Reflection high‐energy electron diffraction intensity oscillations during gas source molecular beam epitaxy growth of Si1−xGex using disilane and germane are reported. Transient changes of the oscillation period and hence the growth rate are observed during the growth. Their origin is discussed on the basis of hydrogen desorption kinetics on the alloy surface and attributed to Ge surface segregation effects at the growth interface. This observation provides a unique opportunity for insitu investigations with monolayer‐scale resolution, of Ge segregation effects in Si/Si1−xGex heterostructures.

1.
G. L.
Patton
,
J. H.
Comfort
,
B. S.
Meyerson
,
E. F.
Crabbe
,
G. J.
Scilla
,
E.
de Fresart
,
J. M. S.
Stork
,
J. Y.-C.
Sun
,
D. L.
Harame
, and
J. N.
Burghartz
,
IEEE Electron Device Lett.
EDL-11
,
171
(
1990
).
2.
U.
König
,
A. J.
Boers
,
E.
Schäffler
, and
E.
Kasper
,
Electron Lett.
28
,
160
(
1992
).
3.
J. C.
Bean
,
L. C.
Feldman
,
A. T.
Fiory
,
S.
Nakahara
, and
I. K.
Robinson
,
J. Vac. Sci. Technol. A
2
,
436
(
1984
).
4.
J. C.
Bean
,
J. Cryst. Growth
81
,
411
(
1987
).
5.
H.
Hirayama
,
M.
Hiroi
,
K.
Koyama
, and
T.
Tatsumi
,
J. Cryst. Growth
105
,
46
(
1990
).
6.
W. K.
Liu
,
S. M.
Mokler
,
N.
Ohtani
,
C.
Roberts
, and
B. A.
Joyce
,
Surf. Sci.
264
,
301
(
1992
).
7.
S.
Mokler
,
W. K.
Liu
,
N.
Ohtani
, and
B. A.
Joyce
,
J. Vac. Sci. Technol. A
10
,
1846
(
1992
).
8.
W. K.
Liu
,
S. M.
Mokler
,
N.
Ohtani
,
J.
Zhang
, and
B. A.
Joyce
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
56
(
1992
).
9.
T.
Sakamoto
,
T.
Kawamura
,
S.
Nagao
,
G.
Hashiguchi
,
K.
Sakamoto
, and
K.
Kuniyoshi
,
J. Cryst. Growth
81
,
59
(
1987
).
10.
E.
Müller
,
H.-U.
Nissen
,
M.
Ospelt
, and
H.
von Känel
,
Phys. Rev. Lett.
63
,
1819
(
1989
).
11.
M.
Copel
,
M. C.
Reuter
,
E.
Kaxiras
, and
R. M.
Tromp
,
Phys. Rev. Lett.
63
,
632
(
1989
).
12.
G.
Abstreiter
,
K.
Eberl
,
E.
Friess
,
W.
Wegscheider
, and
R.
Zachai
,
J. Cryst. Growth
95
,
431
(
1989
).
13.
P. C.
Zalm
,
G. F. A.
van de Walle
,
D. J.
Gravesteijn
, and
A. A.
van Gorkum
,
Appl. Phys. Lett.
55
,
2520
(
1989
).
14.
S. S.
Iyer
,
J. C.
Tsang
,
M. W.
Copel
,
P. R.
Pukite
, and
R. M.
Tromp
,
Appl. Phys. Lett.
54
,
219
(
1989
).
15.
E. T.
Croke
,
T. C.
McGill
,
R. J.
Hauenstein
, and
R. H.
Miles
,
Appl. Phys. Lett.
56
,
367
(
1990
).
16.
K.
Fujita
,
S.
Fukatsu
,
H.
Yaguchi
,
T.
Igarashi
,
Y.
Shiraki
, and
R.
Ito
,
Jpn. J. Appl. Phys.
29
,
L1981
(
1990
).
17.
B. S.
Meyerson
,
K. J.
Uram
, and
F. K.
LeGoues
,
Appl. Phys. Lett.
53
,
2555
(
1988
).
18.
M.
Kato
,
J.
Murota
, and
S.
Ono
,
J. Cryst. Growth
115
,
117
(
1991
).
19.
S. M.
Mokler
,
N.
Ohtani
,
M. H.
Xie
,
J.
Zhang
, and
B. A.
Joyce
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
2548
(
1992
).
20.
A.
Ishizaka
and
Y.
Shiraki
,
J. Electrochem. Soc.
133
,
666
(
1986
).
21.
M.
Liehr
,
C. M.
Greenlief
,
M.
Offenberg
, and
S. R.
Kasi
,
J. Vac. Sci. Technol. A
8
,
2960
(
1990
).
22.
S. M.
Mokler
,
N.
Ohtani
,
M. H.
Xie
,
J.
Zhang
, and
B. A.
Joyce
,
J. Cryst. Growth
284
,
305
(
1993
).
23.
N.
Ohtani
,
S. M.
Mokler
,
M. H.
Xie
,
J.
Zhang
, and
B. A.
Joyce
,
Surf. Sci.
284
,
305
(
1993
).
24.
S. M.
Gates
and
S. K.
Kulkarni
,
Appl. Phys. Lett.
58
,
2963
(
1991
).
25.
S. M.
Mokler
,
W. K.
Liu
,
N.
Ohtani
,
J.
Zhang
, and
B. A.
Joyce
,
Surf. Sci.
275
,
16
(
1992
).
26.
M.
Hiroi
,
K.
Koyama
,
T.
Tatsumi
, and
H.
Hirayama
,
Appl. Phys. Lett.
60
,
1723
(
1992
).
27.
K.
Sinniah
,
M. G.
Sherman
,
L. B.
Lewis
,
W. H.
Weinberg
,
J. T.
Yates
, Jr.
, and
K. C.
Janda
,
Phys. Rev. Lett.
62
,
567
(
1989
).
28.
L.
Surnev
and
M.
Tikhov
,
Surf. Sci.
138
,
40
(
1984
).
29.
K.
Nakagawa
and
M.
Miyao
,
J. Appl. Phys.
69
,
3058
(
1991
).
30.
S.
Fukatsu
,
K.
Fujita
,
H.
Yaguchi
,
Y.
Shiraki
, and
R.
Ito
,
Appl. Phys. Lett.
59
,
2103
(
1991
).
31.
J. J.
Harris
,
D. E.
Ashenford
,
C. T.
Foxon
,
P. J.
Dobson
, and
B. A.
Joyce
,
Appl. Phys. A
33
,
87
(
1984
).
32.
D. J.
Godbey
and
M. G.
Ancona
,
Appl. Phys. Lett.
61
,
2217
(
1992
).
This content is only available via PDF.
You do not currently have access to this content.