Data are presented on deep‐oxide planar buried‐heterostructure AlGaAs–GaAs quantum well heterostructure laser diodes fabricated using a self‐aligned process that combines native oxide and impurity‐induced layer disordering (IILD) technologies. Silicon IILD intermixes the waveguide layers on either side of an active area stripe and allows ‘‘wet’’ oxidation to penetrate and create a low‐index (n∼1.7) deep‐oxide structure for electrical and optical confinement. Continuous‐wave (cw) threshold currents of ∼3.4 mA are measured for ∼3.5‐μm‐wide active regions (L∼250 μm), with maximum cw output powers greater than 29 mW/facet and external differential quantum efficiencies as high as 70% (300 K, uncoated facets).

1.
W. T.
Tsang
,
R. A.
Logan
, and
J. A.
Ditzenberger
,
Electron. Lett.
18
,
845
(
1982
).
2.
D. G.
Deppe
,
K. C.
Hsieh
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
R. D.
Burnham
, and
R. L.
Thornton
,
J. Appl. Phys.
58
,
4515
(
1985
).
3.
F. A.
Kish
,
S. J.
Caracci
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
J. M.
Dallesasse
, and
G. E.
Hofler
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
1765
(
1991
).
4.
W. X.
Zou
,
J. L.
Merz
,
R. J.
Fu
, and
C. S.
Hong
,
Electron. Lett.
27
,
1241
(
1991
).
5.
R. S.
Burton
,
T. E.
Schlesinger
,
D. J.
Holmgren
,
S. C.
Smith
, and
R. D.
Burnham
,
J. Appl. Phys.
73
,
2015
(
1993
).
6.
M.
Ogura
,
Z. Y.
Chen
,
H.
Kaneko
,
S.
Fujii
,
H.
Itoh
,
M.
Mori
,
M.
Wantabe
,
S.
Mukai
, and
H.
Yajima
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
3417
(
1993
).
7.
E. C.
Vail
,
S. F.
Lim
,
V. A.
Wu
,
D. A.
Francis
,
C. J.
Chang-Hasnain
,
R.
Bhat
, and
C.
Caneau
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
2183
(
1993
).
8.
T. M.
Cockerill
,
D. B.
Forbes
,
J. A.
Dantzig
, and
J. J.
Coleman
,
IEEE J. Quantum Electron.
30
,
441
(
1994
).
9.
W. D.
Laidig
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
M. D.
Camras
,
K.
Hess
,
J. J.
Coleman
,
P. D.
Dapkus
, and
J.
Bardeen
,
Appl. Phys. Lett.
38
,
776
(
1981
).
10.
D. G.
Deppe
and
N.
Holonyak
, Jr.
,
J. Appl. Phys.
64
,
R93
(
1988
).
11.
J. M.
Dallesasse
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
A. R.
Sugg
,
T. A.
Richard
, and
N.
El-Zein
,
Appl. Phys. Lett.
57
,
2844
(
1990
).
12.
J. M.
Dallesasse
and
N.
Holonyak
, Jr.
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
394
(
1991
).
13.
S. J.
Caracci
,
F. A.
Kish
,
N.
Holonyak
, Jr.
, and
S. A.
Maranowski
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
321
(
1992
).
14.
F. A.
Kish
,
S. J.
Caracci
,
S. A.
Maranowski
, and
N.
Holonyak
, Jr.
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
1582
(
1992
).
15.
S. J.
Caracci
,
M. R.
Krames
,
M. J.
Ries
, and
N.
Holonyak
, Jr.
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
1818
(
1993
).
16.
S. J.
Caracci
,
M. R.
Krames
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
C. M.
Herzinger
,
A. C.
Crook
,
T. A.
DeTemple
, and
P.-A.
Besse
,
Appl. Phys. Lett.
63
,
2265
(
1993
).
17.
S. A.
Maranowski
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
T. A.
Richard
, and
F. A.
Kish
,
Appl. Phys. Lett.
62
,
2087
(
1993
).
18.
D. G.
Deppe
,
W. E.
Plano
,
J. M.
Dallesasse
,
D. C.
Hall
,
L. J.
Guido
, and
N.
Holonyak
, Jr.
,
Appl. Phys. Lett.
52
,
825
(
1988
).
19.
F. A.
Kish
,
S. A.
Maranowski
,
G. E.
Höfler
,
N.
Holonyak
, Jr.
,
S. J.
Caracci
,
J. M.
Dallesasse
, and
K. C.
Hsieh
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
3165
(
1992
).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.