We report modulation bandwidth measurements on a number of InGaN-based quantum well LEDs emitting at 450 and 520 nm wavelengths. It is shown that for these devices the data can be interpreted in terms of Auger recombination, by taking account of the carrier density dependence of the radiative coefficient. We find values for the Auger coefficient of (1±0.3)×1029cm6s1 at 450 nm and (3±1)×1030cm6s1 at 520 nm.

1.
J. J. D.
McKendry
,
R. P.
Green
,
A. E.
Kelly
,
Z.
Gong
,
B.
Guilhabert
,
D.
Massoubre
,
E.
Gu
, and
M. D.
Dawson
,
IEEE Photon. Technol. Lett.
22
,
1346
(
2010
).
2.
J. J. D.
McKendry
,
D.
Massoubre
,
S.
Zhang
,
B. R.
Rae
,
R. P.
Green
,
E.
Gu
,
R. K.
Henderson
,
A. E.
Kelly
, and
M. D.
Dawson
,
IEEE J. Lightwave Technol.
30
,
61
(
2012
).
3.
M.
Akhter
,
P.
Maaskant
,
B.
Roycroft
,
B.
Corbett
,
P.
de Mierry
,
B.
Beaumont
, and
K.
Panzer
,
Electron. Lett.
38
,
1457
(
2002
).
4.
B. R.
Rae
,
J.
Yang
,
J.
McKendry
,
Z.
Gong
,
D.
Renshaw
,
J. M.
Girkin
,
E.
Gu
,
M. D.
Dawson
, and
R. K.
Henderson
,
IEEE Trans. Biomed. Circuits Syst.
4
,
437
(
2010
).
5.
M.-H.
Kim
,
M. F.
Schubert
,
Q.
Dai
,
J. K.
Kim
,
E. F.
Schubert
,
J.
Piprek
, and
Y.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
183507
(
2007
).
6.
A.
David
and
M. J.
Grundmann
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
103504
(
2010
).
7.
W. G.
Scheibenzuber
,
U. T.
Schwarz
,
L.
Sulmoni
,
J.
Dorsaz
,
J.-F.
Carlin
, and
N.
Grandjean
,
J. Appl. Phys.
109
,
093106
(
2011
).
8.
J.
Lee
,
X.
Li
,
X.
Ni
,
U.
Özgür
,
H.
Morkoç
,
T.
Paskova
,
G.
Mulholland
, and
K. R.
Evans
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
201113
(
2009
).
9.
I. A.
Pope
,
P. M.
Smowton
,
P.
Blood
,
J. D.
Thomson
,
M. J.
Kappers
, and
C. J.
Humphreys
,
Appl. Phys. Lett.
82
,
2755
(
2003
).
10.
B.
Monemar
and
B. E.
Sernelius
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
181103
(
2007
).
11.
N. I.
Bochkareva
,
V. V.
Voronenkov
,
R. I.
Gorbunov
,
A. S.
Zubrilov
,
Y. S.
Lelikov
,
P. E.
Latyshev
,
Y. T.
Rebane
,
A. I.
Tsyuk
, and
Y. G.
Shreter
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
133502
(
2010
).
12.
G. P.
Agrawal
,
Long Wavelength Semiconductor Lasers
(
Kluwer
,
1986
).
13.
F.
Stern
,
J. Appl. Phys.
47
,
5382
(
1976
).
14.
P. G.
Eliseev
,
H.
Li
, and
I. V.
Akimova
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
3838
(
1999
).
15.
E.
Schubert
,
Light Emitting Diodes
, 2nd ed. (
Cambridge University Press
,
2006
), p.
393
.
16.
G. H. B.
Thompson
,
Electron. Lett.
19
,
154
(
1983
).
17.
C.
Huh
,
K.-S.
Lee
,
E.-J.
Kang
, and
S.-J.
Park
,
J. Appl. Phys.
93
,
9383
(
2003
).
18.
T.-X.
Lee
,
K.-F.
Gao
,
W.-T.
Chien
, and
C.-C.
Sun
,
Opt. Express
15
,
6670
(
2007
).
19.
M. H.
Crawford
,
IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.
15
,
1028
(
2009
).
20.
A.
Laubsch
,
M.
Sabathil
,
J.
Baur
,
M.
Peter
, and
B.
Hahn
,
IEEE Trans. Electron Devices
57
,
79
(
2010
).
21.
M.
Meneghini
,
N.
Trivellin
,
G.
Meneghesso
,
E.
Zanoni
,
U.
Zehnder
, and
B.
Hahn
,
J. Appl. Phys.
106
,
114508
(
2009
).
22.
F.
Wang
,
X. G.
Guo
, and
J. C.
Cao
,
J. Appl. Phys.
108
,
083714
(
2010
).
23.
Y. J.
Lee
,
J. M.
Hwang
,
T. C.
Hsu
,
M. H.
Hsieh
,
M. J.
Jou
,
B. J.
Lee
,
T. C.
Lu
,
H. C.
Kuo
, and
S. C.
Wang
,
IEEE Photon. Technol. Lett.
18
,
1152
(
2006
).
24.
J.-H.
Shin
and
Y. H.
Lee
,
Appl. Phys. Lett.
67
,
314
(
2001
).
25.
Y.
Shen
,
G.
Mueller
,
S.
Watanabe
,
N.
Gardner
,
A.
Munkholm
, and
M.
Krames
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
141101
(
2007
);
M.
Shatalov
,
A.
Chitnis
,
A.
Koudymov
,
J.
Zhang
,
V.
Adivarahan
,
G.
Simin
, and
M.
Khan
,
Jpn. J. Appl. Phys.
41
,
L1146
(
2002
);
Q.
Dai
,
Q.
Shan
,
J.
Wang
,
S.
Chhajed
,
J.
Cho
,
E.
Schubert
,
M.
Crawford
,
D.
Koleske
,
M.
Kim
, and
Y.
Park
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
133507
(
2010
);
H.
Ryu
,
H.
Kim
, and
J.
Shim
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
081114
(
2009
);
M.
Zhang
,
P.
Bhattacharya
,
J.
Singh
, and
J.
Hinckley
,
Appl. Phys. Lett.
95
,
201108
(
2009
).
26.
K.
Delaney
,
P.
Rinke
, and
C.
Van de Walle
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
191109
(
2009
);
E.
Kioupakis
,
P.
Rinke
,
K.
Delaney
, and
C.
Van de Walle
,
Appl. Phys. Lett.
98
,
161107
(
2011
);
F.
Bertazzi
,
M.
Goano
, and
E.
Bellotti
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
231118
(
2010
).
You do not currently have access to this content.