Optical spectra of the bulk three-dimensional InGaN alloys were measured using the commercially available light-emitting diode devices and their wafers. The emission from undoped InxGa1−xN(x<0.1) was assigned to the recombination of excitons localized at the potential minima originating from the large compositional fluctuation. The emission from heavily impurity-doped InGaN was also pointed out related to the localized states.

1.
S.
Nakamura
,
T.
Mukai
, and
M.
Senoh
,
Appl. Phys. Lett.
64
,
1687
(
1994
);
S.
Nakamura
,
T.
Mukai
, and
M.
Senoh
,
J. Appl. Phys.
76
,
8189
(
1994
);
S.
Nakamura
,
J. Vac. Sci. Technol. A.
13
,
705
(
1995
).
2.
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
N.
Iwasa
,
S.
Nagahama
,
T.
Yamada
, and
T.
Mukai
,
Jpn. J. Appl. Phys. 1
34
,
L1334
(
1995
).
3.
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Jpn. J. Appl. Phys. 1
35
,
L74
(
1996
);
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Jpn. J. Appl. Phys. 1
35
,
L217
(
1996
);
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
3268
(
1996
);
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
1477
(
1996
);
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
1568
(
1996
);
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
3034
(
1996
);
S.
Nakamura
,
M.
Senoh
,
S.
Nagahama
,
N.
Iwasa
,
T.
Yamada
, and
T.
Nukai
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
4056
(
1996
).
4.
I.
Akasaki
,
S.
Sota
,
H.
Sakai
,
T.
Tanaka
,
M.
Koike
, and
H.
Amano
,
Electron. Lett.
32
,
1105
(
1996
).
5.
T.
Matsuoka
,
N.
Yoshimoto
,
T.
Sasaki
, and
A.
Katsui
,
J. Electron. Mater.
21
,
157
(
1992
);
T.
Matsuoka
,
N.
Yoshimoto
,
T.
Sasaki
, and
A.
Katsui
,
Appl. Phys. Lett.
59
,
2251
(
1991
);
T.
Matsuoka
,
N.
Yoshimoto
,
T.
Sasaki
, and
A.
Katsui
,
J. Cryst. Growth
124
,
433
(
1992
).
6.
S.
Nakamura
and
T.
Mukai
,
Jpn. J. Appl. Phys. 1
31
,
L1457
(
1992
).
7.
S.
Chichibu
,
M.
Kushibe
,
K.
Eguchi
,
M.
Funemizu
, and
Y.
Ohba
,
J. Appl. Phys.
68
,
859
(
1990
).
8.
C. K.
Sun
,
S.
Keller
,
G.
Wang
,
M. S.
Minski
,
J. E.
Bowers
, and
S. P.
DenBaars
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
1936
(
1996
).
9.
S.
Chichibu
,
T.
Azuhata
,
T.
Sota
, and
S.
Nakamura
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
4188
(
1996
).
10.
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. Rapid Commun. 55, R1938 (1997).
11.
C. I.
Harris
,
B.
Monemar
,
H.
Amano
, and
I.
Akasaki
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
840
(
1995
).
12.
T. Taguchi, T. Maeda, Y. Yamada, S. Nakamura, and G. Shinomiya, Proceedings of the International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Ohmsha, Tokyo, 1996, p. 372.
13.
M.
Smith
,
G. D.
Chen
.
J. Y.
Lin
.
H. X.
Jiang
,
M. A.
Kahn
, and
Q.
Chen
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
2837
(
1996
).
14.
W.
Shan
,
B. D.
Little
,
J. J.
Song
,
Z. C.
Feng
,
M.
Schuman
, and
R. A.
Stall
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
3315
(
1996
).
15.
C. J.
Sun
,
J. W.
Yang
,
Q.
Chen
,
B. W.
Lim
,
M. Z.
Anwar
,
M. A.
Kahn
,
T.
Temkin
,
D.
Weismann
, and
I.
Brenner
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
668
(
1996
).
16.
H. C.
Casey
, Jr.
,
J.
Muth
,
S.
Krishnankutty
, and
Z. M.
Zavada
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
2867
(
1996
).
17.
P.
Perlin
,
M.
Osinski
,
P. G.
Eliseev
,
V. A.
Smagley
,
J.
Mu
,
M.
Banas
, and
P.
Sartori
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
1680
(
1996
).
18.
D. E. Aspnes, Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 2, Chap. 4A, p. 109;
D. E.
Aspnes
,
Surf. Sci.
37
,
418
(
1973
).
19.
S.
Shirakata
and
S.
Chichibu
,
J. Appl. Phys.
80
,
2043
(
1996
).
20.
S.
Chichibu
,
T.
Azuhata
,
T.
Sota
, and
S.
Nakamura
,
J. Appl. Phys.
79
,
2784
(
1996
);
S.
Chichibu
,
A.
Shikanai
,
T.
Azuhata
,
T.
Sota
,
A.
Kuramata
,
K.
Horino
, and
S.
Nakamura
,
Appl. Phys. Lett.
68
,
3766
(
1996
).
21.
T.
Azuhata
,
T.
Sota
,
K.
Suzuki
, and
S.
Nakamura
,
J. Phys., Condens. Matter.
7
,
L129
(
1995
).
22.
H.-J.
Kwon
,
Y. H.
Lee
,
O.
Miki
,
H.
Yamano
, and
A.
Yoshida
,
Appl. Phys. Lett.
69
,
937
(
1996
).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.