Interface traps generally are not considered to be likely sources of low-frequency (LF) noise and/or random telegraph noise (RTN) in metal–oxide–semiconductor (MOS) devices because the longer carrier exchange times of border traps are more consistent with experimental observations. In contrast, correlated mobility fluctuations due to remote Coulomb scattering from charged border traps cannot explain the unexpectedly large LF noise and/or RTN observed in some MOS devices. In this Letter it is proposed that equilibrium fluctuations in interface-trap concentrations caused by hydrogen-induced activation and passivation reactions can lead to enhanced LF noise and RTN. This mechanism adds to other noise sources, including border traps, random dopants, and bulk-Si defect clusters.
REFERENCES
1.
A. L.
McWhorter
, in Semiconductor Surface Physics
(
University Pennsylvania Press
,
Philadelphia
, 1957
), pp. 207
–228
.2.
C. T.
Sah
and
F. H.
Hielscher
, Phys. Rev. Lett.
17
, 956
(1966
).3.
S. T.
Hsu
,
D. J.
Fitzgerald
, and
A. S.
Grove
, Appl. Phys. Lett.
12
, 287
(1968
).4.
S.
Christenson
,
I.
Lundstrom
, and
C.
Svennson
, Solid-State Electron.
11
, 797
(1968
).5.
F. N.
Hooge
, Phys. Lett. A
29
, 139
(1969
).6.
A.
van der Ziel
, Adv. Electron. Electron Phys.
49
, 225
(1979
).7.
M. B.
Weissman
, Physica B
100
, 157
(1980
).8.
P.
Dutta
and
P. M.
Horn
, Rev. Mod. Phys.
53
, 497
(1981
).9.
F. N.
Hooge
,
T. G. M.
Kleinpenning
, and
L. K. J.
Vandamme
, Rep. Prog. Phys.
44
, 479
(1981
).10.
M. B.
Weissman
, Rev. Mod. Phys.
60
, 537
(1988
).11.
M. J.
Kirton
and
M. J.
Uren
, Adv. Phys.
38
, 367
(1989
).12.
M. J.
Kirton
,
M. J.
Uren
,
S.
Collins
,
M.
Schulz
,
A.
Karmann
, and
K.
Scheffer
, Semicond. Sci. Technol.
4
, 1116
(1989
).13.
A.
Jayaraman
and
C. G.
Sodini
, IEEE Trans. Electron Devices
36
, 1773
(1989
).14.
K. K.
Hung
,
P. K.
Ko
,
C.
Hu
, and
Y. C.
Cheng
, IEEE Trans. Electron Devices
37
, 654
(1990
).15.
G.
Ghibaudo
,
O.
Roux
,
C.
Nguyen-Duc
,
F.
Balestra
, and
J.
Brini
, Phys. Status Solidi A
124
, 571
(1991
).16.
L. K. J.
Vandamme
,
X. S.
Li
, and
D.
Rigaud
, IEEE Trans. Electron Devices
41
, 1936
(1994
).17.
J. H.
Scofield
,
N.
Borland
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Electron Devices
41
, 1946
(1994
).18.
D. M.
Fleetwood
,
T. L.
Meisenheimer
, and
J. H.
Scofield
, IEEE Trans. Electron Devices
41
, 1953
(1994
).19.
G.
Ghibaudo
and
T.
Boutchacha
, Microelectron. Reliab.
42
, 573
(2002
).20.
J.
Xu
and
M. J.
Deen
, Electron. Lett.
38
, 429
(2002
).21.
D. M.
Fleetwood
,
H. D.
Xiong
,
Z. Y.
Lu
,
C. J.
Nicklaw
,
J. A.
Felix
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
49
, 2674
(2002
).22.
T.
Grasser
, Microelectron. Reliab.
52
, 39
(2012
).23.
E. G.
Ioannidis
,
C. A.
Dimitriadis
,
S.
Haendler
,
R. A.
Bianchi
,
J.
Jomaah
, and
G.
Ghibaudo
, Solid-State Electron.
76
, 54
(2012
).24.
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
62
, 1462
(2015
).25.
D. M.
Fleetwood
, in Noise in Nanoscale Semiconductor Devices
, edited by
T.
Grasser
(
Springer
,
New York
, 2020
), pp. 1
–31
.26.
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
67
, 1216
(2020
).27.
28.
J.
Bernamont
, Ann. Phys.
