Annealing behavior of vacancies and the Z1/2 levels in n-type 4H–SiC epilayers after 2 MeV electron irradiation has been studied using positron annihilation and deep-level transient spectroscopy. Isochronal annealing studies indicate that silicon vacancy-related defects are primarily responsible for positron trapping. The Z1/2 levels are the predominant deep centers after irradiation and subsequent annealing at 1200 °C. Both the positron-trapping rate at vacancies and the Z1/2 concentration decrease in a similar manner while annealing from 1200 to 1500 °C. It is thus proposed that the Z1/2 levels originate from silicon vacancy-related defects.

1.
T.
Dalibor
,
C.
Peppermüller
,
G.
Pensl
,
S.
Sridhara
,
R. P.
Devaty
,
W. J.
Choyke
,
A.
Itoh
,
T.
Kimoto
, and
H.
Matsunami
,
Inst. Phys. Conf. Ser.
142
,
517
(
1996
).
2.
C.
Hemmingsson
,
N. T.
Son
,
O.
Kordina
,
J. P.
Bergman
,
E.
Janzén
,
J. L.
Lindström
,
S.
Savage
, and
N.
Nordell
,
J. Appl. Phys.
81
,
6155
(
1997
).
3.
A. A.
Lebedev
,
A. I.
Veinger
,
D. V.
Davydov
,
V. V.
Kozlovski
,
N. S.
Savkina
, and
A. M.
Strel’chuk
,
J. Appl. Phys.
88
,
6265
(
2000
).
4.
L.
Storasta
,
F. H.
Carlsson
,
S. G.
Sridhara
,
J. P.
Bergman
,
A.
Henry
,
T.
Egilsson
,
A.
Hallén
, and
E.
Janzén
,
Appl. Phys. Lett.
78
,
46
(
2001
).
5.
T.
Frank
,
G.
Pensl
,
S.
Bai
,
R. P.
Devaty
, and
W. J.
Choyke
,
Mater. Sci. Forum
338-342
,
753
(
2000
).
6.
C.
Hemmingsson
,
N. T.
Son
, and
E.
Janzén
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
839
(
1999
).
7.
C.
Hemmingsson
,
N. T.
Son
,
A.
Ellison
,
J.
Zhang
, and
E.
Janzén
,
Phys. Rev. B
58
,
R10119
(
1998
).
8.
R.
Krause-Rehberg
and
H. S.
Leipner
,
Springer Ser. Solid-State Sci.
127
,
18
(
1998
).
9.
P.
Sperr
and
G.
Kögel
,
Mater. Sci. Forum
255-257
,
109
(
1997
).
10.
G.
Brauer
,
W.
Anward
,
E.-M.
Nicht
,
J.
Kuriplach
,
M.
Šob
,
N.
Wagner
,
P. G.
Poleman
,
M. J.
Puska
, and
T.
Korhonen
,
Phys. Rev. B
54
,
2512
(
1996
).
11.
A.
Kawasuso
,
F.
Redmann
,
R.
Krause-Rehberg
,
M.
Yoshikawa
,
K.
Kojima
, and
H.
Itoh
,
Phys. Status Solidi B
223
,
R8
(
2001
).
12.
T.
Staab
,
L. M.
Torpo
,
M. J.
Puska
, and
R. M.
Nieminen
,
Mater. Sci. Forum
353-356
,
533
(
2001
).
13.
A.
Kawasuso
,
H.
Itoh
,
N.
Morishita
,
M.
Yoshikawa
,
T.
Ohshima
,
I.
Nashiyama
,
S.
Okada
,
H.
Okumura
, and
S.
Yoshida
,
Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
67
,
209
(
1998
).
14.
H.
Itoh
,
A.
Kawasuso
,
T.
Ohshima
,
M.
Toshikawa
,
I.
Nashiyama
,
S.
Tanigawa
,
S.
Misawa
,
H.
Okumura
, and
S.
Yoshida
,
Phys. Status Solidi A
162
,
173
(
1997
).
15.
E.
Sörman
,
N. T.
Son
,
W. M.
Chen
,
O.
Kordina
,
C.
Hallin
, and
E.
Janzén
,
Phys. Rev. B
61
,
2613
(
2000
).
16.
A.
Kawasuso
,
F.
Redmann
,
R.
Krause-Rehberg
,
T.
Frank
,
M.
Weidner
,
G.
Pensl
,
H.
Itoh
, and
P.
Sperr
,
J. Appl. Phys.
90
,
3377
(
2001
).
17.
D.
Cha
,
H.
Itoh
,
N.
Morishita
,
A.
Kawasuso
,
T.
Ohshima
,
Y.
Watanabe
,
J.
Ko
,
K.
Lee
, and
I.
Nashiyama
,
Mater. Sci. Forum
264-268
,
615
(
1998
).
18.
S.
Dannefaer
,
D.
Craigen
, and
D.
Kerr
,
Phys. Rev. B
51
,
1928
(
1995
).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.