We report on the growth of nominally undoped p-type ZnO films on Si(111) substrates by pulsed-laser deposition. Hall effect measurements show that the undoped ZnO films change from n-type to p-type material when the oxygen pressure changes from 6×105to3×104Torr during growth. TiAu contacts produce ohmic behavior to n-type ZnO (1017cm3), but leaky Schottky behavior to p-type ZnO (1018cm3). Electrical and photoluminescence results indicate that native defects, such as oxygen and zinc vacancies, could play an important role in determining the conductivity of these nominally undoped ZnO films.

2.
Z. K.
Tang
,
G. K. L.
Wong
,
P.
Yu
,
M.
Kawasaki
,
A.
Ohtomo
,
H.
Koinuma
, and
Y.
Segawa
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
3270
(
1998
).
3.
D. C.
Look
,
Mater. Sci. Eng., B
80
,
383
(
2001
).
4.
Y.
Ma
,
G. T.
Du
,
S. R.
Yang
,
Z. T.
Li
,
B. J.
Zhao
,
X. T.
Yang
,
T. P.
Yang
,
Y. T.
Zhang
, and
D. L.
Liu
,
J. Appl. Phys.
95
,
6268
(
2004
).
5.
Y. R.
Ryu
,
S.
Zhu
,
D. C.
Look
,
J. M.
Wrobel
,
H. M.
Jeong
, and
H. W.
White
,
J. Cryst. Growth
216
,
330
(
2000
).
6.
K. K.
Kim
,
H. S.
Kim
,
D. K.
Hwang
,
J. H.
Hong
, and
S. J.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
63
(
2003
).
7.
K.
Minegishi
,
Y.
Koiwai
,
Y.
Kikuchi
,
K.
Yano
,
M.
Kasuga
, and
A.
Shimizu
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
36
,
L1453
(
1997
).
8.
M.
Joseph
,
H.
Tabata
,
H.
Saeki
,
K.
Ueda
, and
T.
Kawai
,
Physica B
302, 303
,
140
(
2001
).
9.
D. C.
Look
,
C. W.
Litton
,
R. L.
Jones
,
D. B.
Eason
,
G.
Cantwell
, and
D. C.
Reynolds
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
1830
(
2002
).
10.
C. C.
Lin
,
S. Y.
Cheng
,
H. Y.
Lee
, and
S. Y.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
5040
(
2004
).
11.
D. C.
Look
,
G. M.
Renlund
,
R. H.
Burgener
, and
J. R.
Sizelove
,
Appl. Phys. Lett.
85
,
5269
(
2004
).
12.
X.
Li
,
Y.
Yan
,
T. A.
Gessert
,
C. L.
Perkins
,
D.
Young
,
C.
Dehart
,
M.
Young
, and
T. J.
Coutts
,
J. Vac. Sci. Technol. A
21
,
1342
(
2003
).
13.
Y.
Yan
,
S. B.
Zhang
, and
S. T.
Pantelides
,
Phys. Rev. Lett.
86
,
5723
(
2001
).
14.
T. V.
Butkhuzi
,
A. V.
Bureyev
,
A. N.
Georgobiani
,
N. P.
Kekelidze
, and
T. G.
Khulordava
,
J. Cryst. Growth
117
,
366
(
1992
).
15.
G.
Xiong
,
J.
Wilkinson
,
B.
Mischuck
,
S.
Tuzemen
,
K. B.
User
, and
R. T.
Williams
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
1195
(
2002
).
16.
H. K.
Kim
,
S. H.
Han
, and
T. Y.
Seong
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
1647
(
2000
).
17.
H. K.
Kim
,
S. H.
Han
,
T. Y.
Seong
, and
W. K.
Choi
,
J. Electrochem. Soc.
148
,
G114
(
2001
).
18.
S. S.
Kim
and
B. T.
Lee
,
Thin Solid Films
446
,
307
(
2004
).
19.
G. S.
Marlow
and
M. B.
Das
,
Solid-State Electron.
25
,
91
(
1982
).
20.
D. R.
Lide
,
Handbook of Chemistry and Physics
, 76th ed. (
CRC
, Boca Raton, FL,
1995-1996
).
21.
B.
Lin
,
Z.
Fu
, and
Y.
Jia
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
943
(
2001
).
22.
M.
Liu
,
A. H.
Kitai
, and
P.
Mascher
,
J. Lumin.
54
,
35
(
1992
).
23.
G. W.
Tomlis
,
J. L.
Routbort
, and
T. O.
Mason
,
J. Appl. Phys.
87
,
117
(
2000
).
24.
D. C.
Reynolds
,
D. C.
Look
,
C. W.
Litton
,
T. C.
Collins
,
W.
Harsch
,
G.
Cantwell
, and
B.
Jogai
,
Phys. Rev. B
57
,
12151
(
1998
).
25.
K. L.
Teo
,
J. S.
Colton
,
P. Y.
Yu
,
E. R.
Weber
,
M. F.
Li
,
W.
Liu
,
K.
Uchida
,
H.
Tokunaga
,
N.
Akutsu
, and
K.
Matsumoto
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
1697
(
1998
).
26.
A. B. M. A.
Ashrafi
,
I.
Suemune
,
H.
Kumano
, and
S.
Tanaka
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
41
,
L1281
(
2002
).
27.
A. N.
Georgobiani
,
M. B.
Kotlyarevskii
,
V. V.
Kidalov
,
L. S.
Lepnev
, and
I. V.
Rogozin
,
Inorg. Mater.
37
,
1095
(
2001
).
28.
A. F.
Kohan
,
G.
Ceder
, and
D.
Morgan
,
Phys. Rev. B
61
,
15019
(
2000
).
29.
S. B.
Zhang
,
S. H.
Wei
, and
A.
Zunger
,
Phys. Rev. B
63
,
075205
(
2001
).
30.
F.
Oba
,
S.
Nishitani
,
S.
Isotani
,
H.
Adachi
, and
I.
Tanaka
,
J. Appl. Phys.
90
,
824
(
2001
).
31.
X. L.
Wu
,
G. G.
Siu
,
C. L.
Fu
, and
H. C.
Ong
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
2285
(
2001
).
You do not currently have access to this content.