Forming gas anneals result in decomposition of and increase the leakage current of the capacitor. However, we show that 0.5% addition to the forming gas does not cause degradation of the capacitor, and can also enhance the performance of the transistor effectively. To correctly study the effect of a forming gas anneal on the capacitor, efforts should be made to avoid the possible diffusion from air into furnace.
REFERENCES
1.
2.
S. Y.
Hou
, J.
Kwo
, R. K.
Watts
, J.-Y.
Cheng
, and D. K.
Fork
, Appl. Phys. Lett.
67
, 1387
(1995
).3.
4.
S. Y.
Hou
, J.
Kwo
, R. K.
Watts
, J.-Y.
Cheng
, R. J.
Cava
, W. F.
Peck
, Jr., and D. K.
Fork
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
361
, 99
(1995
).5.
C. M.
Foster
, R.
Csencsits
, P. M.
Baldo
, G. R.
Bai
, Z.
Li
, L. E.
Rehn
, L. A.
Wills
, R.
Hiskes
, D.
Dimos
, and M. B.
Sinclair
, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
361
, 307
(1995
).6.
M.
Izuha
, K.
Abe
, M.
Koike
, S.
Takeno
, and N.
Fukushima
, Appl. Phys. Lett.
70
, 1405
(1997
).7.
8.
K. Hieda, K. Eguchi, N. Fukushima, T. Aoyama, K. Natori, M. Kiyotoshi, S. Yamazaki, M. Izuha, S. Niwa, Y. Fukuzumi, Y. Ishibashi, Y. Kohyama, T. Arikado, and K. Okumura, IEDM Tech. Dig., 807 (1998).
9.
J. F.
Scott
, M.
Azuma
, A. C.
Paz de Araujo
, L. D.
Mcmillan
, M. C.
Scott
, and Roberts
, Integr. Ferroelectr.
4
, 61
(1994
).10.
11.
C. S.
Hwang
, B. T.
Lee
, S. O.
Park
, J. W.
Kim
, H.-J.
Cho
, C. S.
Kang
, H.
Horii
, S. I.
Lee
, and M. Y.
Lee
, Integr. Ferroelectr.
13
, 137
(1996
).12.
Y.
Shimada
, Y.
Inone
, T.
Nasu
, K.
Arita
, Y.
Nagano
, A.
Matsuda
, Y.
Uemoto
, E.
Fujii
, M.
Azuma
, Y.
Oishi
, S.
Hayashi
, and T.
Otsuki
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
, 140
(1996
).13.
G. W.
Dietz
, M.
Schumacher
, R.
Waser
, S. K.
Streiffer
, C.
Basceri
, and A. I.
Kingon
, J. Appl. Phys.
82
, 2359
(1997
).14.
S.
Zafar
, R. E.
Jones
, B.
Jiang
, B.
White
, P.
Chu
, D.
Tayler
, and S.
Gillespie
, Appl. Phys. Lett.
73
, 3533
(1998
).15.
C. S.
Wang
, B. T.
Lee
, C. S.
Kang
, J. W.
Kim
, K. H.
Lee
, H.-J.
Cho
, H.
Horri
, W. D.
Kim
, S. I.
Lee
, Y. B.
Roh
, and M. Y.
Lee
, J. Appl. Phys.
83
, 3703
(1998
).16.
J. M.
Lee
, S. Y.
Kang
, J. C.
Shin
, W. J.
Kim
, C. S.
Hwang
, and H. J.
Kim
, Appl. Phys. Lett.
74
, 3489
(1999
).17.
P.-Y.
Lesaicherre
, S.
Yamamichi
, K.
Takemura
, H.
Yamaguchi
, K.
Tokashiki
, Y.
Miyasaka
, M.
Yoshida
, and H.
Ono
, Integr. Ferroelectr.
11
, 81
(1995
).18.
K.
Kishiro
, N.
Inoue
, S. C.
Chen
, and M.
Yoshimaru
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
37
, 1336
(1998
).19.
20.
K.
Kushida-Abdelghafar
, H.
Miki
, K.
Torii
, and Y.
Fujisaki
, Appl. Phys. Lett.
69
, 3188
(1996
).21.
22.
Y.
Shimamoto
, K.
Kushida-Abdelghafar
, H.
Miki
, and Y.
Fujisaki
, Appl. Phys. Lett.
70
, 3096
(1997
).23.
S.
Zafar
, V.
Kaushik
, P.
Leberge
, P.
Chu
, R. E.
Jones
, R. L.
Hance
, P.
Zucher
, B. E.
White
, D.
Taylor
, B.
Melnick
, and S.
Gillespie
, J. Appl. Phys.
82
, 4469
(1997
).24.
25.
26.
S.
Aggarwal
, S. R.
Perusse
, C. W.
Tipton
, R.
Ramesh
, H. D.
Drew
, T.
Venkatesan
, D. B.
Romero
, V. B.
Podobedov
, and A.
Weber
, Appl. Phys. Lett.
73
, 1973
(1998
).
This content is only available via PDF.
© 2000 American Institute of Physics.
2000
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.