The conjugated effect of growth temperature and in situ thermal annealing on the photoluminescence properties of /GaAs quantum wells (QWs) grown by molecular-beam epitaxy has been investigated. The interplay between growth temperature and annealing effects is such as the optimum growth temperature is not the same for as-grown and annealed samples. By using the combination of a low growth temperature and a high in situ annealing temperature, separate confinement heterostructure laser diodes with a single /GaAs QW have been grown. The broad area devices emit from 1.34 to 1.44 μm at room temperature with a threshold current density of .
REFERENCES
1.
M.
Kondow
, S.
Nakatsuka
, T.
Kitatani
, Y.
Yazawa
, and M.
Okai
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
, 5711
(1996
).2.
M.
Fischer
, M.
Reinhardt
, and A.
Forchel
, Electron. Lett.
36
, 1208
(2000
).3.
N.
Tansu
, A.
Quandt
, M.
Kanskar
, W.
Mulhearn
, and L. J.
Mawst
, Appl. Phys. Lett.
83
, 18
(2003
).4.
A.
Livshits
, A. Yu.
Egorov
, and H.
Riechert
, Electron. Lett.
36
, 1381
(2000
).5.
W.
Li
, T.
Jouhti
, C.
Si Peng
, J.
Konttinen
, P.
Laukkanen
, E.-M.
Pavelescu
, M.
Dumitrescu
, and M.
Pessa
, Appl. Phys. Lett.
79
, 3386
(2001
).6.
N.
Tansu
, J.-Y.
Yeh
, and L. J.
Mawst
, Appl. Phys. Lett.
83
, 2512
(2003
).7.
J.-Y.
Yeh
, N.
Tansu
, and L. J.
Mawst
, Electron. Lett.
40
, 739
(2004
).8.
L. H.
Li
, V.
Sallet
, G.
Patriarche
, L.
Largeau
, S.
Bouchoule
, L.
Travers
, and J. C.
Harmand
, Appl. Phys. Lett.
83
, 1298
(2003
).9.
S. R.
Bank
, M. A.
Wistey
, H. B.
Yuen
, L. L.
Goddard
, W.
Ha
, and J. S.
Harris
, Electron. Lett.
39
, 1445
(2003
).10.
M.
Kondow
and T.
Kitatani
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
40
, 108
(2001
).11.
E.
Tournié
, M.-A.
Pinault
, and A.
Guzman
, Appl. Phys. Lett.
80
, 4148
(2002
).12.
R.
Kudrawiec
, G.
Sek
, J.
Misiewicz
, D.
Gollub
, and A.
Forchel
, Appl. Phys. Lett.
83
, 2772
(2003
).13.
W.
Li
, M.
Pessa
, T.
Ahlgren
, and J.
Decker
, Appl. Phys. Lett.
79
, 1094
(2001
).14.
M.
Albrecht
, V.
Grillo
, T.
Remmele
, H. P.
Strunk
, A. Yu.
Egorov
, Gh.
Dumitras
, H.
Riechert
, A.
Kaschner
, R.
Heitz
, and A.
Hoffmann
, Appl. Phys. Lett.
81
, 2719
(2002
).15.
J.-M.
Chauveau
, A.
Trampert
, K. H.
Ploog
, and E.
Tournié
, Appl. Phys. Lett.
84
, 2503
(2004
).16.
P. J.
Klar
, H.
Grüning
, J.
Koch
, S.
Schäfer
, K.
Volz
, W.
Stolz
, W.
Heimbrodt
, A. M.
Kamal Saadi
, A.
Lindsay
, and E. P.
O’Reilly
, Phys. Rev. B
64
, 121203
(2001
).17.
S.
Makino
, T.
Miyamoto
, T.
Kageyama
, Y.
Ikenaga
, M.
Arai
, F.
Koyama
, and K.
Iga
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
40
, L1211
(2001
).18.
E.
Tournié
, M.-A.
Pinault
, M.
Laügt
, J.-M.
Chauveau
, A.
Trampert
, and K. H.
Ploog
, Appl. Phys. Lett.
82
, 1845
(2003
).19.
A.
Hierro
, J.-M.
Ulloa
, J.-M.
Chauveau
, A.
Trampert
, M.-A.
Pinault
, E.
Tournié
, A.
Guzman
, J. L.
Sanchez-Rojas
, and E.
Calleja
, J. Appl. Phys.
94
, 2319
(2003
).20.
J. C.
Harmand
, G.
Ungaro
, L.
Largeau
, and G.
Le Roux
, Appl. Phys. Lett.
77
, 2482
(2000
).21.
Z.
Pan
, L.
Li
, W.
Zhang
, X.
Wang
, Y.
Lin
, and R. H.
Wu
, Appl. Phys. Lett.
77
, 214
(2000
).22.
E.-M.
Pavelescu
, T.
Jouhti
, M.
Dumitrescu
, P. J.
Klar
, S.
Karirinne
, Y.
Fedorenko
, and M.
Pessa
, Appl. Phys. Lett.
83
, 1497
(2003
).23.
M.-A.
Pinault
and E.
Tournié
, Appl. Phys. Lett.
78
, 1562
(2001
).24.
J.-M.
Ulloa
, A.
Hierro
, J.
Miguel-Sanchez
, A.
Guzman
, A.
Trampert
, J. L.
Sanchez-Rojas
, and E.
Calleja
, IEE Proc.-J: Optoelectron.
151
, 421
(2004
).25.
S.
Kurtz
, J.
Webb
, L.
Gedvilas
, D.
Friedman
, J.
Geisz
, J.
Olson
, R.
King
, D.
Joslin
, and N.
Karam
, Appl. Phys. Lett.
78
, 748
(2001
).26.
V.
Lordi
, V.
Gambin
, S.
Friedrich
, T.
Funk
, T.
Takizawa
, K.
Uno
, and J. S.
Harris
, Phys. Rev. Lett.
90
, 145505
(2003
).27.
S.
Makino
, T.
Miyamoto
, M.
Ohta
, T.
Matsuura
, Y.
Matsui
, and F.
Koyama
, Phys. Status Solidi C
0
(4), 1097
(2003
).© 2005 American Institute of Physics.
2005
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.