11
, 71
(1937
).29.
A.
van der Ziel
, Physica
16
, 359
(1950
).30.
C.
Surya
and
T. Y.
Hsiang
, Phys. Rev. B
33
, 4898
(1986
).31.
C.
Theodorou
and
G.
Ghibaudo
, in Noise in Nanoscale Semiconductor Devices
, edited by
T.
Grasser
(
Springer
,
New York
, 2020
), pp. 33
–85
.32.
T. L.
Meisenheimer
and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
37
, 1696
(1990
).33.
T. L.
Meisenheimer
,
D. M.
Fleetwood
,
M. R.
Shaneyfelt
, and
L. C.
Riewe
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
38
, 1297
(1991
).34.
M. H.
Tsai
and
T. P.
Ma
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
39
, 2178
(1992
).35.
D. M.
Fleetwood
,
P. S.
Winokur
,
R. A.
Reber
, Jr.
,
T. L.
Meisenheimer
,
J. R.
Schwank
,
M. R.
Shaneyfelt
, and
L. C.
Riewe
, J. Appl. Phys.
73
, 5058
(1993
).36.
D. M.
Fleetwood
,
M. R.
Shaneyfelt
, and
J. R.
Schwank
, Appl. Phys. Lett.
64
, 1965
(1994
).37.
D. M.
Fleetwood
,
M. R.
Shaneyfelt
,
W. L.
Warren
,
J. R.
Schwank
,
T. L.
Meisenheimer
, and
P. S.
Winokur
, Microelectron. Reliab.
35
, 403
(1995
).38.
J. H.
Scofield
,
T. P.
Doerr
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
36
, 1946
(1989
).39.
D. M.
Fleetwood
and
J. H.
Scofield
, Phys. Rev. Lett.
64
, 579
(1990
).40.
D. M.
Fleetwood
,
W. L.
Warren
,
M. R.
Shaneyfelt
,
R. A. B.
Devine
, and
J. H.
Scofield
, J. Non-Cryst. Solids
187
, 199
(1995
).41.
T.
Grasser
,
B.
Kaczer
,
W.
Goes
,
H.
Reisinger
,
T.
Aichinger
,
P.
Hehenberger
,
P. J.
Wagner
,
F.
Schanovsky
,
J.
Franco
,
M. T.
Luque
, and
M.
Nehliebel
, IEEE Trans. Electron Devices
58
, 3652
(2011
).42.
W.
Goes
,
Y.
Wimmer
,
A.-M.
El-Sayeda
,
G.
Rzepaa
,
M.
Jecha
,
A. L.
Shluger
, and
T.
Grasser
, Microelectron. Reliab.
87
, 286
(2018
).43.
B.
Cardoso Paz
,
M.
Cassé
,
C.
Theodorou
,
G.
Ghibaudo
,
T.
Kammler
,
L.
Pirro
,
M.
Vinet
,
S.
de Franceschi
,
T.
Meunier
, and
F.
Gaillard
, IEEE Trans. Electron Devices
67
, 4563
(2020
).44.
T. A.
Oproglidis
,
T. A.
Karatsori
,
C. G.
Theodorou
,
A.
Tsormpatzoglou
,
S.
Barraud
,
G.
Ghibaudo
, and
C. A.
Dimitriadis
, IEEE Trans. Device Mater. Reliab.
21
, 348
(2021
).45.
R.
Kom Kammeugne
,
C.
Theodorou
,
C.
Leroux
,
L.
Vauche
,
X.
Mescot
,
R.
Gwoziecki
,
S.
Becu
,
M.
Charles
,
E.
Bano
, and
G.
Ghibaudo
, Solid-State Electron.
200
, 108555
(2023
).46.
K. S.
Ralls
,
W. J.
Skocpol
,
L. D.
Jackel
,
R. E.
Howard
,
L. A.
Fetter
,
R. W.
Epworth
, and
D. M.
Tennant
, Phys. Rev. Lett.
52
, 228
(1984
).47.
M. E.
Welland
and
R. H.
Koch
, Appl. Phys. Lett.
48
, 724
(1986
).48.
S. C.
Sun
and
J. D.
Plummer
, IEEE Trans. Electron Devices
27
, 1497
(1980
).49.
P.
Morfouli
,
G.
Ghibaudo
,
T.
Ouisse
,
E.
Vogel
,
W.
Hill
,
V.
Misra
,
P.
