Positron annihilation spectroscopy was used to study GaAsN/GaAs epilayers. GaAsN layers were found to contain Ga vacancies in defect complexes. The density of the vacancy complexes increases rapidly to the order of with increasing N composition and decreases after annealing at The anticorrelation of the vacancy concentration and the integrated photoluminescence intensity suggests that the Ga vacancy complexes act as nonradiative recombination centers.
REFERENCES
1.
M.
Weyers
, M.
Sato
, and H.
Ando
, Jpn. J. Appl. Phys.
31
, L853
(1992
).2.
M.
Kondow
, K.
Uomi
, A.
Niwa
, T.
Kitatani
, S.
Watahiki
, and Y.
Yazawa
, Jpn. J. Appl. Phys.
35
, 1273
(1996
).3.
M.
Fischer
, D.
Gollub
, and A.
Forchel
, Jpn. J. Appl. Phys.
41
, 1162
(2002
).4.
D. J.
Friedman
, J. F.
Geisz
, S. R.
Kurtz
, and J. M.
Olson
, J. Cryst. Growth
195
, 409
(1998
).5.
P. C.
Chang
, A. G.
Baca
, N. Y.
Li
, P. R.
Sharps
, H. Q.
Hou
, J. R.
Laroche
, and F.
Ren
, Appl. Phys. Lett.
76
, 2788
(2000
).6.
A.
Buyanova
, G.
Pozina
, P. N.
Hai
, W. M.
Chen
, H. P.
Xin
, and C. W.
Tu
, Phys. Rev. B
63
, 033303
(2000
).7.
P.
Krispin
, S. G.
Spruytte
, J. S.
Harris
, and K. H.
Ploog
, J. Appl. Phys.
90
, 2405
(2001
).8.
E. V. K.
Rao
, A.
Ougazzaden
, Y.
Le Bellego
, and M.
Juhel
, Appl. Phys. Lett.
72
, 1409
(1998
).9.
R. J.
Kaplar
, D.
Kwon
, S. A.
Ringel
, A. A.
Allerman
, Steven R.
Kurtz
, E. D.
Jones
, and R. M.
Sieg
, Sol. Energy Mater. Sol. Cells
69
, 85
(2001
).10.
N. Q.
Thinh
, I. A.
Buyanova
, P. N.
Hai
, W. M.
Chen
, H. P.
Xin
, and C. W.
Tu
, Phys. Rev. B
63
, 033203
(2001
).11.
N. Q.
Thinh
, I. A.
Buyanova
, W. M.
Chen
, H. P.
Xin
, and C. W.
Tu
, Appl. Phys. Lett.
79
, 3089
(2001
).12.
S. G.
Spruytte
, C. W.
Coldren
, J. S.
Harris
, W.
Wampler
, P.
Krispin
, K.
Ploog
, and M. C.
Larson
, J. Appl. Phys.
89
, 4401
(2001
).13.
T.
Ahlgren
, E.
Vainonen-Ahlgren
, J.
Likonen
, W.
Li
, and M.
Pessa
, Appl. Phys. Lett.
80
, 2314
(2002
).14.
W.
Li
, M.
Pessa
, T.
Ahlgren
, and J.
Dekker
, Appl. Phys. Lett.
79
, 1094
(2001
).15.
K. Saarinen, P. Hautojärvi, and C. Corbel, in Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola (Academic, New York, 1998), p. 209.
16.
J.
Toivonen
, T.
Hakkarainen
, M.
Sopanen
, and H.
Lipsanen
, J. Cryst. Growth
221
, 456
(2000
).17.
T.
Laine
, K.
Saarinen
, J.
Mäkinen
, P.
Hautojärvi
, C.
Corbel
, L. N.
Pfeiffer
, and P. H.
Citrin
, Phys. Rev. B
54
, 11050
(1996
).18.
T.
Laine
, K.
Saarinen
, J.
Mäkinen
, P.
Hautojärvi
, C.
Corbel
, M. J.
Ashwin
, and R. C.
Newman
, Appl. Phys. Lett.
71
, 1843
(1997
).19.
R.
Ambigapathy
, A. A.
Manuel
, P.
Hautojärvi
, K.
Saarinen
, and C.
Corbel
, Phys. Rev. B
50
, 2188
(1994
);J.
Gebauer
, R.
Krause-Rehberg
, C.
Domke
, Ph.
Ebert
, K.
Urban
, and T.
Staab
, Phys. Rev. B
63
, 045203
(2001
).20.
C.
Corbel
, F.
Pierre
, K.
Saarinen
, P.
Hautojärvi
, and P.
Moser
, Phys. Rev. B
45
, 3386
(1992
).21.
A.
Moto
, M.
Takahashi
, and S.
Takagishi
, J. Cryst. Growth
221
, 485
(2000
).22.
K.
Saarinen
, P.
Hautojärvi
, J.
Keinonen
, E.
Rauhala
, J.
Räisänen
, and C.
Corbel
, Phys. Rev. B
43
, 4249
(1991
).23.
T.
Laine
, K.
Saarinen
, P.
Hautojärvi
, C.
Corbel
, and M.
Missous
, J. Appl. Phys.
86
, 1888
(1999
).24.
M.
Luysberg
, H.
Sohn
, A.
Prasad
, P.
Specht
, Z.
Liliental-Weber
, E. R.
Weber
, J.
Gebauer
, and R.
Krause-Rehberg
, J. Appl. Phys.
83
, 561
(1998
).25.
T.
Hakkarainen
, J.
Toivonen
, M.
Sopanen
, and H.
Lipsanen
, J. Cryst. Growth
234
, 631
(2002
).
This content is only available via PDF.
© 2003 American Institute of Physics.
2003
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
