Si+ implant activation efficiencies above 90%, even at doses of 5×1015cm−2, have been achieved in GaN by rapid thermal processing at 1400–1500 °C for 10 s. The annealing system utilizes molybdenum intermetallic heating elements capable of operation up to 1900 °C, producing high heating and cooling rates (up to 100 °C s−1). Unencapsulated GaN shows severe surface pitting at 1300 °C and complete loss of the film by evaporation at 1400 °C. Dissociation of nitrogen from the surface is found to occur with an approximate activation energy of 3.8 eV for GaN (compared to 4.4 eV for AlN and 3.4 eV for InN). Encapsulation with either rf magnetron reactively sputtered or metal organic molecular beam epitaxy-grown AlN thin films provides protection against GaN surface degradation up to 1400 °C, where peak electron concentrations of ∼5×1020cm−3 can be achieved in Si-implanted GaN. Secondary ion mass spectrometry profiling showed little measurable redistribution of Si, suggesting DSi⩽10−13cm2 s−1 at 1400 °C. The implant activation efficiency decreases at higher temperatures, which may result from SiGa to SiN site switching and resultant self-compensation.

1.
S. C.
Binari
,
L. B.
Rowland
,
W.
Kruppa
,
G.
Kelner
,
K.
Doverspike
, and
D. K.
Gaskill
,
Electron. Lett.
30
,
1248
(
1994
).
2.
J. C.
Zolper
,
R. J.
Shul
,
A. G.
Baca
,
R. G.
Wilson
,
S. J.
Pearton
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
2273
(
1996
).
3.
J. C. Zolper, GaN and Related Materials (Gordon and Breach, New York, 1997).
4.
J. C.
Zolper
and
R. J.
Shul
,
MRS Bull.
22
,
36
(
1997
).
5.
J. C.
Zolper
,
M. H.
Crawford
,
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
C. B.
Vartuli
,
C.
Yuan
, and
R. A.
Stall
,
J. Electron. Mater.
25
,
839
(
1996
).
6.
J. C.
Zolper
,
R. G.
Wilson
,
S. J.
Pearton
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
1945
(
1996
).
7.
H. H.
Tan
,
J. S.
Williams
,
J.
Zou
,
D. J. H.
Cockayne
,
S. J.
Pearton
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
2364
(
1996
).
8.
J. C.
Zolper
,
M. H.
Crawford
,
H. H.
Tan
,
J. S.
Williams
,
J.
Zou
,
D. J. H.
Cockayne
,
S. J.
Pearton
, and
R. F.
Karlicek
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
2729
(
1997
).
9.
S.
Strite
,
P. W.
Epperlein
,
A.
Dommen
,
A.
Rockett
, and
R. F.
Broom
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
395
,
795
(
1996
).
10.
N.
Parikh
,
A.
Suvkhanov
,
M.
Lioubtchenko
,
E.
Carlson
,
M.
Bremser
,
D.
Bray
,
R.
Davis
, and
J.
Hunn
,
Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
127/128
,
463
(
1997
).
11.
J.
Burm
,
K.
Chu
,
W. A.
Davis
,
W. J.
Schaff
,
L. F.
Eastman
, and
T. J.
Eustis
,
Appl. Phys. Lett.
70
,
464
(
1997
).
12.
Q.
Chen
,
M. A.
Khan
,
J. W.
Yang
,
C. J.
Sun
,
M. S.
Shur
, and
H.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
794
(
1996
).
13.
Y.-F.
Wu
,
B. P.
Keller
,
S.
Keller
,
D.
Kapolnek
,
P.
Kozodoy
,
S. P.
DenBaars
, and
U. K.
Mishra
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
1438
(
1996
).
14.
N. X.
Nguyen
,
B. P.
Keller
,
S.
Keller
,
Y. F.
Wu
,
M.
Le
,
C.
Nguyen
,
S. P.
DenBaars
,
U. K.
Mishra
, and
D.
Grider
,
Electron. Lett.
33
,
334
(
1997
).
15.
H. P. Maruska (private communication).
16.
J. S.
Williams
,
Rep. Prog. Phys.
49
,
491
(
1986
).
17.
S. J.
Pearton
,
J. S.
Williams
,
K. T.
Short
,
S. T.
Johnson
,
D. C.
Jacobsen
,
J. M.
Poate
,
J. M.
Gibson
, and
D. O.
Boerma
,
J. Appl. Phys.
65
,
1089
(
1989
).
18.
H. H.
Tan
,
J. S.
Williams
,
J.
Zou
,
D. J. H.
Cockayne
,
S. J.
Pearton
,
J. C.
Zolper
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
72
,
1190
(
1998
).
19.
J. C.
Zolper
,
J.
Han
,
R. M.
Biefeld
,
S. B.
Van Deusen
,
W. R.
Wampler
,
S. J.
Pearton
,
J. S.
Williams
,
H. H.
Tan
,
R.
Karlicek
, and
R. A.
Stall
,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
468
, (
1997
).
20.
J. C.
Zolper
,
J.
Han
,
R. M.
Biefeld
,
S. B.
Van Deusen
,
W. R.
Wampler
,
D. J.
Reiger
,
S. J.
Pearton
,
J. S.
Williams
,
H. H.
Tan
, and
R.
Stall
,
J. Electron. Mater.
27
,
179
(
1998
).
21.
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
C. B.
Vartuli
,
J. C.
Zolper
,
C.
Yuan
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1435
(
1995
).
22.
S. Porowski and I. Grzegory, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997).
23.
N. Newman, in GaN, edited by J. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York 1998), Vol. I.
24.
J. C. Zolper, J. Han, S. B. Van Deusen, M. H. Crawford, R. M. Biefeld, J. Jun, T. Suski, J. M. Baranowski, and S. J. Pearton, 1997 Fall MRS Meeting, Boston, Dec. 1997.
25.
J. C.
Zolper
,
D. J.
Reiger
,
A. G.
Baca
,
S. J.
Pearton
,
J. W.
Lee
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
538
(
1996
).
26.
B. Molnar, H. B. Dietrich, O. W. Holland, and M. V. Rao, presented at 1997 Spring MRS Meeting, San Francisco, April 1997, paper D2.10.
27.
J. R.
Mileham
,
S. J.
Pearton
,
C. R.
Abernathy
,
J. D.
MacKenzie
,
R. J.
Shul
, and
S. P.
Kilcoyne
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
1119
(
1995
).
28.
J.
Hong
,
J. W.
Lee
,
J. D.
MacKenzie
,
S. M.
Donovan
,
C. R.
Abernathy
,
S. J.
Pearton
, and
J. C.
Zolper
,
Semicond. Sci. Technol.
12
,
1310
(
1997
).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.