McLarty
, and
J. J.
Wortman
, IEEE Electron Device Lett.
17
, 395
(1996
).50.
C.-L.
Lin
,
C.-H.
Soh
,
W.-K.
Yeh
,
C.-T.
Lin
,
C.-M.
Wu
, in
Y.-H.
Yang
,
W.-Y.
Chang
, and
Y.-L.
Huang
, in Proceedings of the IEEE 8th Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
,
Tainan, Taiwan
, October 6–9, 2013
.51.
C. G.
Theodorou
,
E. G.
Ioannidis
,
F.
Andrieu
,
T.
Poiroux
,
O.
Faynot
,
C. A.
Dimitriadis
, and
G.
Ghibaudo
, IEEE Trans. Electron Devices
61
, 1161
(2014
).52.
J. H.
Scofield
,
N.
Borland
, and
D. M.
Fleetwood
, Appl. Phys. Lett.
76
, 3248
(2000
).53.
C. D.
Liang
,
R.
Ma
,
Y.
Su
,
A.
O'Hara
,
E. X.
Zhang
,
M. L.
Alles
,
P.
Wang
,
S. E.
Zhao
,
S. T.
Pantelides
,
S. J.
Koester
,
R. D.
Schrimpf
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
65
, 1227
(2018
).54.
D. M.
Fleetwood
and
N.
Giordano
, Phys. Rev. B
31
, 1157
(1985
).55.
Z.
Celik-Butler
,
P.
Vasina
, and
N. V.
Amarasinghe
, IEEE Trans. Electron Devices
47
, 646
(2000
).56.
E.
Simoen
,
B.
Kaczer
,
M.
Toledano-Luque
, and
C.
Claeys
, ECS Trans.
39
, 3
(2011
).57.
M.
Gorchichko
,
E. X.
Zhang
,
P.
Wang
,
S.
Bonaldo
,
R. D.
Schrimpf
,
R. A.
Reed
,
D.
Linten
,
J.
Mitard
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
68
, 687
(2021
).58.
T.
Grasser
,
H.
Reisinger
,
P.-J.
Wagner
, and
B.
Kaczer
, Phys. Rev. B
82
, 245318
(2010
).59.
C. X.
Zhang
,
X.
Shen
,
E. X.
Zhang
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
,
S. A.
Francis
,
T.
Roy
,
S.
Dhar
,
S. H.
Ryu
, and
S. T.
Pantelides
, IEEE Trans. Electron Devices
60
, 2361
(2013
).60.
C.
Schleich
,
D.
Waldhoer
,
K.
Waschneck
,
M. W.
Feil
,
H.
Reisinger
,
T.
Grasser
, and
M.
Waltl
, IEEE Trans. Electron Devices
68
, 4016
(2021
).61.
F. W.
Sexton
and
J. R.
Schwank
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
32
, 3975
(1985
).62.
K. F.
Galloway
,
M.
Gaitan
, and
T. J.
Russell
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
31
, 1497
(1984
).63.
D. M.
Fleetwood
, Appl. Phys. Lett.
55
, 466
(1989
).64.
F. B.
McLean
and
H. E.
Boesch
, Jr.
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
36
, 1772
(1989
).65.
D. M.
Fleetwood
,
M. R.
Shaneyfelt
,
J. R.
Schwank
,
P. S.
Winokur
, and
F. W.
Sexton
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
36
, 1816
(1989
).66.
D.
Zupac
,
K. F.
Galloway
,
P.
Khosropour
,
S. R.
Anderson
, and
R. D.
Schrimpf
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
40
(6
), 1307
(1993
).67.
T. R.
Oldham
and
F. B.
McLean
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
50
, 483
(2003
).68.
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
60
, 1706
(2013
).69.
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
39
, 269
(1992
).70.
M. A.
Jupina
and
P. M.
Lenahan
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
36
, 1800
(1989
).71.
E.
Simoen
,
B.
Dierickx
,
C. L.
Claeys
, and
G. J.
Declerck
, IEEE Trans. Electron Devices
39
, 422
(1992
).72.
D. J.
Frank
and
H.
Miki
, in Bias Temperature Instability for Devices and Circuits
, edited by
T.
Grasser
(
Springer
,
New York
,
NY
, 2014
), pp. 111
–134
.73.
S. S.
Chung
and
E. R.
Shieh
, in Noise in Nanoscale Semiconductor Devices
, edited by
T.
