Indium nitride (InN) is potentially suitable for the fabrication of high performance thin-film transistors (TFTs) because of its high electron mobility and peak electron velocity. However, InN is usually grown using a high temperature growth process, which is incompatible with large-area and lightweight TFT substrates. In this study, we report on the room temperature growth of InN films on flexible polyimide sheets using pulsed sputtering deposition. In addition, we report on the fabrication of InN-based TFTs on flexible polyimide sheets and the operation of these devices.

1.
S. H. K.
Park
,
C. S.
Hwang
,
M.
Ryu
,
S.
Yang
,
C.
Byun
,
J.
Shin
,
J. I.
Lee
,
K.
Lee
,
M. S.
Oh
, and
S.
Im
,
Adv. Mater.
21
,
678
(
2009
).
2.
M.
Kimura
and
S.
Imai
,
IEEE Electron Device Lett.
31
,
963
(
2010
).
3.
M.
Stewart
,
R. S.
Howell
,
L.
Pires
, and
M. K.
Hatalis
,
IEEE Trans. Electron Devices
48
,
845
(
2001
).
4.
H. Q.
Chiang
,
J. F.
Wager
,
R. L.
Hoffman
,
J.
Jeong
, and
D. A.
Keszler
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
013503
(
2005
).
5.
B.
Yaglioglu
,
H. Y.
Yeom
,
R.
Beresford
, and
D. C.
Paine
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
062103
(
2006
).
6.
T.
Sekitani
,
S.
Iba
,
Y.
Kato
,
Y.
Noguchi
,
T.
Someya
, and
T.
Sakurai
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
173502
(
2005
).
7.
J. S.
Park
,
W. J.
Maeng
,
H. S.
Kim
, and
J. S.
Park
,
Thin Solid Films
520
,
1679
(
2012
).
8.
U. K.
Mishra
and
P.
Parikh
,
Proc. IEEE
90
,
1022
(
2002
).
9.
J.
Kuzmik
,
S.
Bychikhin
,
M.
Neuburger
,
A.
Dadgar
,
A.
Krost
,
E.
Kohn
, and
D.
Pogany
,
IEEE Trans. Electron Devices
52
,
1698
(
2005
).
10.
T.
Palacios
,
A.
Chakraborty
,
S.
Rajan
,
C.
Poblenz
,
S.
Keller
,
S. P.
DenBaars
,
J. S.
Speck
, and
U. K.
Mishra
,
IEEE Electron Device Lett.
26
,
781
(
2005
).
11.
Y.
Nanishi
,
Y.
Saito
, and
T.
Yamaguchi
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
42
,
2549
(
2003
).
12.
X.
Wang
,
S.
Liu
,
N.
Ma
,
L.
Feng
,
G.
Chen
,
F.
Xu
,
N.
Tang
,
S.
Huang
,
K. J.
Chen
,
S.
Zhou
, and
B.
Shen
,
Appl. Phys. Express
5
,
15502
(
2012
).
13.
T. B.
Fehlberg
,
G. A.
Umana-Membreno
,
B. D.
Nener
,
G.
Parish
,
C. S.
Gallinat
,
G.
Koblmüller
,
S.
Rajan
,
S.
Bernardis
,
J. S.
Speck
,
C. S. G.
Allinat
, and
G. K.
Oblmu
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
45
,
L1090
(
2006
).
14.
T.
Palacios
,
Phys. Status Solidi A
206
,
1145
(
2009
).
15.
H.
Amano
,
N.
Sawaki
,
I.
Akasaki
, and
Y.
Toyoda
,
Appl. Phys. Lett.
48
,
353
(
1986
).
16.
I.
Akasaki
and
H.
Amano
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
45
,
9001
(
2006
).
17.
S.
Nakamura
,
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2
30
,
L1705
(
1991
).
18.
K.
Sato
,
J.
Ohta
,
S.
Inoue
,
A.
Kobayashi
, and
H.
Fujioka
,
Appl. Phys. Express
2
,
011003
(
2009
).
19.
K.
Okubo
,
A.
Kobayashi
,
J.
Ohta
,
M.
Oshima
, and
H.
Fujioka
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
022103
(
2013
).
20.
M.
Oseki
,
K.
Okubo
,
A.
Kobayashi
,
J.
Ohta
, and
H.
Fujioka
,
Sci. Rep.
4
,
3951
(
2014
).
21.
J. W.
Shon
,
J.
Ohta
,
K.
Ueno
,
A.
Kobayashi
, and
H.
Fujioka
,
Sci. Rep.
4
,
5325
(
2014
).
22.
E.
Nakamura
,
K.
Ueno
,
J.
Ohta
,
H.
Fujioka
, and
M.
Oshima
,
Appl. Phys. Lett.
104
,
051121
(
2014
).
23.
A. B.
Rodriguez-Navarro
,
Thin Solid Films
389
,
288
(
2001
).
24.
L.
Gránásy
,
T.
Pusztai
,
T.
Börzsönyi
,
J. A.
Warren
, and
J. F.
Douglas
,
Nat. Mater.
3
,
645
(
2004
).
25.
S. M.
Sze
,
Semiconductor Devices: Physics and Technology
, 2nd ed. (
Wiley
,
New York
,
2001
).
You do not currently have access to this content.