Multi-quantum well (MQW) structures and light emitting diodes (LEDs) were grown on semipolar and polar (0001) GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The In incorporation efficiency was found to be significantly lower for the semipolar plane as compared to the polar one. The semipolar MQWs exhibit a smooth surface morphology, abrupt interfaces, and a high photoluminescence intensity. The electroluminescence of semipolar and polar (0001) LEDs fabricated in the same growth run peaks at 387 and 462 nm, respectively. Semipolar LEDs with additional (Al,Ga)N cladding layers exhibit a higher optical output power but simultaneously a higher turn-on voltage.
REFERENCES
1.
R. M.
Farrell
, E. C.
Young
, F.
Wu
, S. P.
DenBaars
, and J. S.
Speck
, Semicond. Sci. Technol.
27
, 024001
(2012
).2.
H.
Teisseyre
, C.
Skierbiszewski
, A.
Khachapuridze
, A.
Feduniewicz-Zmuda
, M.
Siekacz
, B.
Łucznik
, G.
Kamler
, M.
Krysko
, T.
Suski
, P.
Perlin
, I.
Grzegory
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
90
, 081104
(2007
).3.
C.
Skierbiszewski
, P.
Wiśniewski
, M.
Siekacz
, P.
Perlin
, A.
Feduniewicz-Żmuda
, G.
Nowak
, I.
Grzegory
, M.
Leszczynski
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Lett.
88
, 221108
(2006
).4.
C.
Skierbiszewski
, M.
Siekacz
, H.
Turski
, G.
Muziol
, M.
Sawicka
, P.
Wolny
, G.
Cywiński
, L.
Marona
, P.
Perlin
, P.
Wiśniewski
, M.
Albrecht
, Z. R.
Wasilewski
, and S.
Porowski
, Appl. Phys. Express
5
, 112103
(2012
).5.
M.
Siekacz
, M.
Sawicka
, H.
Turski
, G.
Cywiński
, A.
Khachapuridze
, P.
Perlin
, T.
Suski
, M.
Boćkowski
, J.
Smalc-Koziorowska
, M.
Kryśko
, R.
Kudrawiec
, M.
Syperek
, J.
Misiewicz
, Z. R.
Wasilewski
, S.
Porowski
, and C.
Skierbiszewski
, J. Appl. Phys.
110
, 063110
(2011
).6.
M.
Sawicka
, H.
Turski
, M.
Siekacz
, J.
Smalc-Koziorowska
, M.
Krysko
, I.
Dziecielewski
, I.
Grzegory
, and C.
Skierbiszewski
, Phys. Rev. B
83
, 245434
(2011
).7.
T.
Zywietz
, J.
Neugebauer
, and M.
Scheffler
, Appl. Phys. Lett.
73
, 487
(1998
).8.
L.
Lymperakis
and J.
Neugebauer
, Phys. Rev. B
79
, 241308
–R
(2009
).9.
T.
Wernicke
, L.
Schade
, C.
Netzel
, J.
Rass
, V.
Hoffmann
, S.
Ploch
, A.
Knauer
, M.
Weyers
, U.
Schwarz
, and M.
Kneissl
, Semicond. Sci. Technol.
27
, 024014
(2012
).10.
D. A.
Browne
, E.
Young
, J. R.
Lang
, C. A.
Hurni
, and J.
Speck
, J. Vac. Sci. Tech. A
30
, 041513
(2012
).11.
R.
Kucharski
, M.
Zając
, R.
Doradziński
, J.
Garczyński
, L.
Sierzputowski
, R.
Kudrawiec
, J.
Serafińczuk
, J.
Misiewicz
, R.
Dwiliński
, Appl. Phys. Express
3
, 101001
(2010
).12.
M.
Siekacz
, M. Ł.
Szańkowska
, A.
Feduniewicz-Zmuda
, J.
Smalc-Koziorowska
, G.
Cywiński
, S.
Grzanka
, Z. R.
Wasilewski
, I.
Grzegory
, B.
Łucznik
, S.
Porowski
, and C.
Skierbiszewski
, Phys. Status Solidi C
6
, S917
–S920
(2009
).13.
A. E.
Romanov
, T. J.
Baker
, S.
Nakamura
, and J. S.
Speck
, J. Appl. Phys.
100
, 023522
(2006
).14.
A.
Das
, S.
Magalhães
, Y.
Kotsar
, P. K.
Kandaswamy
, B.
Gayral
, K.
Lorenz
, E.
Alves
, P.
Ruterana
, and E.
Monroy
, Appl. Phys. Lett.
96
, 181907
(2010
).15.
C.
Skierbiszewski
, Z. R.
Wasilewski
, I.
Grzegory
, and S.
Porowski
, J. Cryst. Growth
311
, 1632
(2009
).16.
H.
Turski
, M.
Siekacz
, Z. R.
Wasilewski
, M.
Sawicka
, S.
Porowski
, and C.
Skierbiszewski
, J. Cryst. Growth
367
, 115
(2013
).17.
E. F.
Schubert
, Light-Emitting Diodes
, 2nd ed. (Cambridge University Press
, Cambridge
, 2006
), p. 87
.© 2013 American Institute of Physics.
2013
American Institute of Physics
You do not currently have access to this content.