The electrical and optical characteristics of high-gain, small-area heterojunction bipolar transistors (HBTs) grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate are reported. The common-emitter current-voltage characteristics of a emitter device demonstrates a current gain at and breakdown voltage, . The radiative recombination spectrum of a large area emitter HBT is measured, showing a peak at and a full width at half maximum of . A modulation input is applied to the HBT and both the optical and electrical outputs of a large area device is demonstrated.
REFERENCES
1.
S.
Nakamura
, M.
Senoh
, N.
Iwasa
, and S.
Nagahama
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
34
, 2
(1995
).2.
A.
Wakejima
, K.
Matsunaga
, Y.
Okamoto
, Y.
Ando
, T.
Nakayama
, and H.
Miyamoto
, Electron. Lett.
42
, 23
(2006
).3.
M.
Micovic
, A.
Kurdoghlian
, H. P.
Moyer
, P.
Hashimoto
, A.
Schmitz
, I.
Milosavljevic
, P. J.
Willadsen
, W.-S.
Wong
, J.
Duvall
, M.
Hu
, M. J.
Delandy
, and D. H.
Chow
, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
1653
(2004
).4.
S.
Singhal
, A. W.
Hanson
, A.
Chaudhari
, P.
Rajagopal
, T.
Li
, J. W.
Johnson
, W.
Nagy
, R.
Therrien
, C.
Park
, A. P.
Edwards
, E. L.
Piner
, K. J.
Linthicum
, and I. C.
Kizilyalli
, Compound Semiconductor Mantech Digest of Papers 2007, 83
(2007
).5.
L. S.
McCarthy
, P.
Kozodoy
, M. J. W.
Rodwell
, S. P.
DenBarrs
, and U. K.
Mishra
, IEEE Electron Device Lett.
20
, 6
(1999
).6.
J. J.
Huang
, M.
Hattendorf
, M.
Feng
, D. J. H.
Lambert
, B. S.
Shelton
, M. M.
Wong
, U.
Chowdhury
, T. G.
Zhu
, H. K.
Kwon
, and R. D.
Dupuis
, Electron. Lett.
36
, 14
(2000
).7.
K. P.
Lee
, A. P.
Zhang
, G.
Dang
, F.
Ren
, J.
Han
, S. N. G.
Chu
, W. S.
Hobson
, J.
Lopata
, C. R.
Abernathy
, S. J.
Pearton
, and J. W.
Lee
, Solid-State Electron.
45
, 243
(2001
).8.
H.
Xing
, S.
Keller
, Y.-F.
Wu
, L.
McCarthy
, I. P.
Smorchkova
, D.
Buttari
, R.
Coffie
, D. S.
Green
, G.
Parish
, S.
Heikman
, L.
Shen
, N.
Zhang
, J. J.
Xu
, B. P.
Keller
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, J. Phys.: Condens. Matter
13
, 32
(2001
).9.
T.
Makimoto
, K.
Kumakura
, and N.
Kobayashi
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
43
, 4B
(2004
).10.
D. M.
Keogh
, P. M.
Asbeck
, T.
Chung
, J.
Limb
, D.
Yoo
, J.-H.
Ryou
, W.
Lee
, S.-C.
Shen
, and R. D.
Dupuis
, Electron. Lett.
42
, 11
(2006
).11.
B. F.
Chu-Kung
, M.
Feng
, G.
Walter
, N.
Holonyak
, T.
Chung
, J.-H.
Ryou
, J.
Limb
, D.
Yoo
, S.-C.
Shen
, R. D.
Dupuis
, D.
Keogh
, and P. M.
Asbeck
, Appl. Phys. Lett.
89
, 082108
(2006
).12.
T.
Chung
, J.
Limb
, J.-H.
Ryou
, W.
Lee
, P.
Li
, D.
Yoo
, X.-B.
Zhang
, S.-C.
Shen
, R. D.
Dupuis
, D.
Keogh
, P.
Asbeck
, B.
Chukung
, M.
Feng
, D.
Zakharov
, and Z.
Lilienthal-Weber
, J. Electron. Mater.
35
, 4
(2006
).13.
14.
H. W.
Jang
and J.-L.
Lee
, Appl. Phys. Lett.
85
, 5920
(2004
).15.
M. D.
Hampson
, S.-C.
Shen
, R. S.
Schwindt
, R. K.
Price
, U.
Chowdhury
, M. M.
Wong
, T. G.
Zhu
, D.
Yoo
, R. D.
Dupuis
, and M.
Feng
, IEEE Electron Device Lett.
25
, 5
(2004
).16.
S.
Yoshida
and J.
Suzuki
, J. Appl. Phys.
85
, 7931
(1999
).17.
T.
Makimoto
, K.
Kumakura
, and N.
Kobayashi
, Appl. Phys. Lett.
79
, 380
(2001
).18.
19.
L. S.
McCarthy
, I. P.
Smorchkova
, P.
Fini
, M. J. W.
Rodwell
, J.
Speck
, S. P.
DenBaars
, and U. K.
Mishra
, Electron. Lett.
38
, 3
(2002
).20.
K.
Kumakura
, Y.
Yamauchi
, and N.
Kobayashi
, Phys. Status Solidi C
2
, 7
(2005
).21.
K.
Kumakura
, A.
Nishikawa
, and T.
Makimoto
, Phys. Status Solidi A
204
, 6
(2007
).22.
W.
Liu
, Handbook of III-V Heterojunction Bipolar Transistors
(Wiley
, New York
, 1998
), p. 252
.23.
© 2007 American Institute of Physics.
2007
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.