Wide-bandgap oxides exhibiting high electron mobility hold promise for the development of useful electronic and optoelectronic devices as well as for basic research on two-dimensional electron transport phenomena. A perovskite-type tin oxide, BaSnO3, is currently one of such targets owing to distinctly high mobility at room temperature. The challenge to overcome towards the use of BaSnO3 thin films in applications is suppression of dislocation scattering, which is one of the dominant scattering origins for electron transport. Here, we show that the mobility of the BaSnO3 electric-double-layer transistor reaches 300 cm2 V−1 s−1 at 50 K. The improved mobility indicates that charged dislocation scattering is effectively screened by electrostatically doped high-density charge carriers. We also observed metallic conduction persisting down to 2 K, which is attributed to the transition to the degenerate semiconductor. The experimental verification of bulk-level mobility at the densely accumulated surface sheds more light on the importance of suppression of dislocation scattering by interface engineering in doped BaSnO3 thin films for transparent electrode applications.

1.
H. J.
Kim
,
U.
Kim
,
H. M.
Kim
,
T. H.
Kim
,
H. S.
Mun
,
B.-G.
Jeon
,
K. T.
Hong
,
W.-J.
Lee
,
C.
Ju
,
K. H.
Kim
, and
K.
Char
,
Appl. Phys. Express
5
,
061102
(
2012
).
2.
H. J.
Kim
,
U.
Kim
,
T. H.
Kim
,
J.
Kim
,
H. M.
Kim
,
B.-G.
Jeon
,
W.-J.
Lee
,
H. S.
Mun
,
K. T.
Hong
,
J.
Yu
,
K.
Char
, and
K. H.
Kim
,
Phys. Rev. B
86
,
165205
(
2012
).
3.
H. F.
Wang
,
Q. Z.
Liu
,
F.
Chen
,
G. Y.
Gao
,
W.
Wu
, and
X. H.
Chen
,
J. Appl. Phys.
101
,
106105
(
2007
).
4.
Q.
Liu
,
B.
Li
,
J.
Liu
,
H.
Li
,
Z.
Liu
,
K.
Dai
,
G.
Zhu
,
P.
Zhang
,
F.
Chen
, and
J.
Dai
,
EPL
98
,
47010
(
2012
).
5.
H.-R.
Liu
,
J.-H.
Yang
,
H. J.
Xiang
,
X. G.
Gong
, and
S.-H.
Wei
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
112109
(
2013
).
6.
S.
Sallis
,
D. O.
Scanlon
,
S. C.
Chae
,
N. F.
Quackenbush
,
D. A.
Fischer
,
J. C.
Woicik
,
J.-H.
Guo
,
S. W.
Cheong
, and
L. F. J.
Piper
,
Appl. Phys. Lett.
103
,
042105
(
2013
).
7.
K.
Krishnaswamy
,
L.
Bjaalie
,
B.
Himmetoglu
,
A.
Janotti
,
L.
Gordon
, and
C. G.
Van de Walle
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
083501
(
2016
).
8.
S.
Raghavan
,
T.
Schumann
,
H.
Kim
,
J. Y.
Zhang
,
T. A.
Cain
, and
S.
Stemmer
,
APL Mater.
4
,
016106
(
2016
).
9.
Z.
Lebens-Higgins
,
D. O.
Scanlon
,
H.
Paik
,
S.
Sallis
,
Y.
Nie
,
M.
Uchida
,
N. F.
Quackenbush
,
M. J.
Wahila
,
G. E.
Sterbinsky
,
D. A.
Arena
,
J. C.
Woicik
,
D. G.
Schlom
, and
L. F. J.
Piper
,
Phys. Rev. Lett.
116
,
027602
(
2016
).
10.
A.
Prakash
,
P.
Xu
,
X.
Wu
,
G.
Hauqstad
,
X.
Wang
, and
B.
Jalan
, “
Adsorption-controlled growth and the influence of stoichiometry on electronic transport in hybrid molecular beam epitaxy-grown BaSnO3 films
,”
J. Mater. Chem. C
(published online 2017).
11.
H.
Mun
,
U.
Kim
,
H. M.
Kim
,
C.
Park
,
T. H.
Kim
,
H. J.
Kim
,
K. H.
Kim
, and
K.
Char
