A series of distributed GaN-AlGaN Bragg reflectors (DBR) has been grown on Al2O3(0001) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. The growth of the GaN template as well as of the GaN–AlxGa1−xN quarter-wave stack has been monitored by laser reflectometry. The evolution of the in situ reflectivity as well as DBR reflection spectra are discussed as function of the AlxGa1−xN composition x.

1.
M. A.
Khan
,
J. N.
Kuznia
,
J. M.
Van Hove
, and
D. T.
Olson
,
Appl. Phys. Lett.
59
,
1449
(
1991
).
2.
P.
Kung
,
A.
Saxler
,
D.
Walker
,
X.
Zhang
,
R.
Lavado
,
K. S.
Kim
, and
M.
Razeghi
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
449
,
79
(
1997
).
3.
T.
Someya
and
Y.
Arakawa
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
3653
(
1998
).
4.
K. E.
Waldrip
,
J.
Han
,
J. J.
Figiel
,
H.
Zhou
,
E.
Makarona
, and
A. V.
Nurmikko
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
3205
(
2001
).
5.
R.
Langer
,
A.
Barski
,
J.
Simon
,
N. T.
Pelekanos
,
R.
André
, and
L. S.
Dang
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
3610
(
1999
).
6.
H. M.
Ng
,
D.
Doppalapudi
,
E.
Ilipoulos
, and
T. D.
Moustakas
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
1036
(
1999
);
H. M.
Ng
,
D.
Doppalapudi
,
E.
Ilipoulos
, and
T. D.
Moustakas
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
2818
(
2000
).
7.
F.
Semond
,
N.
Antonine-Vincent
,
N.
Schnell
,
G.
Malpuech
,
M.
Leroux
,
J.
Massies
,
P.
Disseix
,
J.
Leymarie
, and
A.
Vasson
,
Phys. Status Solidi A
183
,
163
(
2001
).
8.
N.
Nakada
,
M.
Nakaji
,
H.
Ishikawa
,
T.
Egawa
,
M.
Umeno
, and
T.
Jimbo
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1804
(
2000
).
9.
Y.-K.
Song
,
M.
Diagne
,
H.
Zhou
,
A. V.
Nurmikko
,
R. P.
Schneider
, and
T.
Takeuchi
,
Appl. Phys. Lett.
77
,
1744
(
2000
).
10.
Y.-K.
Song
,
Compd. Semicond.
6
,
53
(
2000
).
11.
T.
Someya
,
K.
Tachibana
,
J.
Lee
,
T.
Kamiya
, and
Y.
Arakawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
37
,
L1424
(
1998
).
12.
T.
Someya
,
R.
Werner
,
A.
Forchel
,
M.
Catalano
,
R.
Cingolani
, and
Y.
Arakawa
,
Science
285
,
1905
(
1999
).
13.
J. M.
Redwing
,
D. A. S.
Loeber
,
N. G.
Anderson
,
M. A.
Tischler
, and
J. S.
Flynn
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
1
(
1996
).
14.
H.
Benisty
,
H.
De Neve
, and
C.
Weisbuch
,
IEEE J. Quantum Electron.
34
,
1612
(
1998
);
H.
Benisty
,
H.
De Neve
, and
C.
Weisbuch
,
IEEE J. Quantum Electron.
34
,
1632
(
1998
).
15.
H. P. D.
Schenk
,
E.
Feltin
,
P.
Vennéguès
,
O.
Tottereau
,
M.
Laügt
,
M.
Vaille
,
B.
Beaumont
,
P.
de Mierry
,
P.
Gibart
,
S.
Fernández
, and
F.
Calle
,
Phys. Status Solidi A
188
,
899
(
2001
).
16.
A.
Fischer
,
H.
Kühne
, and
H.
Richter
,
Phys. Rev. Lett.
73
,
2712
(
1994
).
17.
R. Langer, Ph.D. Thesis, Université Joseph Fourier, Grenoble, 2000.
18.
P.
Vennéguès
,
B.
Beaumont
,
S.
Haffouz
,
M.
Vaille
, and
P.
Gibart
,
J. Cryst. Growth
187
,
167
(
1998
);
P.
Vennéguès
,
B.
Beaumont
,
S.
Haffouz
,
M.
Vaille
, and
P.
Gibart
,
Phys. Status Solidi A
176
,
677
(
1999
).
19.
M. Born and E. Wolf, Principles of Optics (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 1999), pp. 70–74.
20.
R. M. A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light (Elsevier, Amsterdam, 1996), pp. 269–340.
21.
D.
Brunner
,
H.
Angerer
,
E.
Bustarret
,
F.
Freudenberg
,
R.
Höpler
,
R.
Dimitrov
,
O.
Ambacher
, and
M.
Stutzmann
,
J. Appl. Phys.
82
,
5090
(
1997
).
22.
J. F.
Muth
,
J. D.
Brown
,
M. A. L.
Johnson
,
Z.
Yu
,
R. M.
Kolbas
,
J. W.
Cook
, Jr.
, and
J. F.
Schetzina
,
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.
4S1
,
G5
.
2
(
1999
).
23.
U.
Tisch
,
B.
Meyler
,
O.
Katz
,
E.
Finkman
, and
J.
Salzman
,
J. Appl. Phys.
89
,
2676
(
2001
).
24.
J. H. Edgar, Gallium Nitride and Related Semiconductors (INSPEC, London, 1999), pp. 27 and 388.
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.