Grasser
. (
Springer
,
New York
, 2020
), pp. 175
–200
.74.
A.
Asenov
,
A. R.
Brown
,
J. H.
Davies
,
S.
Kaya
, and
G.
Slavcheva
, IEEE Trans. Electron Devices
50
, 1837
(2003
).75.
N.
Tega
,
H.
Miki
,
M.
Yamaoka
,
H.
Kume
,
T.
Mine
,
T.
Ishida
,
Y.
Mori
,
R.
Yamada
, and
K.
Torii
, in Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Phoenix, AZ, April 27–May 1
(IEEE, 2008
), pp. 541
–546
.76.
J. P.
Campbell
,
L. C.
Yu
,
K. P.
Cheung
,
J.
Qin
,
J. S.
Suehle
,
A.
Oates
, and
K.
Sheng
, in IEEE International Conference on IC Design and Technology, Austin, TX, May 18–20
(IEEE, 2009
), pp. 17
–20
.77.
V.
Goiffon
,
G. R.
Hopkinson
,
P.
Magnan
,
F.
Bernard
,
G.
Rolland
, and
O.
Saint-Pe
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
56
, 2132
(2009
).78.
V.
Goiffon
,
P.
Magnan
,
P.
Martin-Gonthier
,
C.
Virmontois
, and
M.
Gaillardin
, IEEE Electron Device Lett.
32
, 773
(2011
).79.
J. R.
Srour
and
J. W.
Palko
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
60
, 1740
(2013
).80.
C.
Durnez
,
V.
Goiffon
,
C.
Virmontois
,
P.
Magnan
, and
L.
Rubaldo
, IEEE Trans. Electron Devices
67
, 4940
(2020
).81.
H.
Dewitte
,
V.
Goiffon
,
A. L.
Roch
,
S.
Rizzolo
,
C.
Virmontois
,
C.
Marcandella
, and
P.
Paillet
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
69
, 290
(2022
).82.
K.
Kandiah
, IEEE Trans. Electron Devices
41
, 2006
(1994
).83.
P.
Augier
,
J. L.
Todsen
,
D.
Zupac
,
R. D.
Schrimpf
,
K. F.
Galloway
, and
J. A.
Babcock
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
39
, 2012
(1992
).84.
M. D.
Ploor
,
R. D.
Schrimpf
, and
K. F.
Galloway
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
41
, 1902
(1994
).85.
M. J.
Johnson
and
D. M.
Fleetwood
, Appl. Phys. Lett.
70
, 1158
(1997
).86.
D. M.
Fleetwood
,
M. J.
Johnson
,
T. L.
Meisenheimer
,
P. S.
Winokur
,
W. L.
Warren
, and
S. C.
Witczak
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
44
, 1810
(1997
).87.
Y.
Mori
,
A.
Shima
,
K.
Takeda
, and
R.-I.
Yamada
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
51
, 104101
(2012
).88.
J.
Ding
,
E. X.
Zhang
,
K.
Li
,
X.
Luo
,
M.
Gorchichko
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
68
, 2724
(2021
).89.
K. L.
Brower
, Phys. Rev. B
42
, 3444
(1990
).90.
91.
L.
Tsetseris
,
X. J.
Zhou
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, Appl. Phys. Lett.
86
, 142103
(2005
).92.
F. B.
McLean
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
27
, 1651
(1980
).93.
D. A.
Buchanan
,
A. D.
Marwick
, and
D. J.
DiMaria
, J. Appl. Phys.
76
, 3595
(1994
).94.
K.
Hess
,
B.
Tuttle
,
F.
Register
, and
D. K.
Ferry
, Appl. Phys. Lett.
75
, 3147
(1999
).95.
96.
S. N.
Rashkeev
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, Phys. Rev. Lett.
87
, 165506
(2001
).97.
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
69
, 587
(2022
).98.
E.
Cartier
,
J. H.
Stathis
, and
D. A.
Buchanan
, Appl. Phys. Lett.
63
, 1510
(1993
).99.
K. L.
Brower
,
P. M.
Lenahan
, and
P. V.
Dressendorfer
, Appl. Phys. Lett.
41
, 251
(1982
).100.
C. G.
Van de Walle
,
Y.
Bar-Yam
, and
S. T.
Pantelides
, Phys. Rev. Lett.
60
, 2761
(1988
).101.
