Free layers with double MgO/CoFeB interfaces are an established solution for improving the thermal stability at small device dimensions in perpendicular spin transfer torque-magnetic random access memory devices. A thin spacer layer, composed usually of Ta, W, Hf, etc., is used to ease crystallization and improve the perpendicular magnetic anisotropy. Here, we use ferromagnetic resonance to evaluate the impact of Ta or W containing spacer layers on the intrinsic anisotropy Hk and damping α parameters. While both spacer materials enable similar tunnel magneto-resistance and anisotropy values, W typically generates a higher damping. Ta-based spacers are therefore likely better candidates for very low switching current applications.
References
1.
E.
Chen
, D.
Apalkov
, Z.
Diao
, A.
Driskill-Smith
, D.
Druist
, D.
Lottis
, V.
Nikitin
, X.
Tang
, S.
Watts
, S.
Wang
et al, “Advances and future prospects of spin-transfer torque random access memory
,” IEEE Trans. Magn.
46
(6
), 1873
–1878
(2010
).2.
S.
Yuasa
, A.
Fukushima
, K.
Yakushiji
, T.
Nozaki
, M.
Konoto
, H.
Maehara
, H.
Kubota
, T.
Taniguchi
, H.
Arai
, H.
Imamura
, K.
Ando
, Y.
Shiota
, F.
Bonell
, Y.
Suzuki
, N.
Shimomura
, E.
Kitagawa
, J.
Ito
, S.
Fujita
, K.
Abe
, K.
Nomura
, H.
Noguchi
, and H.
Yoda
, “Future prospects of MRAM technologies
,” in International Electron Devices Meeting
(2013
), p. 56
.3.
L.
Thomas
, G.
Jan
, J.
Zhu
, H.
Liu
, Y.-J.
Lee
, S.
Le
, R.-Y.
Tong
, K.
Pi
, Y.-J.
Wang
, D.
Shen
, R.
He
, J.
Haq
, J.
Teng
, V.
Lam
, K.
Huang
, T.
Zhong
, T.
Torng
, and P.-K.
Wang
, J. Appl. Phys.
115
, 172615
(2014
).4.
D. C.
Worledge
, G.
Hu
, D. W.
Abraham
, J. Z.
Sun
, P. L.
Trouilloud
, J.
Nowak
, S.
Brown
, M. C.
Gaidis
, E. J.
O'Sullivan
, and R. P.
Robertazzi
, Appl. Phys. Lett.
98
, 022501
(2011
).5.
S.
Ikeda
, K.
Miura
, H.
Yamamoto
, K.
Mizunuma
, H. D.
Gan
, M.
Endo
, S.
Kanai
, J.
Hayakawa
, F.
Matsukura
, and H.
Ohno
, Nat. Mater.
9
, 721
(2010
).6.
W. X.
Wang
, Y.
Yang
, H.
Naganuma
, Y.
Ando
, R. C.
Yu
, and X. F.
Han
, Appl. Phys. Lett.
99
, 012502
(2011
).7.
S.
Ikeda
, H.
Sato
, H.
Honjo
, E. C. I.
Enobio
, S.
Ishikawa
, M.
Yamanouchi
, S.
Fukami
, S.
Kanai
, F.
Matsukura
, T.
Endoh
, and H.
Ohno
, in IEDM Technical Digest
(2014
), p. 796
.8.
H.
Sato
, M.
Yamanouchi
, S.
Ikeda
, S.
Fukami
, F.
Matsukura
, and H.
Ohno
, Appl. Phys. Lett.
101
, 022414
(2012
).9.
M.
Wang
, Y.
Zhang
, X.
Zhao
, and W.
Zhao
, Micromachines
6
, 1023
(2015
).10.
Y. J.
Chang
, A.
Canizo-Cabrera
, V.
Garcia-Vazquez
, Y.-H.
Chang
, and T. H.
Wu
, J. Appl. Phys.
114
, 184303
(2013
).11.
M. P. R.
Sabino
, S. T.
Lim
, and M.
Tran
, Appl. Phys. Express
7
, 093002
(2014
).12.
H.
Almasi
, M.
Xu
, Y.
Xu
, T.
NewHouse-Illige
, and W. G.
Wang
, Appl. Phys. Lett.
109
, 032401
(2016
).13.
S.-E.
Lee
, Y.
Takemura
, and J.-G.
Park
, Appl. Phys. Lett.
109
, 182405
(2016
).14.
J.-H.
Kim
, J. B.
Lee
, G. G.
An
, S. M.
Yang
, W. S.
Chung
, H.-S.
Park
, and J.-P.
Hong
, Sci. Rep.
5
, 16903
(2015
).15.
C.
Bilzer
, T.
Devolder
, P.
Crozat
, C.
Chappert
, S.
Cardoso
, and P. P.
Freitas
, J. Appl. Phys.
101
, 074505
(2007
).16.
J. O.
Rantscher
, R. D.
McMichael
, A.
Castillo
, A. J.
Shapiro
, W. F.
Egelhoff
, B. B.
Maranville
, D.
Pulugurtha
, A. P.
Chen
, and L. M.
Connors
, J. Appl. Phys.
101
, 033911
(2007
).17.
J.
Swerts
, S.
Mertens
, T.
Lin
, S.
Couet
, Y.
Tomczak
, K.
Sankaran
, G.
Pourtois
, W.
Kim
, J.
Meersschaut
, L.
Souriau
, D.
Radisic
, S.
Van Elshocht
, G.
Kar
, and A.
Furnemont
, Appl. Phys. Lett
106
, 262407
(2015
).18.
H.
Almasi
, C. L.
Sun
, X.
Li
, T.
Newhouse-Illige
, C.
Bi
, K. C.
Price
, S.
Nahar
, C.
Greces
, Q.
Hu
, P. K.
Amiri
, K. L.
Wang
, P. M.
Voyles
, and W. G.
Wang
, J. Appl. Phys.
121
, 153902
(2017
).19.
K.
Watanabe
, S.
Fukami
, H.
Sato
, F.
Matsukura
, and H.
Ohno
, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
56
, 0802B2
(2017
).20.
N.
Sato
, K. P.
O'Brien
, K.
Millard
, B.
Doyle
, and K.
Oguz
, J. Appl. Phys.
119
, 093902
(2016
).21.
M. A. W.
Schoen
, D.
Thonig
, M. L.
Scneider
, T. J.
Silva
, H. T.
Nemback
, O.
Eriksson
, O.
Karis
, and J. M.
Shaw
, Nat. Phys.
12
, 839
(2016
).22.
D.-Y.
Lee
, S.-H.
Hong
, S.-E.
Lee
, and J.-G.
Park
, Sci. Rep.
6
, 38125
(2016
).© 2017 Author(s).
2017
Author(s)
You do not currently have access to this content.