lett.
35
, 1522
(1975
).15.
A.
Shih
, J.
Yater
, C.
Hor
, and R.
Abrams
, Appl. Surf. Sci.
111
, 251
(1997
).17.
18.
M.
Galluppi
, L.
Geelhaar
, and H.
Riechert
, Appl. Phys. Lett.
86
, 131925
(2005
);M.
Galluppi
, L.
Geelhaar
, H.
Riechert
, M.
Hetterich
, A.
Grau
, S.
Birner
, and W.
Stolz
, Phys. Rev. B
72
, 155324
(2005
). In the GaAsN/GaAsN:H heterostructures, a small valence band offset is present because of the different strain conditions present in the GaAsN and GaAsN:H layers. This offset has been estimated to be less than 20 meV, about 10% of the band gap difference between GaAsN:H and GaAsN.© 2008 American Institute of Physics.
2008
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
