Forming gas (3%H2+97%N2) anneals result in decomposition of SrRuO3 and increase the leakage current of the SrRuO3/(Ba, Sr)TiO3/SrRuO3 capacitor. However, we show that 0.5% O2 addition to the forming gas (3%H2+0.5%O2+96.5%N2) does not cause degradation of the SrRuO3/(Ba, Sr)TiO3/SrRuO3 capacitor, and can also enhance the performance of the transistor effectively. To correctly study the effect of a forming gas anneal on the SrRuO3/(Ba, Sr)TiO3/SrRuO3 capacitor, efforts should be made to avoid the possible O2 diffusion from air into furnace.

1.
Q. X.
Jia
,
X. D.
Wu
,
S. R.
Foltyn
, and
P.
Tiwari
,
Appl. Phys. Lett.
66
,
2197
(
1995
).
2.
S. Y.
Hou
,
J.
Kwo
,
R. K.
Watts
,
J.-Y.
Cheng
, and
D. K.
Fork
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1387
(
1995
).
3.
L. A.
Wills
and
J.
Amano
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
361
,
471
(
1995
).
4.
S. Y.
Hou
,
J.
Kwo
,
R. K.
Watts
,
J.-Y.
Cheng
,
R. J.
Cava
,
W. F.
Peck
, Jr.
, and
D. K.
Fork
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
361
,
99
(
1995
).
5.
C. M.
Foster
,
R.
Csencsits
,
P. M.
Baldo
,
G. R.
Bai
,
Z.
Li
,
L. E.
Rehn
,
L. A.
Wills
,
R.
Hiskes
,
D.
Dimos
, and
M. B.
Sinclair
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
361
,
307
(
1995
).
6.
M.
Izuha
,
K.
Abe
,
M.
Koike
,
S.
Takeno
, and
N.
Fukushima
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
1405
(
1997
).
7.
M.
Izuha
,
K.
Abe
, and
N.
Fukushima
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
36
,
5866
(
1997
).
8.
K. Hieda, K. Eguchi, N. Fukushima, T. Aoyama, K. Natori, M. Kiyotoshi, S. Yamazaki, M. Izuha, S. Niwa, Y. Fukuzumi, Y. Ishibashi, Y. Kohyama, T. Arikado, and K. Okumura, IEDM Tech. Dig., 807 (1998).
9.
J. F.
Scott
,
M.
Azuma
,
A. C.
Paz de Araujo
,
L. D.
Mcmillan
,
M. C.
Scott
, and
Roberts
,
Integr. Ferroelectr.
4
,
61
(
1994
).
10.
J. F.
Scott
,
Integr. Ferroelectr.
9
,
1
(
1995
).
11.
C. S.
Hwang
,
B. T.
Lee
,
S. O.
Park
,
J. W.
Kim
,
H.-J.
Cho
,
C. S.
Kang
,
H.
Horii
,
S. I.
Lee
, and
M. Y.
Lee
,
Integr. Ferroelectr.
13
,
137
(
1996
).
12.
Y.
Shimada
,
Y.
Inone
,
T.
Nasu
,
K.
Arita
,
Y.
Nagano
,
A.
Matsuda
,
Y.
Uemoto
,
E.
Fujii
,
M.
Azuma
,
Y.
Oishi
,
S.
Hayashi
, and
T.
Otsuki
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
35
,
140
(
1996
).
13.
G. W.
Dietz
,
M.
Schumacher
,
R.
Waser
,
S. K.
Streiffer
,
C.
Basceri
, and
A. I.
Kingon
,
J. Appl. Phys.
82
,
2359
(
1997
).
14.
S.
Zafar
,
R. E.
Jones
,
B.
Jiang
,
B.
White
,
P.
Chu
,
D.
Tayler
, and
S.
Gillespie
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
3533
(
1998
).
15.
C. S.
Wang
,
B. T.
Lee
,
C. S.
Kang
,
J. W.
Kim
,
K. H.
Lee
,
H.-J.
Cho
,
H.
Horri
,
W. D.
Kim
,
S. I.
Lee
,
Y. B.
Roh
, and
M. Y.
Lee
,
J. Appl. Phys.
83
,
3703
(
1998
).
16.
J. M.
Lee
,
S. Y.
Kang
,
J. C.
Shin
,
W. J.
Kim
,
C. S.
Hwang
, and
H. J.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
3489
(
1999
).
17.
P.-Y.
Lesaicherre
,
S.
Yamamichi
,
K.
Takemura
,
H.
Yamaguchi
,
K.
Tokashiki
,
Y.
Miyasaka
,
M.
Yoshida
, and
H.
Ono
,
Integr. Ferroelectr.
11
,
81
(
1995
).
18.
K.
Kishiro
,
N.
Inoue
,
S. C.
Chen
, and
M.
Yoshimaru
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
37
,
1336
(
1998
).
19.
J.
Lin
,
M.
Nakabayasi
,
A.
Tsukune
, and
M.
Yamada
,
Appl. Phys. Lett.
74
,
2370
(
1999
).
20.
K.
Kushida-Abdelghafar
,
H.
Miki
,
K.
Torii
, and
Y.
Fujisaki
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
3188
(
1996
).
21.
J.-P.
Han
and
T. P.
Ma
,
Appl. Phys. Lett.
71
,
1267
(
1997
).
22.
Y.
Shimamoto
,
K.
Kushida-Abdelghafar
,
H.
Miki
, and
Y.
Fujisaki
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
3096
(
1997
).
23.
S.
Zafar
,
V.
Kaushik
,
P.
Leberge
,
P.
Chu
,
R. E.
Jones
,
R. L.
Hance
,
P.
Zucher
,
B. E.
White
,
D.
Taylor
,
B.
Melnick
, and
S.
Gillespie
,
J. Appl. Phys.
82
,
4469
(
1997
).
24.
T.
Hase
,
T.
Noguchi
, and
Y.
Miyasaka
,
Integr. Ferroelectr.
6
,
81
(
1997
).
25.
N.
Ikarashi
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
1955
(
1998
).
26.
S.
Aggarwal
,
S. R.
Perusse
,
C. W.
Tipton
,
R.
Ramesh
,
H. D.
Drew
,
T.
Venkatesan
,
D. B.
Romero
,
V. B.
Podobedov
, and
A.
Weber
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
1973
(
1998
).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.