The low frequency 1/f noise in graphene devices was studied in a transverse magnetic field of up to B = 14 T at temperatures T = 80 K and T = 285 K. The examined devices revealed a large physical magnetoresistance typical for graphene. At low magnetic fields (B < 2 T), the level of 1/f noise decreases with the magnetic field at both temperatures. The details of the 1/f noise response to the magnetic field depend on the gate voltage. However, in the high magnetic fields (B > 2 T), a strong increase of the noise level was observed for all gate biases.

1.
L.
Vicarelli
,
M. S.
Vitiello
,
D.
Coquillat
,
A.
Lombardo
,
A. C.
Ferrari
,
W.
Knap
,
M.
Polini
,
V.
Pellegrini
, and
A.
Tredicucci
,
Nature Mater.
11
,
865
(
2012
).
2.
F.
Schedin
,
A. K.
Geim
,
S. V.
Morozov
,
E. W.
Hill
,
P.
Blake
,
M. I.
Katsnelson
, and
K. S.
Novoselov
,
Nature Mater.
6
,
652
655
(
2007
).
3.
S.
Rumyantsev
,
G.
Liu
,
M.
Shur
,
R. A.
Potyrailo
, and
A. A.
Balandin
,
Nano Lett.
12
,
2294
2298
(
2012
).
4.
Special issue on graphene
,
Semicond. Sci. Technol.
25
(
3
), (
2010
).
5.
S.
Rumyantsev
,
G.
Liu
,
W.
Stillman
,
M.
Shur
, and
A. A.
Balandin
,
J. Phys.: Condens. Matter
22
,
395302
(
2010
).
6.
S.
Rumyantsev
,
G.
Liu
,
W.
Stillman
,
V.
Yu. Kachorovskii
,
M. S.
Shur
, and
A. A.
Balandin
, in
Proceedings of the IEE 21st International Conference on Noise and Fluctuations 2011, Toronto, Canada, 12–16 June 2011
(IEEE, Piscataway, NJ), pp.
234
237
.
7.
G.
Liu
,
S.
Rumyantsev
,
M.
Shur
, and
A. A.
Balandin
,
Appl. Phys. Lett.
100
,
033103
(
2012
).
8.
B.
Grandchamp
,
S.
Frégonèse
,
C.
Majek
,
C.
Hainaut
,
C.
Maneux
,
N.
Meng
,
H.
Happy
, and
T.
Zimmer
,
IEEE Trans. on Electron Dev.
59
,
516
518
(
2012
).
9.
A.
Kaverzin
,
A. S.
Mayorov
,
A.
Shytov
, and
D. W.
Horsell
,
Phys. Rev.
85
,
075435
(
2012
).
10.
N.
Pal
,
S.
Ghatak
,
V.
Kochat
,
E. S.
Sneha
,
A.
Sampathkumar
,
S.
Raghavan
, and
A.
Ghosh
,
ACS Nano
5
,
2075
2081
(
2011
).
11.
Md. Z.
Hossain
,
S.
Rumyantsev
,
M. S.
Shur
, and
A. A.
Balandin
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
153512
(
2013
).
12.
G.
Liu
,
S.
Rumyantsev
,
M. S.
Shur
, and
A. A.
Balandin
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
093111
(
2013
).
13.
A. L.
McWhorter
, in
Proceedings of the Conference on the Physics of Semiconductors and Surfaces
, Philadelphia (University of Pennsylvania Press,
1956
), pp.
207
229
.
14.
L. K. J.
Vandamme
,
X.
Li
, and
D.
Rigaud
,
IEEE Trans. Electron Devices
41
,
1936
1945
(
1994
).
15.
M. E.
Levinshtein
,
A. A.
Balandin
,
S. L.
Rumyantsev
, and
M. S.
Shur
, in
Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices
, edited by
A.
Balandin
(
American Scientific Publishers
,
2002
).
16.
J. H.
Scofield
,
J. V.
Mantese
, and
W. W.
Webb
,
Phys. Rev. B
34
,
723
(
1986
).
17.
A. P.
Dmitriev
,
M. E.
Levinshtein
, and
S. L.
Rumyantsev
,
J. Appl. Phys.
106
,
024514
(
2009
).
18.
Yu. M.
Galperin
,
V. G.
Karpov
, and
V. I.
Kozub
,
Sov. Phys. JETP
68
,
648
(
1989
).
19.
H. J.
Lippmann
and
F.
Kuhrt
,
Naturwiss.
45
,
156
(
1958
);
H. J.
Lippmann
and
F.
Kuhrt
,
Z. Naturforrsh.
13a
,
452
(
1958
);
H. J.
Lippmann
and
F.
Kuhrt
,
Z. Naturforrsh.
13a
,
474
(
1958
).
20.
M. E.
Levinshtein
and
S. L.
Rumyantsev
,
Sov. Phys. Semicond.
17
,
1167
(
1983
).
21.
L. G.
Cançado
,
A.
Jorio
,
E. H.
Martins Ferreira
,
F.
Stavale
,
C. A.
Achete
,
R. B.
Capaz
,
M. V. O.
Moutinho
,
A.
Lombardo
,
T. S.
Kulmala
, and
A. C.
Ferrari
,
Nano Lett.
11
,
3190
3196
(
2011
).
22.
M. H.
Song
and
H. S.
Min
,
J. Appl. Phys.
58
,
4221
(
1985
).
23.
M. H.
Song
,
A. N.
Birbas
,
A.
van der Ziel
, and
A. D.
van Rheenen
,
J. Appl. Phys.
64
,
727
(
1988
).
24.
Y.-S.
Kim
,
S.-S.
Yun
,
C. H.
Park
,
H. S.
Min
, and
Y. J.
Park
,
Solid-State Electron.
48
,
641
(
2004
).
25.
S. L.
Rumyantsev
,
M. S.
Shur
,
N.
Dyakonova
,
W.
Knap
,
Y.
Meziani
,
F.
Pascal
,
A.
Hoffman
,
X.
Hu
,
Q.
Fareed
,
Yu.
Bilenko
, and
R.
Gaska
,
J. Appl. Phys.
96
,
3845
(
2004
).
26.
N.
Dyakonova
,
S. L.
Rumyantsev
,
M. S.
Shur
,
Y.
Mezziani
,
F.
Pascal
,
A.
Hoffman
,
Yu.
Bielenko
,
R.
Gaska
, and
W.
Knap
,
Phys. Status Solidi A
202
,
677
(
2005
).
27.
R. S.
Singh
,
X.
Wang
,
W.
Chen
,
Ariando
, and
A. T. S.
Wee
,
Appl. Phys. Lett.
101
,
183105
(
2012
).
28.
G. Yu.
Vasil'eva
,
P. S.
Alekseev
,
Yu. L.
Ivanov
,
Yu. B.
Vasil'ev
,
D.
Smirnov
,
H.
Schmidt
,
R. J.
Haug
,
F.
Gouider
, and
G.
Nachtwei
,
JETP Lett.
96
,
471
(
2012
).
29.
J.
Jobst
,
D.
Waldmann
,
I. V.
Gornyi
,
A. D.
Mirlin
, and
H. B.
Weber
,
Phys. Rev. Lett.
108
,
106601
(
2012
).
You do not currently have access to this content.