We report the growth of GaAs/GaNAs/GaAs core-multishell nanowires having N compositions exceeding 2%. The structures were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy using constituent Ga-induced vapor-liquid-solid growth on Si(111) substrates. The GaNAs shell nominally contains 0%, 2%, and 3% nitrogen. The axial cross-sectional scanning transmission electron microscopy measurements confirm the existence of core-multishell structure. The room temperature micro-photoluminescence measurements reveal a red-shift of the detected emission with increasing N content in the nanowires, consistent with the expected changes in the GaNAs bandgap energy due to the bowing effect.

1.
M. S.
Gudiksen
,
L. J.
Lauhon
,
J.
Wang
,
D. C.
Smith
, and
C. M.
Lieber
,
Nature
415
,
617
(
2002
).
2.
Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications
, edited by
F.
Ishikawa
and
I. A.
Buyanova
(
Pan Stanford Publishing
,
Singapore
,
2017
).
3.
T.
Mårtensson
,
C. P. T.
Svensson
,
B. A.
Wascaser
,
M. W.
Larsson
,
W.
Seifert
,
K.
Deppert
,
A.
Gustafsson
,
L. R.
Wallenberg
, and
L.
Samuelson
,
Nano Lett.
4
,
1987
(
2004
).
4.
Q.
Li
,
K. W.
Ng
, and
K. M.
Lau
,
Appl. Phys. Lett.
106
,
072105
(
2015
).
5.
K.
Tomioka
,
M.
Yoshimura
, and
T.
Fukui
,
Nature
488
,
189
(
2012
).
6.
M. T.
Björk
,
C.
Thelander
,
A. E.
Hansen
,
L. E.
Jensen
,
M. W.
Larsson
,
L. R.
Wallenberg
, and
L.
Samuelson
,
Nano Lett.
4
,
1621
(
2004
).
7.
J.
Tang
,
Z.
Huo
,
S.
Brittman
,
H.
Gao
, and
P.
Yang
,
Nat. Nanotechnol.
6
,
568
(
2011
).
8.
R.
Songmuang
,
L. T. T.
Giang
,
J.
Bleuse
,
M.
Den Hertog
,
Y. M.
Niquet
,
L. S.
Dang
, and
H.
Mariette
,
Nano Lett.
16
,
3426
(
2016
).
9.
W.
Shan
,
W.
Walukiewicz
,
J. W.
Ager
 III
,
E. E.
Haller
,
J. F.
Geisz
,
D. J.
Friedman
,
J. M.
Olson
, and
S. R.
Kurtz
,
Phys. Rev. Lett.
82
,
1221
(
1999
).
10.
Dilute Nitride Semiconductors
, edited by
M.
Henini
(
Elsevier
,
Amsterdam
,
2005
).
11.
Y.
Araki
,
M.
Yamaguchi
, and
F.
Ishikawa
,
Nanotechnology
24
,
065601
(
2013
).
12.
N.
Ahn
,
Y.
Araki
,
M.
Kondow
,
M.
Yamaguchi
, and
F.
Ishikawa
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
53
,
065001
(
2014
).
13.
S. L.
Chen
,
S.
Filippov
,
F.
Ishikawa
,
W. M.
Chen
, and
I. A.
Buyanova
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
253106
(
2014
).
14.
J. E.
Stehr
,
S. L.
Chen
,
M.
Jansson
,
F.
Ishikawa
,
W. M.
Chen
, and
I. A.
Buyanova
,
Appl. Phys. Lett.
109
,
203103
(
2016
).
15.
S.
Filippov
,
M.
Jansson
,
J. E.
Stehr
,
J.
Palisaitis
,
P. O. A.
Persson
,
F.
Ishikawa
,
W. M.
Chen
, and
I. A.
Buyanova
,
Nanoscale
8
,
15939
(
2016
).
16.
S. L.
Chen
,
W. M.
Chen
,
F.
Ishikawa
, and
I. A.
Buyanova
,
Sci. Rep.
5
,
11653
(
2015
).
17.
S.
Chen
,
M.
Jansson
,
J. E.
Stehr
,
Y.
Huang
,
F.
Ishikawa
,
W. M.
Chen
, and
I. A.
Buyanova
,
Nano Lett.
17
,
1775
(
2017
).
18.
R.
La
,
R.
Liu
,
W.
Yao
,
R.
Chen
,
M.
Jansson
,
J. L.
Pan
,
I. A.
Buyanova
,
J.
Xiang
,
S. A.
Dayeh
, and
C. W.
Tu
,
Appl. Phys. Lett.
111
,
072106
(
2017
).
19.
J. H.
Paek
,
T.
Nishiwaki
,
M.
Yamaguchi
, and
N.
