We demonstrate continuous-wave operation at of InGaN multi-quantum-well laser diodes (LDs) made by plasma-assisted molecular-beam epitaxy (PAMBE). The threshold current density and voltage for these LDs are and , respectively. High optical output power of is achieved. The LDs are fabricated on low-dislocation-density bulk GaN substrates, at growth conditions which resemble liquid-phase epitaxy. We show that use of such substrates eliminates spiral growth, which is the dominant growth mechanism for PAMBE on high-dislocation-density substrates. Therefore, PAMBE opens new perspectives for next generation of InGaN LDs.
REFERENCES
1.
S.
Nakamura
, M.
Senoh
, S.-I.
Nagahama
, N.
Iwasa
, T.
Yamada
, T.
Matsushita
, H.
Kiyoku
, Y.
Sugimoto
, T.
Kozaki
, H.
Umemoto
, M.
Sano
, and K.
Chocho
, Appl. Phys. Lett.
73
, 832
(1998
).2.
M.
Kneissl
, D. P.
Bour
, C. G. V. d.
Walle
, L. T.
Romano
, J. E.
Northrup
, R. M.
Wood
, M.
Teepe
, and N. M.
Johnson
, Appl. Phys. Lett.
75
, 581
(1999
).3.
A.
Ishizaka
and Y.
Murata
, J. Phys.: Condens. Matter
6
, L693
(1994
).4.
W.
Utsumi
, H.
Saitoh
, H.
Kaneko
, T.
Watanuki
, K.
Aoki
, and O.
Shimomura
, Nat. Mater.
2
, 735
(2003
).5.
M.
Kauer
, S. E.
Hooper
, V.
Bousquet
, K.
Johnson
, C.
Zellweger
, J. M.
Barnes
, J.
Windle
, T. M.
Smeeton
, and J.
Heffernan
, Electron. Lett.
41
, 23
(2005
).6.
N.
Grandjean
, B.
Damilano
, and J.
Massies
, J. Phys.: Condens. Matter
13
, 6945
(2001
).7.
J. A.
Bardwell
, Y.
Liu
, H.
Tang
, J. B.
Webb
, S. J.
Rolfe
, and J.
Lapointe
, Electron. Lett.
39
, 564
(2003
).8.
M. J.
Manfra
, K. W.
Baldwin
, M.
Sergent
, R. J.
Molnar
, and J.
Caissie
, Appl. Phys. Lett.
85
, 1722
(2004
).9.
I. P.
Smorchkova
, L.
Chen
, T.
Mates
, L.
Shen
, S.
Heikman
, B.
Moran
, S.
Keller
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, and U. K.
Mishra
, J. Appl. Phys.
90
, 5196
(2001
).10.
C.
Skierbiszewski
, K.
Dybko
, W.
Knap
, J.
Łusakowski
, M.
Siekacz
, W.
Krupczyński
, G.
Nowak
, M.
Boćkowski
, Z.
Wasilewski
, D.
Maude
, T.
Suski
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
86
, 102106
(2005
).11.
P.
Waltereit
, H.
Sato
, C.
Poblenz
, D. S.
Green
, J. S.
Brown
, M.
McLaurin
, T.
Katona
, S. P.
DenBaars
, J. S.
Speck
, J.-H.
Liang
, M.
Kato
, H.
Tamura
, S.
Omori
, and C.
Funaoka
, Appl. Phys. Lett.
84
, 2748
(2004
).12.
C.
Skierbiszewski
, Z.
Wasilewski
, M.
Siekacz
, A.
Feduniewicz
, P.
Perlin
, P.
Wisniewski
, J.
Borysiuk
, I.
Grzegory
, M.
Leszczynski
, T.
Suski
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
86
, 011114
(2005
).13.
C.
Skierbiszewski
, P.
Perlin
, I.
Grzegory
, Z. R.
Wasilewski
, M.
Siekacz
, A.
Feduniewicz
, P.
Wisniewski
, J.
Borysiuk
, P.
Prystawko
, G.
Kamler
, T.
Suski
, and S.
Porowski
, Semicond. Sci. Technol.
20
, 809
(2005
).14.
B.
Heying
, I.
Smorchkova
, C.
Poblenz
, C.
Elsass
, P.
Fini
, S.
Den Baars
, U.
Mishra
, and J. S.
Speck
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2885
(2000
).15.
C.
Adelmann
, J.
Brault
, D.
Jalabert
, P.
Gentile
, H.
Mariette
, Guido
Mula
, and B.
Daudin
, J. Appl. Phys.
91
, 9638
(2002
).16.
C.
Skierbiszewski
, Z.
Wasilewski
, M.
Siekacz
, A.
Feduniewicz
, B.
Pastuszka
, I.
Grzegory
, M.
Leszczynski
, and S.
Porowski
, Phys. Status Solidi A
201
, 320
(2004
).17.
G.
Koblmuller
, R.
Averbeck
, H.
Riechert
, and P.
Pongratz
, Phys. Rev. B
69
, 035325
(2004
).18.
J.
Neugebauer
, T. K.
Zywietz
, M.
Scheffler
, J. E.
Northrup
, H.
Chen
, and R. M.
Feenstra
, Phys. Rev. Lett.
90
, 056101
(2003
).19.
B.
Heying
, E. J.
Tarsa
, C. R.
Elsass
, P.
Fini
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
85
, 6470
(1999
).20.
Z.
Romanowski
, S.
Krukowski
, I.
Grzegory
, and S.
Porowski
, J. Chem. Phys.
114
, 6353
(2001
).21.
22.
Th.
Gessmann
, J. W.
Graff
, Y.-L.
Li
, E. L.
Waldron
, and E. F.
Schubert
, J. Appl. Phys.
92
, 3740
(2002
).23.
24.
G.
Springholz
, A. Y.
Ueta
, N.
Frank
, and G.
Bauer
, Appl. Phys. Lett.
69
, 2822
(1996
).25.
R. H.
Swendsen
, P. J.
Kortman
, D. P.
Landau
, and H.
Muller-Krumbhaar
, J. Cryst. Growth
35
, 73
(1976
).© 2006 American Institute of Physics.
2006
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
