The authors report radiative recombination from a graded-base InGaNGaN heterojunction bipolar transistor (HBT) grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire. For a device with a 40×40μm2 emitter area, a differential dc current gain of 15 is measured from the common-emitter current-voltage characteristics, with the HBT breakdown voltage BVCEO>65V. The heterojunction bipolar light-emitting transistor exhibits a base-region recombination radiation peak in the visible spectral range with a dominant peak at λ=385nm (blue emission).

1.
M.
Feng
,
N.
Holonyak
, Jr.
, and
W.
Hafez
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
151
(
2004
).
2.
M.
Feng
,
N.
Holonyak
, Jr.
, and
R.
Chan
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
1952
(
2004
).
3.
M.
Feng
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
B.
Chu-Kung
,
G.
Walter
, and
R.
Chan
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
4792
(
2004
).
4.
F.
Dixon
,
R.
Chan
,
G.
Walter
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
M.
Feng
,
X. B.
Zhang
,
J. H.
Ryou
, and
R. D.
Dupuis
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
012108
(
2006
).
5.
G.
Walter
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
M.
Feng
, and
R.
Chan
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
4768
(
2004
).
6.
R.
Chan
,
M.
Feng
,
N.
Holonyak
, Jr.
, and
G.
Walter
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
131114
(
2005
).
7.
M.
Feng
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
G.
Walter
, and
R.
Chan
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
131103
(
2005
).
8.
M.
Feng
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
R.
Chan
,
A.
James
, and
G.
Walter
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
063509
(
2006
).
9.
J. J.
Huang
,
M.
Hattendorf
,
M.
Feng
,
D. J. H.
Lambert
,
B. S.
Shelton
,
M. M.
Wong
,
U.
Chowdhury
,
T. G.
Zhu
,
H. K.
Kwon
, and
R. D.
Dupuis
,
Electron. Lett.
36
(
2000
).
10.
B. S.
Shelton
,
D. J. H.
Lambert
,
J. J.
Huang
,
M. M.
Wong
,
U.
Chowdhury
,
T. G.
Zhu
,
H. K.
Kwon
,
Z.
Liliental-Weber
,
M.
Benamara
,
M.
Feng
, and
R. D.
Dupuis
,
IEEE Trans. Electron Devices
48
,
490
(
2001
).
11.
T.
Makimoto
,
K.
Kumakura
, and
N.
Kobayashi
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
380
(
2001
).
12.
S.
Yoshida
and
J.
Suzuki
,
J. Appl. Phys.
85
,
11
(
1999
).
13.
T.
Makimoto
,
K.
Kumakura
, and
N.
Kobayashi
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
1035
(
2003
).
14.
T.
Makimoto
,
Y.
Yamauchi
, and
K.
Kumakura
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
1964
(
2004
).
15.
T.
Chung
,
J.
Limb
,
D.
Yoo
,
J.-H.
Ryou
,
W.
Lee
,
S.-C.
Shen
,
R. D.
Dupuis
,
B.
Chu-Kung
,
M.
Feng
,
D.
Keogh
, and
P.
Asbeck
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
183501
(
2006
).
17.
K. P.
O’Donnell
,
I.
Fernandez-Torrente
,
P. R.
Edwards
, and
R. W.
Martin
,
J. Cryst. Growth
269
,
1
(
2004
).
18.
S. J.
Pearton
,
J. C.
Zolper
,
R. J.
Shul
, and
F.
Ren
,
J. Appl. Phys.
86
,
1
(
1999
).
19.
S.
Nakamura
,
T.
Mukai
, and
M.
Senoh
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
13
(
1997
).
20.
J. K.
Ho
,
C. S.
Jong
,
C. C.
Chiu
,
C. N.
Huang
,
C. Y.
Chen
, and
K. K.
Shih
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
9
(
1999
).
21.
S.
Nakamura
,
T.
Mukai
, and
M.
Senoh
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
30
,
12
(
1991
).
You do not currently have access to this content.