We report a comparative study on the growth of InAs quantum dots (QDs) on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition using triethylgallium (TEGa) and trimethylgallium (TMGa) for the GaAs cap layer. QDs exhibit 1.3μm photoluminescence (PL) at room temperature, as the GaAs cap layer is directly grown on the QDs. The PL emission can be extended to 1.49μm when an In0.25Ga0.75As overgrown layer is inserted between the cap layer and the InAs QDs. The use of TMGa or TEGa for the growth of the GaAs cap layer is essential for a further increase in the emission wavelength of the InAs QDs. Strong PL emission at 1.55μm with a linewidth of 28meV can be obtained as the GaAs cap layer is grown by TEGa, while the optical properties degrade severely when using TMGa.

1.
D. L.
Huffaker
,
G.
Park
,
Z.
Zou
,
O. B.
Shchekin
, and
D. G.
Deppe
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
2564
(
1998
).
2.
M. V.
Maxmov
,
L. V.
Asryan
,
Y. M.
Shernyakov
,
A. F.
Tsatulinikov
,
I. N.
Kaiauder
,
V. V.
Nikolaev
,
A. R.
Kovsh
,
S. S.
Mikkin
,
V. M.
Zhukov
,
Z. I.
Alferov
,
N. N.
Ledenstov
, and
D.
Bimberg
,
IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.
37
,
676
(
2001
).
3.
O. B.
Shchekin
and
D. G.
Deppe
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
3277
(
2002
).
4.
I. R.
Sellers
,
H. Y.
Liu
,
M.
Hopkinson
,
D. J.
Mowbray
, and
M. S.
Skolnick
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
4710
(
2003
).
5.
F. Y.
Chang
,
C. C.
Wu
, and
H. H.
Lin
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
4477
(
2003
).
6.
M. V.
Maximov
,
A. F.
Tsatsul’nikov
,
B. V.
Volovik
,
D. A.
Bedarev
,
A. Y.
Egorov
,
A. E.
Zhukov
,
A. R.
Kovsh
,
N. A.
Bert
,
V. M.
Ustinov
,
P. S.
Kop’ev
,
Z. I.
Alferov
,
N. N.
Ledentsov
,
D.
Bimberg
,
I. P.
Soshnikov
, and
P.
Werner
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
2347
(
1999
).
7.
G.
Balakrishnan
,
S.
Huang
,
T. J.
Rotter
,
A.
Stintz
,
L. R.
Dawson
,
K. J.
Malloy
,
H.
Xu
, and
D. L.
Huffaker
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2058
(
2004
).
8.
S.
Ganapathy
,
X. Q.
Zhang
,
I.
Suemune
,
K.
Uesugi
,
H.
Kumano
,
B. J.
Kim
, and
T.-Y.
Seong
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
4477
(
2003
).
9.
M. J.
da Silva
,
A. A.
Quivy
,
S.
Martini
,
T. E.
Lamas
,
E. C. F.
da Silva
, and
J. R.
Leite
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2646
(
2003
).
10.
J.
Tatebayashi
,
M.
Nishioka
, and
Y.
Arakawa
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
3469
(
2001
).
11.
K.
Nishi
,
H.
Saito
,
S.
Sugou
, and
J.-S.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
1111
(
1999
).
12.
N. T.
Yeh
,
T. E.
Nee
,
J.-I.
Chyi
,
C. C.
Huang
, and
T. M.
Hsu
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1567
(
2000
).
13.
M. V.
Maximov
,
A. F.
Tsatsul’nikov
,
B. V.
Volovik
,
D. S.
Sizov
,
Y. M.
Shernyakov
,
I. N.
Kaiander
,
A. E.
Zhukov
,
A. R.
Kovsh
,
S. S.
Mikhrin
,
V. M.
Ustinov
,
Z. I.
Alferov
,
R.
Heitz
,
V. A.
Shchukin
,
N. N.
Ledentsov
,
D.
Bimberg
,
Y. G.
Musikhin
, and
W.
Neumann
,
Phys. Rev. B
62
,
16
671
(
2000
).
14.
F.
Guffarth
,
R.
Heitz
,
A.
Schliwa
,
O.
Stier
,
N. N.
Ledentsov
,
A. R.
Kovsh
,
V. M.
Ustinov
, and
D.
Bimberg
,
Phys. Rev. B
64
,
085305
(
2000
).
15.
W. H.
Chang
,
H. Y.
Chen
,
H. S.
Chang
,
T. M.
Hsu
,
T. P.
Hsieh
,
J.-I.
Chyi
, and
N. T.
Yeh
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
131917
(
2005
).
16.
H. Y.
Liu
,
I. R.
Sellers
,
T. J.
Badcock
,
D. J.
Mowbray
,
M. S.
Skolnick
,
K. M.
Groom
,
M.
Gutiérrez
,
M.
Hopkinson
,
J. S.
Ng
,
J. P. R.
David
, and
R.
Beanland
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
704
(
2004
).
17.
W. S.
Liu
and
J.-I.
Chyi
,
Proceedings of the 2004 International Conference on Molecular-Beam Epitaxy
, 22–27 August
2004
, Edinburgh.
18.
H.
Ito
and
K.
Kurishima
,
J. Cryst. Growth
165
,
215
(
1996
).
19.
S. K.
Shastry
,
S.
Zemon
,
D. G.
Kenneson
, and
G.
Lambert
,
Appl. Phys. Lett.
52
,
150
(
1988
).
You do not currently have access to this content.