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
252105
(
2013
).
12.
H. M.
Ng
,
D.
Doppalapudi
,
T. D.
Moustakas
,
N. G.
Weimann
, and
L. F.
Eastman
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
821
(
1998
).
13.
C.
Shan
,
T.
Huang
,
J.
Zhang
,
M.
Han
,
Y.
Li
,
Z.
Hu
, and
J.
Chu
,
J. Phys. Chem. C
118
,
6994
(
2014
).
14.
K.
Ganguly
,
P.
Ambwani
,
P.
Xu
,
J. S.
Jeong
,
K. A.
Mkhoyan
,
C.
Leighton
, and
B.
Jalan
,
APL Mater.
3
,
062509
(
2015
).
15.
C. A.
Niedermeier
,
S.
Rhode
,
S.
Fearn
,
K.
Ide
,
M. A.
Moram
,
H.
Hiramatsu
,
H.
Hosono
, and
T.
Kamiya
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
172101
(
2016
).
16.
P. V.
Wadekar
,
J.
Alaria
,
M.
O'Sullivan
,
N. L. O.
Flack
,
T. D.
Manning
,
L. J.
Phillips
,
K.
Durose
,
O.
Lozano
,
S.
Lucas
,
J. B.
Claridge
, and
M. J.
Rosseinsky
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
052104
(
2014
).
17.
W.-J.
Lee
,
H. J.
Kim
,
E.
Sohn
,
T. H.
Kim
,
J.-Y.
Park
,
W.
Park
,
H.
Jeong
,
T.
Lee
,
J. H.
Kim
,
K.-Y.
Choi
, and
K. H.
Kim
,
Appl. Phys. Lett.
108
,
082105
(
2016
).
18.
J.
Shin
,
Y. M.
Kim
,
Y.
Kim
,
C.
Park
, and
K.
Char
,
Appl. Phys. Lett.
109
,
262102
(
2016
).
19.
J.
Shiogai
,
K.
Nishihara
,
K.
Sato
, and
A.
Tsukazaki
,
AIP Adv.
6
,
065305
(
2016
).
20.
K.
Fujiwara
,
K.
Nishihara
,
J.
Shiogai
, and
A.
Tsukazaki
,
AIP Adv.
6
,
085014
(
2016
).
21.
K.
Ueno
,
H.
Shimotani
,
H.
Yuan
,
J.
Ye
,
M.
Kawasaki
, and
Y.
Iwasa
,
J. Phys. Soc. Jpn.
83
,
032001
(
2014
).
22.
T.
Ohnishi
,
M.
Lippmaa
,
T.
Yamamoto
,
S.
Meguro
, and
H.
Koinuma
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
241919
(
2005
).
23.
C.
Park
,
U.
Kim
,
C. J.
Ju
,
J. S.
Park
,
Y. M.
Kim
, and
K.
Char
,
Appl. Phys. Lett.
105
,
203503
(
2014
).
24.
U.
Kim
,
C.
Park
,
T.
Ha
,
Y. M.
Kim
,
N.
Kim
,
C.
Ju
,
J.
Park
,
J.
Yu
,
J. H.
Kim
, and
K.
Char
,
APL Mater.
3
,
036101
(
2015
).
25.
Y. M.
Kim
,
C.
Park
,
U.
Kim
,
C.
Ju
, and
K.
Char
,
Appl. Phys. Express
9
,
011201
(
2016
).
26.
Y. M.
Kim
,
C.
Park
,
T.
Ha
,
U.
Kim
,
N.
Kim
,
J.
Shin
,
Y.
Kim
,
J.
Yu
,
J. H.
Kim
, and
K.
Char
,
APL Mater.
5
,
016104
(
2017
).
27.
H.
Shimotani
,
H.
Asanuma
,
A.
Tsukazaki
,
A.
Ohtomo
,
M.
Kawasaki
, and
Y.
Iwasa
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
082106
(
2007
).
28.
P.-H.
Xiang
,
S.
Asanuma
,
H.
Yamada
,
I. H.
Inoue
,
H.
Sato
,
H.
Akoh
,
A.
Sawa
,
K.
Ueno
,
H.
Yuan
,
H.
Shimotani
,
M.
Kawasaki
, and
Y.
Iwasa
,
Adv. Mater.
23
,
5822
(
2011
).
29.
R.
Scherwitzl
,
P.
Zubko
,
I. G.
Lezama
,
S.
Ono
,
A. F.
Morpurgo
,
G.
Catalan
, and
J.-M.
Triscone
,
Adv. Mater.
22
,
5517
(
2010
).
30.
D.
Jena
,
A. C.
Gossard
, and
U. K.
Mishra
,
Appl. Phys. Lett.
76
,
1707
(
2000
).
31.
Y.
Kozuka
,
M.
Kim
,
H.
Ohta
,
Y.
Hikita
,
C.
Bell
, and
H. Y.
Hwang
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
222115
(
2010
).
32.
J.
Falson
,
Y.
Kozuka
,
M.
Uchida
,
J. H.
Smet
,
T.
Arima
,
A.
Tsukazaki
, and
M.
Kawasaki
,
Sci. Rep.
6
,
26598
(
2016
).

Supplementary Material

You do not currently have access to this content.