N. S.
Saks
,
R. B.
Klein
, and
D. L.
Griscom
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
35
, 1234
(1988
).102.
C.
Herring
,
N. M.
Johnson
, and
C. G.
Van de Walle
, Phys. Rev. B
64
, 125209
(2001
).103.
K.
Bergman
,
M.
Stavola
,
S. J.
Pearton
, and
J.
Lopata
, Phys. Rev. B
37
, 2770
(1988
).104.
C. G.
Van de Walle
,
P. J. H.
Denteneer
, and
S. T.
Pantelides
, Phys. Rev. B
39
, 10791
(1989
).105.
P. J. H.
Denteneer
,
C. G.
Van de Walle
, and
S. T.
Pantelides
, Phys. Rev. B
41
, 3885
(1990
).106.
T.
Zundel
and
J.
Weber
, Phys. Rev. B
39
, 13549
(1989
).107.
P. J. H.
Denteneer
,
C. G.
Van de Walle
, and
S. T.
Pantelides
, Phys. Rev. B
39
, 10809
(1989
).108.
J.
Zhu
,
N. M.
Johnson
, and
C.
Herring
, Phys. Rev. B
41
, 12354
(1990
).109.
N. M.
Johnson
and
C.
Herring
, Phys. Rev. B
45
, 11379
(1992
).110.
N. M.
Johnson
and
C.
Herring
, Phys. Rev. B
46
, 15554
(1992
).111.
L.
Tsetseris
,
R. D.
Schrimpf
,
D. M.
Fleetwood
,
R. L.
Pease
, and
S. T.
Pantelides
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
52
, 2265
(2005
).112.
L.
Tsetseris
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, Appl. Phys. Lett.
96
, 251905
(2010
).113.
M.
Reaz
,
A. M.
Tonigan
,
K.
Li
,
M. B.
Smith
,
M. W.
Rony
,
M.
Gorchichko
,
A.
O'Hara
,
D.
Linten
,
J.
Mitard
,
J.
Fang
,
E. X.
Zhang
,
M. L.
Alles
,
R. A.
Weller
,
D. M.
Fleetwood
,
R. A.
Reed
,
M. V.
Fischetti
,
S. T.
Pantelides
,
S. L.
Weeden-Wright
, and
R. D.
Schrimpf
, IEEE Trans. Electron Devices
68
, 2556
(2021
).114.
S. T.
Pantelides
,
S. N.
Rashkeev
,
R.
Buczko
,
D. M.
Fleetwood
, and
R. D.
Schrimpf
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
47
, 2262
(2000
).115.
D. M.
Fleetwood
, Microelectron. Reliab.
42
, 523
(2002
).116.
M. R.
Shaneyfelt
,
R. L.
Pease
,
J. R.
Schwank
,
M. C.
Maher
,
G. L.
Hash
,
D. M.
Fleetwood
,
P. E.
Dodd
,
C. A.
Reber
,
S. C.
Witczak
,
L. C.
Riewe
,
H. P.
Hjalmarson
,
J. C.
Banks
,
B. L.
Doyle
, and
J. A.
Knapp
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
49
, 3171
(2002
).117.
F.
Faccio
,
G.
Borghello
,
E.
Lerario
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
,
H.
Gong
,
E. X.
Zhang
,
P.
Wang
,
S.
Michelis
,
S.
Gerardin
,
A.
Paccagnella
, and
S.
Bonaldo
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
65
, 164
(2018
).118.
S.
Bonaldo
,
S.
Gerardin
,
X.
Jin
,
A.
Paccagnella
,
F.
Faccio
,
G.
Borghello
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
66
, 1574
(2019
).119.
P. S.
Winokur
,
H. E.
Boesch
, Jr.
,
J. M.
McGarrity
, and
F. B.
McLean
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
24
, 2113
(1977
).120.
H. E.
Boesch
, Jr.
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
35
, 1160
(1988
).121.
S. N.
Rashkeev
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, Appl. Phys. Lett.
81
, 1839
(2002
).122.
S. N.
Rashkeev
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
50
, 1896
(2003
).123.
S. N.
Rashkeev
,
D. M.
Fleetwood
,
R. D.
Schrimpf
, and
S. T.
Pantelides
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
51
, 3158
(2004
).124.
A. G.
Marinopoulos
,
I.
