We report the impact of mechanical anomaly on high-κ/metal-oxide-semiconductor capacitors built on flexible silicon (100) fabric. The mechanical tests include studying the effect of bending radius up to 5 mm minimum bending radius with respect to breakdown voltage and leakage current of the devices. We also report the effect of continuous mechanical stress on the breakdown voltage over extended periods of times.

1.
H.
Zhou
,
J.-H.
Seo
,
D. M.
Paskiewicz
,
Y.
Zhu
,
G. K.
Celler
,
P. M.
Voyles
,
W.
Zhou
,
M. G.
Lagally
, and
Z.
Ma
,
Sci. Rep.
3
,
1291
(
2013
).
2.
A.
Lecavelier des Etangs-Levallois
,
M.
Lesecq
,
F.
Danneville
,
Y.
Tagro
,
S.
Lepilliet
,
V.
Hoel
,
D.
Troadec
,
D.
Gloria
,
C.
Raynaud
, and
E.
Dubois
,
Solid-State Electron.
90
,
73
78
(
2013
).
3.
B.
Nasr
,
D.
Wang
,
R.
Kruk
,
H.
Rösner
,
H.
Hahn
, and
S.
Dasgupta
,
Adv. Funct. Mater.
23
,
1729
(
2013
).
4.
S. T.
Han
,
Y.
Zhou
,
C.
Wang
,
L.
He
,
W.
Zhang
, and
V.
Roy
,
Adv. Mater.
25
,
793
(
2013
).
5.
P.
Sonar
,
T. J.
Ha
,
T. R. B.
Foong
, and
A.
Dodabalapur
, 223rd ECS Meeting, Toronto, Ontario, Canada,
2013
.
6.
S.
Farsinezhad
,
A.
Mohammadpour
,
A. N.
Dalrymple
,
J.
Geisinger
,
P.
Kar
,
M. J.
Brett
, and
K.
Shankar
,
J. Nanosci. Nanotechnol.
13
,
2885
2891
(
2013
).
7.
L. A.
Majewski
,
M.
Grell
,
S. D.
Ogier
, and
J.
Veres
,
Org. Electron.
4
,
27
32
(
2003
).
8.
M. C.
McAlpine
,
R. S.
Friedman
, and
C. M.
Lieber
,
Proc. IEEE
93
,
1357
1363
(
2005
).
9.
Y.
Sun
and
J. A.
Rogers
,
Adv. Mater.
19
(
15
),
1897
1916
(
2007
).
10.
J. N.
Tiwari
,
J. S.
Meena
,
C.-S.
Wu
,
R. N.
Tiwari
,
M.-C.
Chu
,
F.-C.
Chang
, and
F.-H.
Ko
,
ChemSusChem
3
(
9
),
1051
1056
(
2010
).
11.
M. K.
Hota
,
M. K.
Bera
, and
C. K.
Maiti
,
Semicond. Sci. Technol.
27
(
10
),
105001
(
2012
).
12.
A.
Bag
,
M. K.
Hota
,
S.
Mallik
, and
C. K.
Maiti
,
Semicond. Sci. Technol.
28
(
5
),
055002
(
2013
).
13.
A.
Carlson
,
A. M.
Bowen
,
Y.
Huang
,
R. G.
Nuzzo
, and
J. A.
Rogers
,
Adv. Mater.
24
(
39
),
5284
5318
(
2012
).
14.
S. A.
Stauth
and
B. A.
Parviz
,
Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
103
(
38
),
13922
13927
(
2006
).
15.
T.
Kim
,
Y. H.
Jung
,
H.-J.
Chung
,
K. J.
Yu
,
N.
Ahmed
,
C. J.
Corcoran
,
J. S.
Park
,
S. H.
Jin
, and
J. A.
Rogers
,
Appl. Phys. Lett.
102
(
9
),
182104
(
2013
).
16.
C. H.
Lee
,
D. R.
Kim
, and
X. L.
Zheng
,
Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A.
107
(
22
),
9950
9955
(
2010
).
17.
S.
Kim
,
H. Y.
Jeong
,
S. K.
Kim
,
S.-Y.
Choi
, and
K. J.
Lee
,
Nano Lett.
11
(
12
),
5438
5442
(
2011
).
18.
D.
Shahrjerdi
and
S. W.
Bedell
,
Nano Lett.
13
(
1
),
315
320
(
2012
).
19.
D.
Shahrjerdi
,
S. W.
Bedell
,
A.
Khakifirooz
,
K.
Fogel
,
P.
Lauro
,
K.
Cheng
,
J. A.
Ott
,
M.
Gaynes
, and
D. K.
Sadana
, Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA,
2012
.
20.
J. P.
Rojas
,
G. T.
Sevilla
, and
M. M.
Hussain
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
064102
(
2013
).
21.
J. P.
Rojas
and
M. M.
Hussain
,
Phys. Status Solidi RRL
7
,
187
191
(
2013
).
22.
J. P.
Rojas
,
M. T.
Ghoneim
,
C. D.
Young
, and
M. M.
Hussain
,
IEEE Trans. Electron Devices
60
,
3305
3309
(
2013
).
23.
J. P.
Rojas
,
G. A.
Torres Sevilla
, and
M. M.
Hussain
,
Sci. Rep.
3
,
2609
(
2013
).
24.
M. T.
Ghoneim
,
J. P.
Rojas
,
A. M.
Hussain
, and
M. M.
Hussain
,
Phys. Status Solidi RRL
8
,
163
166
(
2014
).
25.
G. T.
Sevilla
,
S. B.
Inayat
,
J. P.
Rojas
,
A. M.
Hussain
, and
M. M.
Hussain
,
Small
9
,
3916
3921
(
2013
).
26.
C.-C.
Lu
,
Y.-C.
Lin
,
C.-H.
Yeh
,
J.-C.
Huang
, and
P.-W.
Chiu
,
ACS Nano
6
,
4469
4474
(
2012
).
You do not currently have access to this content.