Sawaki
,
Phys. Status Solidi (c)
6
,
1436
(
2009
).
20.
J.
Paek
,
M.
Yamaguchi
, and
H.
Amano
,
J. Cryst. Growth
323
,
315
(
2011
).
21.
M.
Yoshikawa
,
K.
Miura
,
Y.
Iguchi
, and
Y.
Kawamura
,
J. Cryst. Growth
311
,
1745
(
2009
).
22.
A.
Fontcuberta i Morral
,
C.
Colombo
,
G.
Abstreiter
,
J.
Arbiol
, and
J. R.
Morante
,
Appl. Phys. Lett.
92
,
063112
(
2008
).
23.
B.
Mandl
,
J.
Stangl
,
E.
Hilner
,
A. A.
Zakharov
,
K.
Hillerich
,
A. W.
Dey
,
L.
Samuelson
,
G.
Bauer
,
K.
Deppert
, and
A.
Mikkelsen
,
Nano Lett.
10
,
4443
(
2010
).
24.
D. E.
Perea
,
J. E.
Allen
,
S. J.
May
,
B. W.
Wessels
,
D. N.
Seidman
, and
L. J.
Lauhon
,
Nano Lett.
6
,
181
(
2006
).
25.
J. C.
Harmand
,
M.
Tchernycheva
,
G.
Patriarche
,
L.
Travers
,
F.
Glas
, and
G.
Cirlin
,
J. Cryst. Growth
301–302
,
853
(
2007
).
26.
M.
Uchiyama
,
F.
Ishikawa
, and
M.
Kondow
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
48
,
081102
(
2009
).
27.
M. C.
Plante
and
R. R.
LaPierre
,
Nanotechnology
19
,
495603
(
2008
).
28.
K.
Pemasiri
,
M.
Montazeri
,
R.
Gass
,
L. M.
Smith
,
H. E.
Jackson
,
J.
Yarrison-Rice
,
S.
Paiman
,
Q.
Gao
,
H. H.
Tan
,
C.
Jagadish
,
X.
Zhang
, and
J.
Zou
,
Nano Lett.
9
,
648
(
2009
).
29.
D.
Spirkoska
,
J.
Arbiol
,
A.
Gustafsson
,
S.
Conesa-Boj
,
F.
Glas
,
I.
Zardo
,
M.
Heigoldt
,
M. H.
Gass
,
A. L.
Bleloch
,
S.
Estrade
,
M.
Kaniber
,
J.
Rossler
,
F.
Peiro
,
J. R.
Morante
,
G.
Abstreiter
,
L.
Samuelson
, and
A.
Fontcuberta i Morral
,
Phys. Rev. B
80
,
245325
(
2009
).
30.
U.
Jahn
,
J.
Lähnemann
,
C.
Pfüller
,
O.
Brandt
,
S.
Breuer
,
B.
Jenichen
,
M.
Ramsteiner
,
L.
Geelhaar
, and
H.
Riechert
,
Phys. Rev. B
85
,
045323
(
2012
).
31.
S.
Wu
,
M.
Kato
,
M.
Uchiyama
,
K.
Higashi
,
F.
Ishikawa
, and
M.
Kondow
,
Appl. Phys. Express
1
,
035004
(
2008
).
32.
F.
Ishikawa
,
S.
Wu
,
M.
Kato
,
M.
Uchiyama
,
K.
Higashi
, and
M.
Kondow
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
48
,
125501
(
2009
).
33.
N.
Sköld
,
L. S.
Karlsson
,
M. W.
Larsson
,
M. E.
Pistol
,
W.
Seifert
,
J.
Trägårdh
, and
L.
Samuelson
,
Nano Lett.
5
,
1943
(
2005
).
34.
X.
Wu
,
M. D.
Robertson
,
J. A.
Gupta
, and
J. M.
Baribeau
,
J. Phys.: Condens. Matter
20
,
075215
(
2008
).
35.
G.
Mussler
,
J.-M.
Chauveau
,
A.
Trampert
,
M.
Ramsteiner
,
L.
Däweritz
, and
K. H.
Ploog
,
J. Cryst. Growth
267
,
60
(
2004
).
36.
J.
Toivonen
,
T.
Tuomi
,
J.
Riikonen
,
L.
Knuuttila
,
T.
Hakkarainen
,
M.
Sopanen
,
H.
Lipsanen
,
P. J.
McNally
,
W.
Chen
,
D.
Lowney
, and
J.
Mater
,
Sci. Mater. Electron.
14
,
267
(
2003
).
37.
I.
Vurgaftman
and
J. R.
Meyer
,
J. Appl. Phys.
94
,
3675
(
2003
).
You do not currently have access to this content.