We have fabricated organic thin film transistors, inverters, and ring oscillators on glass and on flexible polyethylene naphthalate, using the small-molecule hydrocarbon pentacene as the semiconductor and solution-processed polyvinylphenol as the gate dielectric. Depending on the choice of substrate, the transistors have a carrier mobility between 0.3 and an on/off current ratio between and and a subthreshold swing between 0.9 and 1.6 V/decade. To account for the positive switch-on voltage of the transistors, circuits were designed to operate with integrated level shifting. Depending on the type of substrate, ring oscillators have a signal propagation delay as low as 15 μs per stage.
REFERENCES
1.
P.
Mach
, S. J.
Rodriguez
, R.
Nortrup
, P.
Wiltzius
, and J. A.
Rogers
, Appl. Phys. Lett.
78
, 3592
(2001
).2.
C. D.
Sheraw
, L.
Zhou
, J. R.
Huang
, D. J.
Gundlach
, T. N.
Jackson
, M. G.
Kane
, I. G.
Hill
, M. S.
Hammond
, J.
Campi
, B. K.
Greening
, J.
Francl
, and J.
West
, Appl. Phys. Lett.
80
, 1088
(2002
).3.
H. E. A.
Huitema
, G. H.
Gelinck
, J. B. P. H.
van der Putten
, K. E.
Kuijk
, K. M.
Hart
, E.
Cantatore
, and D. M.
de Leeuw
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
14
, 1201
(2002
).4.
B.
Crone
, A.
Dodabalapur
, A.
Gelperin
, L.
Torsi
, H. E.
Katz
, A. J.
Lovinger
, and Z.
Bao
, Appl. Phys. Lett.
78
, 2229
(2001
).5.
B.
Crone
, A.
Dodabalapur
, R.
Sarpeshkar
, A.
Gelperin
, H. E.
Katz
, and Z.
Bao
, J. Appl. Phys.
91
, 10140
(2002
).6.
C.
Bartic
, B.
Palan
, A.
Campitelli
, and G.
Borghs
, Sens. Actuators B
83
, 115
(2002
).7.
J. A.
Rogers
, Z.
Bao
, K.
Baldwin
, A.
Dodabalapur
, B.
Crone
, V. R.
Raju
, V.
Kuck
, H.
Katz
, K.
Amundson
, J.
Ewing
, and P.
Drzaic
, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
98
, 4835
(2001
).8.
A. R.
Brown
, A.
Pomp
, C. M.
Hart
, and D. M.
de Leeuw
, Science (Washington, DC, U.S.)
270
, 972
(1995
).9.
C. J.
Drury
, C. M. J.
Mutsaers
, C. M.
Hart
, M.
Matters
, and D. M.
de Leeuw
, Appl. Phys. Lett.
73
, 108
(1998
).10.
H.
Klauk
, D. J.
Gundlach
, and T. N.
Jackson
, IEEE Electron Device Lett.
20
, 289
(1999
).11.
Y. Y.
Lin
, A.
Dodabalapur
, R.
Sarpeshkar
, Z.
Bao
, W.
Li
, K.
Baldwin
, V. R.
Raju
, and H. E.
Katz
, Appl. Phys. Lett.
74
, 2714
(1999
).12.
G. H.
Gelinck
, T. C. T.
Geuns
, and D. M.
de Leeuw
, Appl. Phys. Lett.
77
, 1487
(2000
).13.
M. G.
Kane
, J.
Campi
, M. S.
Hammond
, F. P.
Cuomo
, B.
Greening
, C. D.
Sheraw
, J. A.
Nichols
, D. J.
Gundlach
, J. R.
Huang
, C. C.
Kuo
, L.
Jia
, H.
Klauk
, and T. N.
Jackson
, IEEE Electron Device Lett.
21
, 534
(2000
).14.
H.
Sirringhaus
, T.
Kawase
, R. H.
Friend
, T.
Shimoda
, M.
Inbasekaran
, W.
Wu
, and E. P.
Woo
, Science (Washington, DC, U.S.)
290
, 2123
(2000
).15.
B. K.
Crone
, A.
Dodabalapur
, R.
Sarpeshkar
, R. W.
Filas
, Y. Y.
Lin
, Z.
Bao
, J. H.
O’Neill
, W.
Li
, and H. E.
Katz
, J. Appl. Phys.
89
, 5125
(2001
).16.
D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, J. R. Huang, and T. N. Jackson, 2001 Int. Electr. Dev. Meet. Techn. Dig., 2001, p. 731.
17.
W.
Fix
, A.
Ullmann
, J.
Ficker
, and W.
Clemens
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1735
(2002
).18.
F. J.
Touwslager
, N. P.
Willard
, and D. M.
de Leeuw
, Appl. Phys. Lett.
81
, 4556
(2002
).19.
D. M. de Leeuw, G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, E. van Veenendaal, E. Cantatore, and B. H. Huisman, 2002 Int. Electr. Dev. Meet. Techn. Dig., 2002, p. 293.
20.
M.
Halik
, H.
Klauk
, U.
Zschieschang
, T.
Kriem
, G.
Schmid
, W.
Radlik
, and K.
Wussow
, Appl. Phys. Lett.
81
, 289
(2002
).21.
H.
Klauk
, M.
Halik
, U.
Zschieschang
, G.
Schmid
, W.
Radlik
, and W.
Weber
, J. Appl. Phys.
92
, 5259
(2002
).22.
M.
Halik
, H.
Klauk
, U.
Zschieschang
, G.
Schmid
, W.
Radlik
, and W.
Weber
, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.)
14
, 1717
(2002
).23.
E. J.
Meijer
, C.
Tanase
, P. W. M.
Blom
, E.
van Veenendaal
, B. H.
Huisman
, D. M.
de Leeuw
, and T. M.
Klapwijk
, Appl. Phys. Lett.
80
, 3838
(2002
).24.
S.
Scheinert
, G.
Paasch
, M.
Schrödner
, H. K.
Roth
, S.
Sensfuß
, and T.
Doll
, J. Appl. Phys.
92
, 330
(2002
).25.
R. Brederlow, S. Briole, H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, J. M. Gorriz-Saez, C. Pacha, R. Thewes, and W. Weber, 2003 IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Techn. Dig., 2003, p. 378.
This content is only available via PDF.
© 2003 American Institute of Physics.
2003
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.