We report the successful fabrication of ZnSe p‐n junction light‐emitting diodes in which Li and Cl are used as p‐type and n‐type dopants, respectively.
REFERENCES
1.
T.
Yasuda
, I.
Matsuishi
, and H.
Kukimoto
, Appl. Phys. Lett.
52
, 57
(1988
).2.
3.
M. A.
Haase
, H.
Cheng
, J. M.
Depuydt
, and J. E.
Potts
, J. Appl. Phys.
67
, 448
(1990
).4.
5.
T.
Mitsuyu
, K.
Ohkawa
, and O.
Yamazaki
, Appl. Phys. Lett.
49
, 1348
(1986
).6.
H.
Cheng
, J.
Depuydt
, J.
Potts
, and T.
Smith
, Appl. Phys. Lett.
52
, 147
(1987
).7.
J.
DePuydt
, T.
Smith
, J.
Potts
, H.
Cheng
, and S.
Mohapatra
, J. Cryst. Growth
86
, 318
(1988
).8.
9.
J.
DePuydt
, M.
Haase
, H.
Cheng
, and J.
Potts
, Appl. Phys. Lett.
55
, 1103
(1989
).10.
S.
Shibli
, M.
Tamargo
, B.
Skromme
, S.
Schwartz
, C.
Schwartz
, R.
Nahory
, and R.
Martin
, J. Vac. Sci. Technol. B
8
, 187
(1990
).11.
T.
Yao
, T.
Sera
, Y.
Makita
, and S.
Maekawa
, Surf. Sci.
86
, 120
(1979
).12.
T.
Niina
, T.
Minato
, and K.
Yoneda
, Jpn. J. Appl. Phys.
21
, L387
(1982
).13.
K.
Ohkawa
, T.
Mitsuyu
, and O.
Yamazaki
, J. Appl. Phys.
62
, 3216
(1987
).14.
J.
Cheng
, J.
Depuydt
, J.
Potts
, and M.
Haase
, J. Cryst. Growth
95
, 512
(1988
).15.
M.
Vasiri
, R.
Reifenberger
, R. L.
Gunshor
, L.
Kolodziejski
, S.
Venkatasan
, and R.
Pierrel
, J. Vac. Sci. Technol. B
7
, 253
(1989
).16.
J. W.
Cook
, Jr., D. B.
Eason
, and K. A.
Harris
, J. Vac. Sci. Technol. B
8
, 196
(1990
).17.
D. A.
Cammack
, K.
Shahzad
, and T.
Marshall
, Appl. Phys. Lett.
56
, 845
(1990
).18.
19.
L.
Kassel
, H.
Abad
, J. W.
Garland
, P. M.
Raccah
, J. E.
Potts
, M. A.
Haase
, and H.
Cheng
, Appl. Phys. Lett.
56
, 42
(1990
).20.
S. P.
Kowalczyk
, E. A.
Kraut
, M. R.
Waldrop
, and R. W.
Grant
, J. Vac. Sci. Technol.
21
, 482
(1982
).21.
M. Haase and H. Cheng, DARPA/URI Workshop on Wide Band Gap II‐VI Materials, Newport, RI, 1990.
This content is only available via PDF.
© 1990 American Institute of Physics.
1990
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
