Defect related contributions to the reduction of the internal quantum efficiency of InGaN-based multiple quantum well light emitting diodes under high forward bias conditions are discussed. Screening of localization potentials for electrons is an important process to reduce the localization at high injection. The possible role of threading dislocations in inducing a parasitic tunneling current in the device is discussed. Phonon-assisted transport of holes via tunneling at defect sites along dislocations is suggested to be involved, leading to a nonradiative parasitic process enhanced by a local temperature rise at high injection.

1.
Y.
Narukawa
,
J.
Narita
,
T.
Sakamoto
,
T.
Yamada
,
H.
Narimatsu
,
M.
Sano
, and
T.
Mukai
,
Phys. Status Solidi A
204
,
2087
(
2007
).
2.
S. F.
Chichibu
,
A.
Shikanai
,
T.
Deguchi
,
A.
Setohuchi
,
R.
Nakai
,
H.
Nakanishi
,
K.
Wada
,
S. P.
DenBaars
,
T.
Sota
, and
S.
Nakamura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
39
,
2417
(
2000
).
3.
X. A.
Cao
,
S. F.
LeBoeuf
,
M. P.
DÈvelyn
,
S. D.
Arthur
,
J.
Kretchmer
,
C. H.
Yan
, and
Z. H.
Yang
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
4313
(
2004
).
4.
K. A.
Bulashevich
,
V. F.
Mymrin
,
S. Yu.
Karpov
,
I. A.
Zhmakin
, and
A. I.
Zhmakin
,
J. Comput. Phys.
213
,
214
(
2006
).
5.
I. V.
Rozhansky
and
D. A.
Zakhiem
,
Semiconductors
40
,
839
(
2006
).
6.
K.-C.
Kim
,
M. C.
Schmidt
,
H.
Sato
,
F.
Wu
,
N.
Fellows
,
M.
Saito
,
K.
Fujito
,
J. S.
Speck
,
S.
Nakamura
, and
S. P.
DenBaars
,
Phys. Status Solidi A
1
,
125
(
2007
).
7.
B.
Monemar
,
J. P.
Bergman
,
J.
Dalfors
,
G.
Pozina
,
B. E.
Sernelius
,
P. O.
Holtz
,
H.
Amano
, and
I.
Akasaki
,
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4S1
,
G2
5
(
1999
).
8.
S.
Chichibu
,
T.
Azuhata
,
T.
Sota
, and
S.
Nakamura
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
4188
(
1996
).
9.
S. W.
Lee
,
D. C.
Oh
,
H.
Goto
,
J. S.
Ha
,
H. J.
Lee
,
T.
Hanada
,
M. W.
Cho
,
T.
Yao
,
S. K.
Hong
,
H. Y.
Lee
,
S. R.
Cho
,
J. W.
Choi
,
J. H.
Choi
,
J. H.
Jang
,
J. E.
Shin
, and
J. S.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
132117
(
2006
).
10.
B.
Monemar
,
P. P.
Paskov
,
G.
Pozina
,
T.
Paskova
,
J. P.
Bergman
,
M.
Iwaya
,
S.
Nitta
,
H.
Amano
, and
I.
Akasaki
,
Phys. Status Solidi B
228
,
157
(
2001
).
11.
T. M.
Smeeton
,
M. J.
Kappers
,
J. S.
Barnard
,
M. E.
Vickers
, and
C. J.
Humphreys
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
5419
(
2003
).
12.
B.
Monemar
,
P. P.
Paskov
,
J. P.
Bergman
,
G.
Pozina
,
V.
Darakchieva
,
M.
Iwaya
,
S.
Kamiyama
,
H.
Amano
, and
I.
Akasaki
,
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
7
,
7
(
2002
).
13.
D. M.
Graham
,
A.
Soltani-Vala
,
P.
Dawson
,
M. J.
Godfrey
,
T. M.
Smeeton
,
J. S.
Barnard
,
M. J.
Kappers
,
C. J.
Humphreys
, and
E. J.
Thrush
,
J. Appl. Phys.
97
,
103508
(
2005
).
14.
P. R. C.
Kent
and
A.
Zunger
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
1977
(
2001
).
15.
S. F.
Chichibu
,
A.
Uedono
,
T.
Onuma
,
B. A.
Haskell
,
A.
Chakraborty
,
T.
Koyama
,
P. T.
Fini
,
S.
Keller
,
S. P.
DenBaars
,
J. S.
Speck
,
U. K.
Mishra
,
S.
Nakamura
,
S.
Yamaguchi
,
S.
Kamiyama
,
H.
Amano
,
I.
Akasaki
,
J.
Han
, and
T.
Sota
,
Nat. Mater.
5
,
810
(
2006
).
16.
T.
Ando
,
A. B.
Fowler
, and
F.
Stern
,
Rev. Mod. Phys.
54
,
437
(
1982
).
17.
E. G.
Brazel
,
M. A.
Chin
, and
V.
Narayanamurti
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
2367
(
1999
);
J. W. P.
Hsu
,
M. J.
Manfra
,
D. V.
Lang
,
S.
Richter
,
S. N. G.
Chu
,
A. M.
Sergent
,
R. N.
Kleiman
,
L. N.
Pfeiffer
, and
R. J.
Molnar
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
1685
(
2001
);
E. J.
Miller
,
D. M.
Schaadt
,
E. T.
Yu
,
C.
Poblenz
,
C.
Elsass
, and
J. S.
Speck
,
J. Appl. Phys.
91
,
9821
(
2002
).
18.
A. M.
Frens
,
M. T.
Bennebroek
,
A.
Zakrzewski
,
J.
Schmidt
,
W. M.
Chen
,
E.
Janzén
,
J. L.
Lindström
, and
B.
Monemar
,
Phys. Rev. Lett.
72
,
2939
(
1994
).
19.
J. E.
Northrup
,
Phys. Rev. B
66
,
045204
(
2002
).
20.
E.
Müller
,
D.
Gerthsen
,
P.
Brückner
,
F.
Scholz
,
Th.
Gruber
, and
A.
Waag
,
Phys. Rev. B
73
,
245316
(
2006
).
21.
D.
Cherns
,
C. G.
Jiao
,
H.
Mokhtari
,
J.
Cai
, and
F. A.
Ponce
,
Phys. Status Solidi B
234
,
924
(
2002
).
22.
T.
Miyakawa
and
D. L.
Dexter
,
Phys. Rev. B
1
,
2961
(
1970
). This paper includes a description of excitation transfer involving electrons at ions in solids, analogous to the case with deep levels in semiconductors.
23.
X. A.
Cao
,
J. M.
Teetsov
,
S. F.
LeBoeuf
,
S. D.
Arthur
, and
J.
Kretchmer
,
Materials Research Conference Proceeding
,
2005
, Paper No. E10.7, Vol.
831
.
24.
T.
Holstein
,
S. K.
Lyo
, and
R.
Orbach
, in
Topics in Applied Physics
,
Laser Spectroscopy of Solids
Vol.
49
, Edited by
W. M.
Yen
and
P. M.
Selzer
(
Springer-Verlag
,
Heidelberg
,
1981
), pp
39
82
.
You do not currently have access to this content.