The behavior of stress induced leakage current (SILC) in thin films is investigated. Except for the H dispersive transport process, the electron trapping process is responsible for the SILC generation in dielectric. This trapping process is severely modulated by temperature, thickness, and stress polarity. The recovery of SILC also proves the influence of trapping process to SILC.
REFERENCES
1.
B.
Sen
, H.
Wong
, V.
Filip
, H. Y.
Choi
, C. K.
Sarkar
, M.
Chan
, C. W.
Kok
, and M. C.
Poon
, Thin Solid Films
504
, 312
(2006
).2.
Y.
Ohshita
, A.
Ogura
, A.
Hoshino
, T.
Suzuki
, S.
Hiiro
, and H.
Machida
, J. Cryst. Growth
235
, 365
(2002
).3.
L.
Miotti
, F.
Tatsch
, C.
Driemeier
, K. P.
Bastos
, V.
Edon
, M. C.
Hugon
, B.
Agius
, I. J. R.
Baumvol
, and C.
Krug
, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
249
, 366
(2006
).4.
R.
Jiang
, E.
Xie
, and Z.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
89
, 142907
(2006
).5.
N.
Zhan
, M. C.
Poon
, H.
Wong
, K. L.
Ng
, and C. W.
Kok
, Microelectron. J.
36
, 29
(2005
).6.
Y.
Ohshita
, A.
Ogura
, M.
Ishikawa
, A.
Hoshino
, S.
Hiiro
, T.
Suzuki
, and H.
Machida
, Thin Solid Films
416
, 208
(2002
).7.
J.
Morais
, E. B. O.
da Rosa
, L.
Miotti
, R. P.
Pezzi
, I. J. R.
Baumvol
, A. L. P.
Rotondaro
, M. J.
Bevan
, and L.
Colombo
, Appl. Phys. Lett.
78
, 2446
(2001
).8.
A.
Paskaleva
, M.
Lemberger
, and A. J.
Bauer
, Appl. Phys. Lett.
90
, 042105
(2007
).9.
S.
Kalpat
, H.-H.
Tseng
, M.
Ramon
, M.
Moosa
, D.
Tekleab
, P. J.
Tobin
, D. C.
Gilmer
, R. I.
Hegde
, C.
Capasso
, C.
Tracy
, and B. E.
White
, Jr., IEEE Trans. Device Mater. Reliab.
5
, 26
(2005
).10.
B. H.
Lee
, R.
Choi
, J. H.
Sim
, S. A.
Krishnan
, J. J.
Peterson
, G. A.
Brown
, and G.
Bersuker
, IEEE Trans. Device Mater. Reliab.
5
, 20
(2005
).11.
K.
Onishi
, R.
Choi
, C. S.
Kang
, H.-J.
Cho
, Y. H.
Kim
, R. E.
Nieh
, J.
Han
, S. A.
Krishnan
, M. S.
Akbar
, and J. C.
Lee
, IEEE Trans. Electron Devices
50
, 1517
(2003
).12.
J.
Robertson
, Rep. Prog. Phys.
69
, 327
(2006
).13.
R.
Jiang
, E.
Xie
, Z.
Chen
, and Z.
Zhang
, Appl. Surf. Sci.
253
, 2421
(2006
).14.
B.
Sen
, C. K.
Sarkar
, H.
Wong
, M.
Chan
, and C. W.
Kok
, Semicond. Sci. Technol.
50
, 237
(2006
).15.
G. L.
Schnable
, K. M.
Schlesier
, G. A.
Swartz
, and C. P.
Wu
, Microelectron. Reliab.
33
, 565
(1993
).16.
D.
Zupac
, D.
Pote
, R. D.
Schrimpf
, and K. F.
Galloway
, J. Electrost.
31
, 131
(1993
).17.
B.
Sen
, H.
Wong
, J.
Molina
, H.
Iwai
, J. A.
Ng
, K.
Kakushima
, and C. K.
Sarkar
, Solid-State Electron.
51
, 475
(2007
).18.
D.
Felnhofer
, E. P.
Gusev
, P.
Jamison
, and D. A.
Buchanan
, Microelectron. Eng.
80
, 58
(2005
).19.
M.
Houssa
, A.
Stesmans
, R. J.
Carter
, and M. M.
Heyns
, Appl. Phys. Lett.
78
, 3289
(2001
).© 2008 American Institute of Physics.
2008
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
