The conjugated effect of growth temperature and in situ thermal annealing on the photoluminescence properties of In0.4Ga0.6As0.985N0.015/GaAs quantum wells (QWs) grown by molecular-beam epitaxy has been investigated. The interplay between growth temperature and annealing effects is such as the optimum growth temperature is not the same for as-grown and annealed samples. By using the combination of a low growth temperature and a high in situ annealing temperature, separate confinement heterostructure laser diodes with a single In0.4Ga0.6As1xNx(x=0.0150.021)/GaAs QW have been grown. The broad area devices emit from 1.34 to 1.44 μm at room temperature with a threshold current density of 15001755Acm2.

1.
M.
Kondow
,
S.
Nakatsuka
,
T.
Kitatani
,
Y.
Yazawa
, and
M.
Okai
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
,
5711
(
1996
).
2.
M.
Fischer
,
M.
Reinhardt
, and
A.
Forchel
,
Electron. Lett.
36
,
1208
(
2000
).
3.
N.
Tansu
,
A.
Quandt
,
M.
Kanskar
,
W.
Mulhearn
, and
L. J.
Mawst
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
18
(
2003
).
4.
A.
Livshits
,
A. Yu.
Egorov
, and
H.
Riechert
,
Electron. Lett.
36
,
1381
(
2000
).
5.
W.
Li
,
T.
Jouhti
,
C.
Si Peng
,
J.
Konttinen
,
P.
Laukkanen
,
E.-M.
Pavelescu
,
M.
Dumitrescu
, and
M.
Pessa
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
3386
(
2001
).
6.
N.
Tansu
,
J.-Y.
Yeh
, and
L. J.
Mawst
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
2512
(
2003
).
7.
J.-Y.
Yeh
,
N.
Tansu
, and
L. J.
Mawst
,
Electron. Lett.
40
,
739
(
2004
).
8.
L. H.
Li
,
V.
Sallet
,
G.
Patriarche
,
L.
Largeau
,
S.
Bouchoule
,
L.
Travers
, and
J. C.
Harmand
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
1298
(
2003
).
9.
S. R.
Bank
,
M. A.
Wistey
,
H. B.
Yuen
,
L. L.
Goddard
,
W.
Ha
, and
J. S.
Harris
,
Electron. Lett.
39
,
1445
(
2003
).
10.
M.
Kondow
and
T.
Kitatani
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
,
108
(
2001
).
11.
E.
Tournié
,
M.-A.
Pinault
, and
A.
Guzman
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
4148
(
2002
).
12.
R.
Kudrawiec
,
G.
Sek
,
J.
Misiewicz
,
D.
Gollub
, and
A.
Forchel
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
2772
(
2003
).
13.
W.
Li
,
M.
Pessa
,
T.
Ahlgren
, and
J.
Decker
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
1094
(
2001
).
14.
M.
Albrecht
,
V.
Grillo
,
T.
Remmele
,
H. P.
Strunk
,
A. Yu.
Egorov
,
Gh.
Dumitras
,
H.
Riechert
,
A.
Kaschner
,
R.
Heitz
, and
A.
Hoffmann
,
Appl. Phys. Lett.
81
,
2719
(
2002
).
15.
J.-M.
Chauveau
,
A.
Trampert
,
K. H.
Ploog
, and
E.
Tournié
,
Appl. Phys. Lett.
84
,
2503
(
2004
).
16.
P. J.
Klar
,
H.
Grüning
,
J.
Koch
,
S.
Schäfer
,
K.
Volz
,
W.
Stolz
,
W.
Heimbrodt
,
A. M.
Kamal Saadi
,
A.
Lindsay
, and
E. P.
O’Reilly
,
Phys. Rev. B
64
,
121203
(
2001
).
17.
S.
Makino
,
T.
Miyamoto
,
T.
Kageyama
,
Y.
Ikenaga
,
M.
Arai
,
F.
Koyama
, and
K.
Iga
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
40
,
L1211
(
2001
).
18.
E.
Tournié
,
M.-A.
Pinault
,
M.
Laügt
,
J.-M.
Chauveau
,
A.
Trampert
, and
K. H.
Ploog
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
1845
(
2003
).
19.
A.
Hierro
,
J.-M.
Ulloa
,
J.-M.
Chauveau
,
A.
Trampert
,
M.-A.
Pinault
,
E.
Tournié
,
A.
Guzman
,
J. L.
Sanchez-Rojas
, and
E.
Calleja
,
J. Appl. Phys.
94
,
2319
(
2003
).
20.
J. C.
Harmand
,
G.
Ungaro
,
L.
Largeau
, and
G.
Le Roux
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
2482
(
2000
).
21.
Z.
Pan
,
L.
Li
,
W.
Zhang
,
X.
Wang
,
Y.
Lin
, and
R. H.
Wu
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
214
(
2000
).
22.
E.-M.
Pavelescu
,
T.
Jouhti
,
M.
Dumitrescu
,
P. J.
Klar
,
S.
Karirinne
,
Y.
Fedorenko
, and
M.
Pessa
,
Appl. Phys. Lett.
83
,
1497
(
2003
).
23.
M.-A.
Pinault
and
E.
Tournié
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
1562
(
2001
).
24.
J.-M.
Ulloa
,
A.
Hierro
,
J.
Miguel-Sanchez
,
A.
Guzman
,
A.
Trampert
,
J. L.
Sanchez-Rojas
, and
E.
Calleja
,
IEE Proc.-J: Optoelectron.
151
,
421
(
2004
).
25.
S.
Kurtz
,
J.
Webb
,
L.
Gedvilas
,
D.
Friedman
,
J.
Geisz
,
J.
Olson
,
R.
King
,
D.
Joslin
, and
N.
Karam
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
748
(
2001
).
26.
V.
Lordi
,
V.
Gambin
,
S.
Friedrich
,
T.
Funk
,
T.
Takizawa
,
K.
Uno
, and
J. S.
Harris
,
Phys. Rev. Lett.
90
,
145505
(
2003
).
27.
S.
Makino
,
T.
Miyamoto
,
M.
Ohta
,
T.
Matsuura
,
Y.
Matsui
, and
F.
Koyama
,
Phys. Status Solidi C
0
(4),
1097
(
2003
).
You do not currently have access to this content.