Multi-quantum well (MQW) structures and light emitting diodes (LEDs) were grown on semipolar (202¯1) and polar (0001) GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The In incorporation efficiency was found to be significantly lower for the semipolar plane as compared to the polar one. The semipolar MQWs exhibit a smooth surface morphology, abrupt interfaces, and a high photoluminescence intensity. The electroluminescence of semipolar (202¯1) and polar (0001) LEDs fabricated in the same growth run peaks at 387 and 462 nm, respectively. Semipolar LEDs with additional (Al,Ga)N cladding layers exhibit a higher optical output power but simultaneously a higher turn-on voltage.

1.
R. M.
Farrell
,
E. C.
Young
,
F.
Wu
,
S. P.
DenBaars
, and
J. S.
Speck
,
Semicond. Sci. Technol.
27
,
024001
(
2012
).
2.
H.
Teisseyre
,
C.
Skierbiszewski
,
A.
Khachapuridze
,
A.
Feduniewicz-Zmuda
,
M.
Siekacz
,
B.
Łucznik
,
G.
Kamler
,
M.
Krysko
,
T.
Suski
,
P.
Perlin
,
I.
Grzegory
, and
S.
Porowski
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
081104
(
2007
).
3.
C.
Skierbiszewski
,
P.
Wiśniewski
,
M.
Siekacz
,
P.
Perlin
,
A.
Feduniewicz-Żmuda
,
G.
Nowak
,
I.
Grzegory
,
M.
Leszczynski
, and
S.
Porowski
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
221108
(
2006
).
4.
C.
Skierbiszewski
,
M.
Siekacz
,
H.
Turski
,
G.
Muziol
,
M.
Sawicka
,
P.
Wolny
,
G.
Cywiński
,
L.
Marona
,
P.
Perlin
,
P.
Wiśniewski
,
M.
Albrecht
,
Z. R.
Wasilewski
, and
S.
Porowski
,
Appl. Phys. Express
5
,
112103
(
2012
).
5.
M.
Siekacz
,
M.
Sawicka
,
H.
Turski
,
G.
Cywiński
,
A.
Khachapuridze
,
P.
Perlin
,
T.
Suski
,
M.
Boćkowski
,
J.
Smalc-Koziorowska
,
M.
Kryśko
,
R.
Kudrawiec
,
M.
Syperek
,
J.
Misiewicz
,
Z. R.
Wasilewski
,
S.
Porowski
, and
C.
Skierbiszewski
,
J. Appl. Phys.
110
,
063110
(
2011
).
6.
M.
Sawicka
,
H.
Turski
,
M.
Siekacz
,
J.
Smalc-Koziorowska
,
M.
Krysko
,
I.
Dziecielewski
,
I.
Grzegory
, and
C.
Skierbiszewski
,
Phys. Rev. B
83
,
245434
(
2011
).
7.
T.
Zywietz
,
J.
Neugebauer
, and
M.
Scheffler
,
Appl. Phys. Lett.
73
,
487
(
1998
).
8.
L.
Lymperakis
and
J.
Neugebauer
,
Phys. Rev. B
79
,
241308
R
(
2009
).
9.
T.
Wernicke
,
L.
Schade
,
C.
Netzel
,
J.
Rass
,
V.
Hoffmann
,
S.
Ploch
,
A.
Knauer
,
M.
Weyers
,
U.
Schwarz
, and
M.
Kneissl
,
Semicond. Sci. Technol.
27
,
024014
(
2012
).
10.
D. A.
Browne
,
E.
Young
,
J. R.
Lang
,
C. A.
Hurni
, and
J.
Speck
,
J. Vac. Sci. Tech. A
30
,
041513
(
2012
).
11.
R.
Kucharski
,
M.
Zając
,
R.
Doradziński
,
J.
Garczyński
,
L.
Sierzputowski
,
R.
Kudrawiec
,
J.
Serafińczuk
,
J.
Misiewicz
,
R.
Dwiliński
,
Appl. Phys. Express
3
,
101001
(
2010
).
12.
M.
Siekacz
,
M. Ł.
Szańkowska
,
A.
Feduniewicz-Zmuda
,
J.
Smalc-Koziorowska
,
G.
Cywiński
,
S.
Grzanka
,
Z. R.
Wasilewski
,
I.
Grzegory
,
B.
Łucznik
,
S.
Porowski
, and
C.
Skierbiszewski
,
Phys. Status Solidi C
6
,
S917
S920
(
2009
).
13.
A. E.
Romanov
,
T. J.
Baker
,
S.
Nakamura
, and
J. S.
Speck
,
J. Appl. Phys.
100
,
023522
(
2006
).
14.
A.
Das
,
S.
Magalhães
,
Y.
Kotsar
,
P. K.
Kandaswamy
,
B.
Gayral
,
K.
Lorenz
,
E.
Alves
,
P.
Ruterana
, and
E.
Monroy
,
Appl. Phys. Lett.
96
,
181907
(
2010
).
15.
C.
Skierbiszewski
,
Z. R.
Wasilewski
,
I.
Grzegory
, and
S.
Porowski
,
J. Cryst. Growth
311
,
1632
(
2009
).
16.
H.
Turski
,
M.
Siekacz
,
Z. R.
Wasilewski
,
M.
Sawicka
,
S.
Porowski
, and
C.
Skierbiszewski
,
J. Cryst. Growth
367
,
115
(
2013
).
17.
E. F.
Schubert
,
Light-Emitting Diodes
, 2nd ed. (
Cambridge University Press
,
Cambridge
,
2006
), p.
87
.
You do not currently have access to this content.