We have investigated the contact-doping effect on high performance n-channel C60 organic field-effect transistors (OFETs) using the air-stable rhodocene dimer as an n-type dopant. The average charge mobility improved from a value of 0.48 cm2/(Vs) in a reference device to 1.65 cm2/(Vs) for contact-doped devices with a channel length of 25 μm. The operational stability of contact-doped OFETs under continuous stress bias was found similar to the reference devices.
REFERENCES
1.
T.
Sekitani
and T.
Someya
, Mater. Today
14
, 398
(2011
).2.
H.
Klauk
, Chem. Soc. Rev.
39
, 2643
(2010
).3.
T.
Sekitani
, T.
Yokota
, U.
Zschieschang
, H.
Klauk
, S.
Bauer
, K.
Takeuchi
, M.
Takamiya
, T.
Sakurai
, and T.
Someya
, Science
326
, 1516
(2009
).4.
H.
Klauk
, G.
Schmid
, W.
Radlik
, W.
Weber
, L. S.
Zhou
, C. D.
Sheraw
, J. A.
Nichols
, and T. N.
Jackson
, Solid-State Electron.
47
, 297
(2003
).5.
J. N.
Haddock
, X. H.
Zhang
, S. J.
Zheng
, Q.
Zhang
, S. R.
Marder
, and B.
Kippelen
, Org. Electron.
7
, 45
(2006
).6.
X. H.
Zhang
and B.
Kippelen
, J. Appl. Phys.
104
, 104504
(2008
).7.
E. J.
Meijer
, G. H.
Gelinck
, E.
van Veenendaal
, B. H.
Huisman
, D. M.
de Leeuw
, and T. M.
Klapwijk
, Appl. Phys. Lett.
82
, 4576
(2003
).8.
J.
Youn
, G. R.
Dholakia
, H.
Huang
, J. W.
Hennek
, A.
Facchetti
, and T. J.
Marks
, Adv. Funct. Mater.
22
, 1856
(2012
).9.
M.
Caironi
, C.
Newman
, J. R.
Moore
, D.
Natali
, H.
Yan
, A.
Facchetti
, and H.
Sirringhaus
, Appl. Phys. Lett.
96
, 183303
(2010
).10.
F.
Ante
, D.
Kalblein
, T.
Zaki
, U.
Zschieschang
, K.
Takimiya
, M.
Ikeda
, T.
Sekitani
, T.
Someya
, J. N.
Burghartz
, K.
Kern
, and H.
Klauk
, Small
8
, 73
(2012
).11.
T.
Minari
, T.
Miyadera
, K.
Tsukagoshi
, Y.
Aoyagi
, and H.
Ito
, Appl. Phys. Lett.
91
, 053508
(2007
).12.
T.
Minari
, P.
Darmawan
, C.
Liu
, Y.
Li
, Y.
Xu
, and K.
Tsukagoshi
, Appl. Phys. Lett.
100
, 093303
(2012
).13.
S. P.
Tiwari
, W. J.
Potscavage
, T.
Sajoto
, S.
Barlow
, S. R.
Marder
, and B.
Kippelen
, Org. Electron.
11
, 860
(2010
).14.
K.
Walzer
, B.
Maennig
, M.
Pfeiffer
, and K.
Leo
, Chem. Rev.
107
, 1233
(2007
).15.
P.
Wei
, J. H.
Oh
, G.
Dong
, and Z.
Bao
, J. Am. Chem. Soc.
132
, 8852
(2010
).16.
J. H.
Oh
, P.
Wei
, and Z. N.
Bao
, Appl. Phys. Lett.
97
, 243305
(2010
).17.
S.
Guo
, S. B.
Kim
, S. K.
Mohapatra
, Y. B.
Qi
, T.
Sajoto
, A.
Kahn
, S. R.
Marder
, and S.
Barlow
, Adv. Mater.
24
, 699
(2012
).18.
C. K.
Chan
, E. G.
Kim
, J. L.
Bredas
, and A.
Kahn
, Adv. Funct. Mater.
16
, 831
(2006
).19.
S.
Guo
, S. K.
Mohapatra
, A.
Romanov
, T. V.
Timofeeva
, K. I.
Hardcastle
, K.
Yesudas
, C.
Risko
, J. L.
Bredas
, S. R.
Marder
, and S.
Barlow
, Chem.-Eur. J.
18
, 14760
(2012
).20.
S.
Olthof
, S.
Mehraeen
, S. K.
Mohapatra
, S.
Barlow
, V.
Coropceanu
, J. L.
Brédas
, S. R.
Marder
, and A.
Kahn
, Phys. Rev. Lett.
109
, 176601
(2012
).21.
S.
Olthof
, S.
Singh
, S. K.
Mohapatra
, S.
Barlow
, S. R.
Marder
, B.
Kippelen
, and A.
Kahn
, Appl. Phys. Lett.
101
, 253303
(2012
).22.
T. D.
Anthopoulos
, B.
Singh
, N.
Marjanovic
, N. S.
Sariciftci
, A. M.
Ramil
, H.
Sitter
, M.
Colle
, and D. M.
de Leeuw
, Appl. Phys. Lett.
89
, 213504
(2006
).23.
X. H.
Zhang
and B.
Kippelen
, Appl. Phys. Lett.
93
, 133305
(2008
).24.
J. N.
Haddock
, X. H.
Zhang
, B.
Domercq
, and B.
Kippelen
, Org. Electron.
6
, 182
(2005
).© 2013 AIP Publishing LLC.
2013
AIP Publishing LLC
You do not currently have access to this content.
