The resistance switching properties in PtNiOPt and PtCoOPt synthesized by the magnetron sputtering have been investigated. The oxygen partial pressure during sputtering and the post-thermal process are crucial to forming of the trilayer. By investigating x-ray photoemission spectroscopy spectra, the increase of initial resistance in Ni–O was caused by the variation of the stoichiometry, while that in the Co–O was accompanied by the phase transformation between CoO and Co3O4. The resistance switching in PtCoOPt and PtNiOPt exhibits the analogous electrode area and temperature dependences. As a result of the I-V measurements at the elevated temperature, the assistance of Joule heating in the reset process is implied.

1.
S.
Seo
,
M. J.
Lee
,
D. H.
Seo
,
E. J.
Jeoung
,
D.-S.
Suh
,
Y. S.
Joung
,
I. K.
Yoo
,
I. R.
Hwang
,
S. H.
Kim
,
I. S.
Byun
,
J.-S.
Kim
J. S.
Choi
, and
B. H.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
5655
(
2004
).
2.
M. G.
Kim
,
S. M.
Kim
,
E. J.
Choi
,
S. E.
Moon
,
J.
Park
,
H. C.
Kim
,
B. H.
Park
,
M. J.
Lee
,
S.
Seo
,
D. H.
Seo
,
S. E.
Ahn
, and
I. K.
Yoo
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
44
,
L1301
(
2005
).
3.
M.
Fujimoto
,
H.
Koyama
,
Y.
Hosoi
,
K.
Ishihara
, and
S.
Kobayashi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
45
,
L310
(
2006
).
4.
K.
Kinoshita
,
T.
Tamura
,
M.
Aoki
,
Y.
Sugiyama
, and
H.
Tanaka
,
Jpn. J. Appl. Phys.
45
,
L991
(
2006
).
5.
C.
Rohde
,
B. J.
Choi
,
D. S.
Jeong
,
S.
Choi
,
J.-S.
Zhao
, and
C. S.
Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
262907
(
2005
).
6.
B. J.
Choi
,
D. S.
Jeong
,
S. K.
Kim
,
C.
Rohde
,
S.
Choi
,
J. H.
Oh
,
H. J.
Kim
,
C. S.
Hwang
,
K.
Szot
,
R.
Waser
,
B.
Reichenberg
, and
S.
Tiedke
,
J. Appl. Phys.
98
,
033715
(
2005
).
7.
B. J.
Choi
,
S.
Choi
,
K. M.
Kim
,
Y. C.
Shin
,
C. S.
Hwang
,
S.-Y.
Hwang
,
S.-S.
Cho
,
S.
Park
, and
S.-K.
Hong
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
012906
(
2006
).
8.
K. M.
Kim
,
B. J.
Choi
,
D. S.
Jeong
,
C. S.
Hwang
, and
S.
Han
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
162912
(
2006
).
9.
I. G.
Baek
,
D. C.
Kim
,
M. J.
Lee
,
H.-J.
Kim
,
E. K.
Yim
,
M. S.
Lee
,
J. E.
Lee
,
S. E.
Ahn
,
S.
Seo
,
J. H.
Lee
,
J. C.
Park
,
Y. K.
Cha
,
S. O.
Park
,
H. S.
Kim
,
I. K.
Yoo
,
U-In
Chung
,
J. T.
Moon
, and
B. I.
Ryu
,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
2005
,
769
.
10.
Q.
Lie
,
N. J.
Wu
, and
A.
Ignatiev
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
2749
(
2003
).
11.
G. I.
Meijer
,
U.
Staub
,
M.
Janousch
,
S. L.
Johnson
,
B.
Delley
, and
T.
Neisius
,
Phys. Rev. B
72
,
155102
(
2005
).
12.
A.
Sawa
,
T.
Fujii
,
M.
Kawasaki
, and
Y.
Tokura
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
4073
(
2004
).
13.
A.
Chen
,
S.
Haddad
,
Y.-C.
Wu
,
T.-N.
Fang
,
Z.
Lan
,
S.
Avanzine
,
S.
Pangrle
,
M.
Buynoski
,
M.
Rathor
,
W.
Chai
,
N.
Tripsas
,
C.
Bill
,
M.
VanBuskirk
, and
M.
Taguchi
,
Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet.
2005
,
765
.
14.
N.
Tsuda
,
K.
Nasu
,
A.
Yanase
, and
K.
Siratori
,
Electronic Conduction in Oxides
(
Springer
,
Berlin
,
1990
), Vol.
94
, pp.
162
181
.
15.
M.
Oku
,
H.
Tokuda
, and
K.
Hirokawa
,
J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.
53
,
210
(
1991
).
16.
G. A.
Carson
,
M. H.
Nassir
, and
M. A.
Langell
,
J. Vac. Sci. Technol. A
14
,
1637
(
1996
).
17.
M. A.
Langell
,
M. D.
Anderson
,
G. A.
Carson
,
L.
Peng
, and
S.
Smith
,
Phys. Rev. B
59
,
4791
(
1999
).
18.
V. M.
Jiménez
,
A.
Fernández
,
J. P.
Espinós
, and
A. R.
González-Elipe
,
J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.
71
,
61
(
1995
).
19.
K.
Koumoto
and
H.
Yanagida
,
Jpn. J. Appl. Phys.
20
,
445
(
1981
).
20.
J. A. K.
Tareen
,
A.
Malecki
,
J. P.
Doumerc
,
J. C.
Launay
,
P.
Dordor
,
M.
Pouchard
, and
P.
Hagenmuller
,
Mater. Res. Bull.
19
,
989
(
1984
).
21.
G.
Borchardt
,
K.
Kowalski
,
J.
Nowotny
,
M.
Pekas
, and
W.
Weppner
,
J. Eur. Ceram. Soc.
14
,
369
(
1994
).
You do not currently have access to this content.