(104)-oriented Nd-substituted Bi4Ti3O12 (BNT) ferroelectric thin films were grown on (111)-oriented SrRuO3Pt electrodes on yttria-stabilized ZrO2 (YSZ)-buffered Si(100) substrates by pulsed laser deposition. X-ray diffraction characterization revealed the epitaxial orienta-tion relationships as follows: BNT(104)SrRuO3(111)Pt(111)YSZ(100)Si(100); BNT[010]SrRuO3[01¯1]Pt[01¯1]YSZ001Si001. The BNT films exhibited a remanent polarization (2Pr) of 37.8μCcm2 and a coercive field (2Ec) of 212kVcm, for a maximum applied electric field of 300kVcm.

1.
R. A.
McKee
,
F. J.
Walker
, and
M. F.
Chisholm
,
Phys. Rev. Lett.
81
,
3014
(
1998
).
2.
K.
Eisenbeiser
,
J. M.
Finder
,
Z.
Yu
,
J.
Ramdani
,
J. A.
Curless
,
J. A.
Hallmark
,
R.
Droopad
,
W. J.
Ooms
,
L.
Salem
,
S.
Bradshaw
, and
C. D.
Overgaard
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1324
(
2000
).
3.
Y.
Wang
,
C.
Ganpule
,
B. T.
Liu
,
H.
Li
,
K.
Mori
,
B.
Hill
,
M.
Wuttig
,
R.
Ramesha
,
J.
Finder
,
Z.
Yu
,
R.
Droopad
, and
K.
Eisenbeiser
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
97
(
2002
).
4.
B. T.
Liu
,
K.
Maki
,
Y.
So
,
V.
Nagarajan
,
R.
Ramesha
,
J.
Lettieri
,
J. H.
Haeni
,
D. G.
Schlom
,
W.
Tian
,
X. Q.
Pan
,
F. J.
Walker
, and
R. A.
McKee
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
4801
(
2002
).
5.
A. D.
Rae
,
J. G.
Thompson
, and
R. L.
Withers
,
Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci.
48
,
418
(
1992
).
6.
A. D.
Rae
,
J. G.
Thompson
,
R. L.
Withers
, and
A. C.
Willis
,
Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci.
46
,
474
(
1990
).
7.
S. E.
Cummins
and
L. E.
Cross
,
J. Appl. Phys.
39
,
2268
(
1968
).
8.
S. Y.
Hou
,
J.
Kwo
,
R. K.
Watts
,
J.-Y.
Cheng
, and
D. K.
Fork
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1387
(
1995
).
9.
H. N.
Lee
,
S.
Senz
,
N. D.
Zakharov
,
C.
Harnagea
,
A.
Pignolet
,
D.
Hesse
, and
U.
Gösele
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
3260
(
2000
).
10.
H. N.
Lee
,
S.
Senz
,
A.
Pignolet
, and
D.
Hesse
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
2922
(
2001
).
11.
U.
Chon
,
H. M.
Jang
,
M. G.
Kim
, and
C. H.
Chang
,
Phys. Rev. Lett.
89
,
087601
(
2002
).
12.
A.
Garg
,
Z. H.
Barber
,
M.
Dawber
,
J. F.
Scott
,
A.
Snedden
, and
P.
Lightfoot
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
2414
(
2003
).
13.
T.
Kojima
,
T.
Sakai
,
T.
Watanabe
,
H.
Funakubo
,
K.
Saito
, and
M.
Osada
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
2746
(
2002
).
14.
P.
Tiwari
,
X. D.
Wu
,
S. R.
Foltyn
,
M. Q.
Le
,
I. H.
Campbell
,
R. C.
Dye
, and
R. E.
Muenchausen
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
634
(
1994
).
15.
G.
Asayama
,
J.
Lettieri
,
M. A.
Zurbuchen
,
Y.
Jia
,
S.
Trolier-McKinstry
,
D. G.
Schlom
,
S. K.
Streiffer
,
J-P.
Maria
,
S. D.
Bu
, and
C. B.
Eom
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
2371
(
2002
).
16.
D.
Hesse
,
S. K.
Lee
, and
U.
Gösele
,
Phys. Status Solidi A
202
,
2287
(
2005
).
17.
P. C.
McIntyre
,
C. J.
Maggiore
, and
M.
Nastasi
,
J. Appl. Phys.
77
,
6201
(
1995
).
18.
K. H.
Ahn
,
S.
Baik
, and
S. S.
Kim
,
J. Mater. Res.
17
,
2334
(
2002
).
You do not currently have access to this content.