Batyrev
,
X. J.
Zhou
,
R. D.
Schrimpf
,
D. M.
Fleetwood
, and
S. T.
Pantelides
, Appl. Phys. Lett.
91
, 233503
(2007
).125.
K. I.
Lundström
,
M. S.
Shivaraman
, and
C. M.
Svensson
, J. Appl. Phys.
46
, 3876
(1975
).126.
A.
Salomonsson
,
M.
Erikssona
, and
H.
Dannetun
, J. Appl. Phys.
98
, 014505
(2005
).127.
R. E.
Stahlbush
,
A. H.
Edwards
,
D. L.
Griscom
, and
B. J.
Mrstik
, J. Appl. Phys.
73
, 658
(1993
).128.
P. M.
Lenahan
and
J. F.
Conley
, Jr.
, J. Vac. Sci. Technol. B
16
, 2134
(1998
).129.
B. R.
Tuttle
,
D. R.
Hughart
,
R. D.
Schrimpf
,
D. M.
Fleetwood
, and
S. T.
Pantelides
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
57
, 3046
(2010
).130.
N. M.
Zimmerman
and
W. W.
Webb
, Phys. Rev. Lett.
61
, 889
(1988
).131.
S.
Bonaldo
,
E. X.
Zhang
,
S. E.
Zhao
,
V.
Putcha
,
B.
Parvais
,
D.
Linten
,
S.
Gerardin
,
A.
Paccagnella
,
R. A.
Reed
,
R. D.
Schrimpf
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
67
, 1302
(2020
).132.
S. T.
Pantelides
,
L.
Tsetseris
,
S. N.
Rashkeev
,
X. J.
Zhou
,
D. M.
Fleetwood
, and
R. D.
Schrimpf
, Microelectron. Reliab.
47
, 903
(2007
).133.
J. H.
Scofield
and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
38
, 1567
(1991
).134.
X. J.
Zhou
,
D. M.
Fleetwood
,
I.
Danciu
,
A.
Dasgupta
,
S. A.
Francis
, and
A. D.
Touboul
, Appl. Phys. Lett.
91
, 173501
(2007
).135.
S. A.
Francis
,
A.
Dasgupta
, and
D. M.
Fleetwood
, IEEE Trans. Electron Devices
57
, 503
(2010
).136.
T.
Grasser
,
M.
Waltl
,
Y.
Wimmer
,
W.
Goes
,
R.
Kosik
,
G.
Rzepa
,
H.
Reisinger
,
G.
Pobegen
,
A.
El-Sayed
,
A.
Shluger
, and
B.
Kaczer
, in Proceedings of the 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2015), Washington, DC, 7–9 2015
(
IEEE
, 2015
), pp. 20.1.1
–20.1.4
.137.
D. M.
Fleetwood
, Microelectron. Reliab.
80
, 266
(2018
).138.
D. M.
Fleetwood
,
E. X.
Zhang
,
R. D.
Schrimpf
,
S. T.
Pantelides
, and
S.
Bonaldo
, “Effect of interface traps on the low-frequency noise of irradiated MOS devices,” to be presented at the 2023 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Kansas City, MO, 24–28 July 2023.139.
P. S.
Winokur
,
E. B.
Errett
,
D. M.
Fleetwood
,
P. V.
Dressendorfer
, and
D. C.
Turpin
, IEEE Trans. Nucl. Sci.
32
, 3953
(1985
).140.
M.
Erturk
,
R.
Anna
,
T.
Xia
,
W. F.
Clark
,
K. M.
Newton
,
J. J.
Pekarik
,
C. J.
Lamothe
, and
M. R.
Lacroix
, Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems
(IEEE
, Atlanta, GA
, 2004
), p. 127
.141.
H.-M.
Kwon
,
I.-S.
Han
,
S.-K.
Kwon
,
J.-H.
Jang
,
H.-Y.
Kwak
,
W.-I.
Choi
,
M.-L.
Ha
,
J.-I.
Lee
,
H.-S.
Hwang
, and
H.-D.
Lee
, IEEE Electron Device Lett.
34
, 190
(2013
).142.
G.
Yang
,
D.
Kim
,
J. W.
Yang
,
S.
Barraud
,
L.
Brevard
,
G.
Ghibaudo
, and
J. W.
Lee
, Nanotechnology
31
, 415201
(2020
).© 2023 Author(s). Published under an exclusive license by AIP Publishing.
2023
Author(s)
You do not currently have access to this content.