The authors report radiative recombination from a graded-base heterojunction bipolar transistor (HBT) grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire. For a device with a emitter area, a differential dc current gain of 15 is measured from the common-emitter current-voltage characteristics, with the HBT breakdown voltage . The heterojunction bipolar light-emitting transistor exhibits a base-region recombination radiation peak in the visible spectral range with a dominant peak at (blue emission).
REFERENCES
1.
M.
Feng
, N.
Holonyak
, Jr., and W.
Hafez
, Appl. Phys. Lett.
84
, 151
(2004
).2.
M.
Feng
, N.
Holonyak
, Jr., and R.
Chan
, Appl. Phys. Lett.
84
, 1952
(2004
).3.
M.
Feng
, N.
Holonyak
, Jr., B.
Chu-Kung
, G.
Walter
, and R.
Chan
, Appl. Phys. Lett.
84
, 4792
(2004
).4.
F.
Dixon
, R.
Chan
, G.
Walter
, N.
Holonyak
, Jr., M.
Feng
, X. B.
Zhang
, J. H.
Ryou
, and R. D.
Dupuis
, Appl. Phys. Lett.
88
, 012108
(2006
).5.
G.
Walter
, N.
Holonyak
, Jr., M.
Feng
, and R.
Chan
, Appl. Phys. Lett.
85
, 4768
(2004
).6.
R.
Chan
, M.
Feng
, N.
Holonyak
, Jr., and G.
Walter
, Appl. Phys. Lett.
86
, 131114
(2005
).7.
M.
Feng
, N.
Holonyak
, Jr., G.
Walter
, and R.
Chan
, Appl. Phys. Lett.
87
, 131103
(2005
).8.
M.
Feng
, N.
Holonyak
, Jr., R.
Chan
, A.
James
, and G.
Walter
, Appl. Phys. Lett.
88
, 063509
(2006
).9.
J. J.
Huang
, M.
Hattendorf
, M.
Feng
, D. J. H.
Lambert
, B. S.
Shelton
, M. M.
Wong
, U.
Chowdhury
, T. G.
Zhu
, H. K.
Kwon
, and R. D.
Dupuis
, Electron. Lett.
36
(2000
).10.
B. S.
Shelton
, D. J. H.
Lambert
, J. J.
Huang
, M. M.
Wong
, U.
Chowdhury
, T. G.
Zhu
, H. K.
Kwon
, Z.
Liliental-Weber
, M.
Benamara
, M.
Feng
, and R. D.
Dupuis
, IEEE Trans. Electron Devices
48
, 490
(2001
).11.
T.
Makimoto
, K.
Kumakura
, and N.
Kobayashi
, Appl. Phys. Lett.
79
, 380
(2001
).12.
13.
T.
Makimoto
, K.
Kumakura
, and N.
Kobayashi
, Appl. Phys. Lett.
83
, 1035
(2003
).14.
T.
Makimoto
, Y.
Yamauchi
, and K.
Kumakura
, Appl. Phys. Lett.
84
, 1964
(2004
).15.
T.
Chung
, J.
Limb
, D.
Yoo
, J.-H.
Ryou
, W.
Lee
, S.-C.
Shen
, R. D.
Dupuis
, B.
Chu-Kung
, M.
Feng
, D.
Keogh
, and P.
Asbeck
, Appl. Phys. Lett.
88
, 183501
(2006
).17.
K. P.
O’Donnell
, I.
Fernandez-Torrente
, P. R.
Edwards
, and R. W.
Martin
, J. Cryst. Growth
269
, 1
(2004
).18.
S. J.
Pearton
, J. C.
Zolper
, R. J.
Shul
, and F.
Ren
, J. Appl. Phys.
86
, 1
(1999
).19.
S.
Nakamura
, T.
Mukai
, and M.
Senoh
, Appl. Phys. Lett.
64
, 13
(1997
).20.
J. K.
Ho
, C. S.
Jong
, C. C.
Chiu
, C. N.
Huang
, C. Y.
Chen
, and K. K.
Shih
, Appl. Phys. Lett.
74
, 9
(1999
).21.
© 2006 American Institute of Physics.
2006
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.