The influence of indium composition and quantum well (QW) thickness on the photoluminescence (PL) properties of high nitrogen content QWs grown by molecular beam epitaxy has been investigated in order to get an efficient emission in the range. Strong enhancement of room-temperature PL has been observed for postgrowth annealed QWs. However, the optimum annealing temperature depends on the In composition. Taking into account the effects of thermal annealing, a high In content and a very low growth temperature appear to be the best way to obtain an efficient emission beyond with QW.
REFERENCES
1.
M.
Kondow
, K.
Uomi
, A.
Niwa
, T.
Kitatani
, S.
Watahiki
, and Y.
Yazawa
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
, 1273
(1996
).2.
D. A.
Livshits
, A. Yu.
Egorov
, and H.
Riechert
, Electron. Lett.
36
, 1381
(2000
).3.
X. D.
Wang
, S. M.
Wang
, Y. Q.
Wei
, M.
Sadeghi
, and A.
Larsson
, Electron. Lett.
40
, 1338
(2004
).4.
G.
Jaschke
, R.
Averbeck
, L.
Geelhaar
, and H.
Riechert
, J. Cryst. Growth
278
, 224
(2005
).5.
B.
Damilano
, J.
Barjon
, J.
Y.-Duboz
, J.
Massies
, A.
Hierro
, J.-M.
Ulloa
, and E.
Calleja
, Appl. Phys. Lett.
86
, 071105
(2005
).6.
T.
Kitatani
, K.
Nakahara
, M.
Kondow
, K.
Uomi
, and T.
Tanaka
, J. Cryst. Growth
209
, 345
(2000
).7.
Z.
Pan
, L. H.
Li
, W.
Zhang
, Y. W.
Lin
, R. H.
Wu
, and W.
Ge
, Appl. Phys. Lett.
77
, 1280
(2000
).8.
E.
Tournié
, M.-A.
Pinault
, and A.
Guzman
, Appl. Phys. Lett.
80
, 4148
(2002
).9.
H. P.
Xin
, K. L.
Kavanagh
, M.
Kondow
, and C. W.
Tu
, J. Cryst. Growth
201/202
, 419
(1999
).10.
X.
Yang
, J. B.
Héroux
, L. F.
Mei
, and W. I.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
78
, 4068
(2001
).11.
L. H.
Li
, V.
Sallet
, G.
Patriarche
, L.
Largeau
, S.
Bouchoule
, L.
Travers
, and J. C.
Harmand
, Appl. Phys. Lett.
83
, 1298
(2003
).12.
H. Y.
Liu
, M.
Hopkinson
, P.
Navaretti
, M.
Gutierrez
, J. S.
Ng
, and J. P. R.
David
, Appl. Phys. Lett.
83
, 4951
(2003
).13.
M.
Fischer
, M.
Reinhardt
, and A.
Forchel
, Electron. Lett.
36
, 1208
(2000
).14.
M.
Hugues
, B.
Damilano
, J.
Barjon
, J.-Y.
Duboz
, J.
Massies
, J.-M.
Ulloa
, M.
Montes
, and A.
Hierro
, Electron. Lett.
41
, 595
(2005
).15.
W.
Shan
, W.
Walukiewicz
, J. W.
Ager
III, E. E.
Haller
, J. F.
Geisz
, D. J.
Friedmann
, J. M.
Olson
, and S. R.
Kurtz
, Phys. Rev. Lett.
82
, 1221
(1999
).16.
D.
Zubia
, S. D.
Hersee
, and T.
Khraishi
, Appl. Phys. Lett.
80
, 740
(2002
).17.
N.
Tansu
, J.-Y.
Yeh
, and L. J.
Mawst
, Appl. Phys. Lett.
83
, 2512
(2003
).18.
E.
Tournié
, M.-A.
Pinault
, S.
Vézian
, J.
Massies
, and O.
Tottereau
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2189
(2000
).19.
T.
Kageyama
, T.
Miyamoto
, S.
Makino
, F.
Koyama
, and K.
Iga
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
38
, L298
(1999
).20.
M.
Herrera
, D.
Gonzalez
, M.
Hopkinson
, P.
Navaretti
, M.
Guitérrez
, H. Y.
Liu
, and R.
Garcia
, Semicond. Sci. Technol.
19
, 813
(2004
).21.
J.-Y.
Duboz
, J. A.
Gupta
, Z. R.
Wasilewski
, J.
Ramsey
, R. L.
Williams
, G. C.
Aers
, B. J.
Riel
, and G. I.
Sproule
, Phys. Rev. B
66
, 85313
(2002
).22.
S.
Kurtz
, J.
Webb
, L.
Gedvilas
, D.
Friedman
, J.
Geisz
, J.
Olson
, R.
King
, D.
Joslin
, and N.
Karam
, Appl. Phys. Lett.
78
, 748
(2001
).23.
V.
Lordi
, H. B.
Yuen
, S. R.
Bank
, M. A.
Wistey
, and J. S.
Harris
, Phys. Rev. B
71
, 125309
(2005
).24.
S.
Sato
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
39
, 3403
(2000
).25.
Y.-A.
Chang
, H.-C.
Kuo
, C.-Y.
Lu
, Y.-K.
Kuo
, and S.-C.
Wang
, Semicond. Sci. Technol.
20
, 601
(2005
).© 2006 American Institute of Physics.
2006
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
