Upon initiation of growth by molecular beam epitaxy, reflectance‐difference (RD) signals for (001)GaAs and AlAs surfaces exhibit a cyclic component that is periodic with (001) atomic bilayer coverage and that follows either surface structure or surface chemistry (coverage), depending on measurement wavelength. These RD oscillations may be phase shifted with respect to their reflection high‐energy electron diffraction counterparts, depending on deposition conditions.
REFERENCES
1.
J. J.
Harris
, B. A.
Joyce
, and P. J.
Dobson
, Surf. Sci.
103
, L90
(1981
).2.
J. H.
Neave
, B. A.
Joyce
, P. J.
Dobson
, and N.
Norton
, Appl. Phys. A
31
, 1
(1983
).3.
J. H.
Neave
, P. J.
Dobson
, B. A.
Joyce
, and J.
Zhang
, Appl. Phys. Lett.
47
, 100
(1985
).4.
B. F.
Lewis
, F. J.
Grunthaner
, A.
Madhukar
, T. C.
Lee
, and R.
Fernandez
, J. Vac. Sci. Technol. B
3
, 1317
(1985
).5.
B. A.
Joyce
, P. J.
Dobson
, J. H.
Neave
, and J.
Zhang
, Surf. Sci.
174
, 1
(1986
).6.
P. I.
Cohen
, P. R.
Pukite
, J. M.
Van Hove
, and C. S.
Lent
, J. Vac. Sci. Technol. A
4
, 1251
(1986
).7.
8.
A.
Madhukar
, P.
Chen
, F.
Voillot
, M.
Thomson
, J. Y.
Kim
, W. C.
Tang
, and S. V.
Ghaisas
, J. Cryst. Growth
81
, 26
(1987
).9.
H.
Sugiura
, M.
Kawashima
, and Y.
Horikoshi
, J. Cryst. Growth
81
, 9
(1987
).10.
T. H.
Chiu
, W. T.
Tsang
, J. E.
Cunningham
, and A.
Robertson
, Jr., J. Appl. Phys.
62
, 2302
(1987
).11.
B. F.
Lewis
, R.
Fernandez
, A.
Madhukar
, and F. J.
Grunthaner
, J. Vac. Sci. Technol. B
4
, 560
(1986
).12.
T.
Sakamoto
, H.
Funabashi
, K.
Ohta
, T.
Nakagawa
, N. J.
Kawai
, and T.
Kojima
, Jpn. J. Appl. Phys.
23
, L657
(1984
).13.
F.
Briones
, D.
Golmayo
, L.
Gonzalez
, and J. L.
de Miguel
, Jpn. J. Appl. Phys.
24
, L478
(1985
).14.
F.
Briones
, D.
Golmayo
, L.
Gonzalez
, and A.
Ruiz
, J. Cryst. Growth
81
, 19
(1987
).15.
F.
Voillot
, A.
Madhukar
, J. Y.
Kim
, P.
Chen
, N. M.
Cho
, W. C.
Tang
, and P. G.
Newman
, Appl. Phys. Lett.
48
, 1009
(1986
).16.
B. F.
Lewis
, T. C.
Lee
, F. J.
Grunthaner
, A.
Madhukar
, R.
Fernandez
, and J.
Maserjian
, J. Vac. Sci. Technol. B
2
, 419
(1984
).17.
T.
Sakamoto
, K.
Funabashi
, K.
Ohta
, T.
Nakagawa
, N. J.
Kawai
, T.
Kojima
, and Y.
Bando
, Superlatt. Microstruct.
1
, 347
(1985
).18.
B. A.
Joyce
, P. J.
Dobson
, J. H.
Neave
, K.
Woodbridge
, J.
Zhang
, P. K.
Larsen
, and B.
Bölger
, Surf. Sci.
158
, 423
(1986
).19.
L. P.
Erickson
, M. D.
Longerbone
, R. C.
Youngman
, and B. E.
Dies
, J. Cryst. Growth
81
, 55
(1987
).20.
J. N.
Eckstein
, C.
Webb
, S.‐L.
Weng
, and K. A.
Bertness
, Appl. Phys. Lett.
51
, 1833
(1987
).21.
D. E.
Aspnes
, J. P.
Harbison
, A. A.
Studna
, and L. T.
Florez
, Phys. Rev. Lett.
59
, 1687
(1987
).22.
J. P.
Harbison
, D. E.
Aspnes
, A. A.
Studna
, and L. T.
Fiorez
, J. Vac. Sci. Technol. B
6
, 740
(1988
).23.
D. E.
Aspnes
, J. P.
Harbison
, A. A.
Studna
, and L. T.
Florez
, Appl. Phys. Lett.
52
, 957
(1988
).24.
D. E.
Aspnes
, J. P.
Harbison
, A. A.
Studna
, and L. T.
Florez
, J. Vac. Sci. Technol. A
6
, 1327
(1988
).25.
J.
Zhang
, J. H.
Neave
, P. J.
Dobson
, and B. A.
Joyce
, Appl. Phys. A
42
, 317
(1987
).26.
H. H.
Farrell
, J. P.
Harbison
, and L. D.
Peterson
, J. Vac. Sci. Technol. B
5
, 1482
(1987
).27.
J. P.
Harbison
and H. H.
Farrell
, J. Vac. Sci. Technol. B
6
, 733
(1988
).
This content is only available via PDF.
© 1988 American Institute of Physics.
1988
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.
