The magnetoelectric properties of AlGaN/GaN micro-Hall effect sensors were studied after 380 keV proton irradiation. After irradiation the current-voltage measurements, stability of the magnetic sensitivity of the sensors, and the sheet electron density were degraded with a dramatic decrease of the electron mobility at high temperatures. Raman spectroscopy showed a degradation in the crystalline quality of GaN crystal, but there was no change in the strain.

1.
A.
Frazier
,
Z.
Liub
,
L.
Tianc
, and
J.
Parhamd
,
Proc. IEEE Sens.
2
,
1565
1570
(
2002
).
2.
A.
Sandhu
,
Y.
Kumagai
,
A.
Lapicki
,
S.
Sakamoto
,
M.
Abe
, and
H.
Handa
,
Biosens. Bioelectron.
22
,
2115
2120
(
2007
).
3.
A.
Sandhu
,
A.
Okamoto
,
I.
Shibasaki
, and
A.
Oral
,
Microelectron. Eng.
73–74
,
524
(
2004
).
4.
P. C.
de Jong
,
F. R.
Riedijik
, and
J.
van der Meer
,
Proc. IEEE Sens.
2
,
1440
(
2002
).
5.
I.
Bolshakova
,
R.
Holyaka
, and
C.
Leroy
,
IEEE Trans. Appl. Supercond.
12
,
1655
(
2002
).
6.
I.
Ďuran
,
I.
Bolshakova
,
L.
Viererbl
,
J.
Sentkerestiová
,
R.
Holyaka
,
Z.
Lahodová
, and
P.
Bém
,
Rev. Sci. Instrum.
81
,
10E122
(
2010
).
7.
I.
Bolshakova
,
I.
Vasilevskii
,
L.
Viererbl
,
I.
Ďuran
,
N.
Kovalyova
,
K.
Kovarik
,
Y.
Kost
,
O.
Makido
,
J.
Sentkerestiová
,
A.
Shtabalyuk
, and
F.
Shurygin
,
IEEE Trans. Magn.
49
,
50
(
2013
).
8.
S.
Pearton
,
GaN and ZnO-Based Materials and Devices
, Springer Series in Materials Science (
Springer
,
2012
), p.
252
.
9.
S.
Koide
,
H.
Takahashi
,
A.
Abderrahmane
,
I.
Shibasaki
, and
A.
Sandhu
,
J. Phys.: Conf. Series
352
,
012009
(
2012
).
10.
A. H.
Zahmani
,
A.
Nishijima
,
Y.
Morimoto
,
H.
Wang
,
J. F.
Li
, and
A.
Sandhu
,
Jpn. J. Appl. Phys.
49
,
04DF14
(
2010
).
11.
L.
Lv
,
J. G.
Ma
,
Y. R.
Cao
,
J. C.
Zhang
,
W.
Zhang
,
L.
Li
,
S. R.
Xu
,
X. H.
Ma
,
X. T.
Ren
, and
Y.
Hao
,
Microelectron. Reliab.
51
,
2168
(
2011
).
12.
H.-Y.
Kim
,
T.
Anderson
,
M. A.
Mastro
,
J. A.
Freitas
, Jr.
,
S.
Jang
,
J.
Hite
,
C. R.
Eddy
, Jr.
, and
J.
Kim
,
J. Cryst. Growth
326
,
62
(
2011
).
13.
H.
Okada
,
A.
Abderrahmane
,
S.
Koide
,
H.
Takahashi
,
S.
Sato
,
T.
Ohshima
, and
A.
Sandhu
,
J. Phys.: Conf. Series
352
,
012010
(
2012
).
14.
G.
Sonia
,
E.
Richter
,
F.
Brunner
,
A.
Denker
,
R.
Lossy
,
M.
Mai
,
F.
Lenk
,
J.
Bundesmann
,
G.
Pensl
,
J.
Schmidt
,
U.
Zeimer
,
L.
Wang
,
K.
Baskar
,
M.
Weyers
,
J.
Würfl
, and
G.
Tränkle
,
Solid-State Electron.
52
,
1011
(
2008
).
15.
A. Y.
Polyakov
,
N. B.
Smirnov
,
A. V.
Govorkov
,
A. V.
Markov
,
S. J.
Pearton
,
N. G.
Kolin
,
D. I.
Merkurisov
,
V. M.
Boiko
,
M.
Skowronski
, and
I.-H.
Lee
,
Physica B
376–377
,
523
(
2006
).
16.
Z. H.
Liu
,
S.
Arulkumaran
, and
G. I.
Ng
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
142105
(
2009
).
17.
H.
Lu
,
P.
Sandvik
,
A.
Vertiatchikh
,
J.
Tucker
, and
A.
Elasser
,
J. Appl. Phys.
99
,
114510
(
2006
).
18.
N.
Maeda
,
K.
Tsubaki
,
T.
Saitoh
, and
N.
Kobayashi
,
Appl. Phys. Lett.
79
,
1634
(
2001
).
19.
A.
Asgari
,
S.
Babanejad
, and
L.
Faraone
,
J. Appl. Phys.
110
,
113713
(
2011
).
20.
B. K.
Ridley
,
B. E.
Foutz
, and
L. F.
Eastman
,
Phys. Rev. B
61
,
16862
(
2000
).
21.
M.
Kuball
,
J. M.
Hayes
,
T.
Suski
,
J.
Jun
,
M.
Leszczynski
,
J.
Domagala
,
H. H.
Tan
,
J. S.
Williams
, and
C.
Jagadish
,
J. Appl. Phys.
87
,
2736
(
2000
).
22.
R. X.
Wang
,
S. J.
Xu
,
S.
Fung
,
C. D.
Beling
,
K.
Wang
,
S.
Li
,
Z. F.
Wei
,
T. J.
Zhou
,
J. D.
Zhang
, and
Y.
Huang
,
Appl. Phys. Lett.
87
,
031906
(
2005
).
23.
X. H.
Zhang
,
C. L.
Zhao
,
J. C.
Han
,
Y.
Wang
,
J. K.
Jian
,
G.
Wang
,
Z. H.
Zhang
,
H.
Li
,
W. J.
Wang
,
Y. T.
Song
,
Y.
Liu
,
H. Q.
Bao
,
X. L.
Chen
, and
B.
Song
,
Appl. Phys. Lett.
102
,
011916
(
2013
).
24.
S.
Tripathy
,
S. J.
Chua
,
M. S.
Hao
,
E. K.
Sia
,
A.
Ramam
,
J.
Zhang
,
W. H.
Sun
, and
L. S.
Wang
,
J. Appl. Phys.
91
,
5840
(
2002
).
You do not currently have access to this content.