Wurtzite InP nanowires (NWs), transferred onto various substrates, were investigated by low temperature micro-photoluminescence. A clear PL emission shift, depending on the substrate, is observed and attributed to the substrate-induced strain, generated due to the difference in the thermal expansion coefficients of the InP NWs and the host-substrate during the sample cooling. Moreover, a blueshift of the PL emission peak is observed as the excitation power is increased. This effect, which is not observed on the as-grown sample, is thus a consequence of the host substrate and not an intrinsic property of the nanowires.

1.
M. S.
Gudiksen
,
J.
Wang
, and
C. M.
Lieber
,
J. Phys. Chem. B
106
,
4036
(
2002
).
2.
J.
Wang
,
M. S.
Gudiksen
,
X.
Duan
,
Y.
Cui
, and
C. M.
Lieber
,
Science
293
(
5534
),
1455
(
2001
).
3.
A.
Mishra
,
L. V.
Titova
,
T. B.
Hoang
,
H. E.
Jackson
,
L. M.
Smith
,
J. M.
Yarrison-Rice
,
Y.
Kim
,
H. J.
Joyce
,
Q.
Gao
,
H. H.
Tan
, and
C.
Jagadish
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
263104
(
2007
).
4.
S.
Perera
,
K.
Pemasiri
,
M. A.
Fickenscher
,
H. E.
Jackson
,
L. M.
Smith
,
J.
Yarrison-Rice
,
S.
Paiman
,
Q.
Gao
,
H. H.
Tan
, and
C.
Jagadish
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
023106
(
2010
).
5.
T. B.
Hoang
,
A. F.
Moses
,
H. L.
Zhou
,
D. L.
Dheeraj
,
B. O.
Fimland
, and
H.
Weman
,
Appl. Phys. Lett.
94
,
133105
(
2009
).
6.
N.
Chauvin
,
M. H.
Hadj Alouane
,
R.
Anufriev
,
H.
Khmissi
,
K.
Naji
,
G.
Patriarche
,
C.
Bru-Chevallier
, and
M.
Gendry
,
Appl. Phys. Lett.
100
,
011906
(
2012
).
7.
G.
Sallen
,
A.
Tribu
,
T.
Aichele
,
R.
André
,
L.
Besombes
,
C.
Bougerol
,
S.
Tatarenko
,
K.
Kheng
, and
J.
Ph. Poizat
,
Phys. Rev. B
80
,
085310
(
2009
).
8.
Y.
Kobayashi
,
M.
Fukui
,
J.
Motohisa
, and
T.
Fukui
,
Physica E
40
,
2204
(
2008
).
9.
E. G.
Gadret
,
G. O.
Dias
,
L. C. O.
Dacal
,
M. M.
de Lima
, Jr.
,
C. V. R. S.
Ruffo
,
F.
Iikawa
,
M. J. S. P.
Brasil
,
T.
Chiaramonte
,
M. A.
Cotta
,
L. H. G.
Tizei
,
D.
Ugarte
, and
A.
Cantarero
,
Phys. Rev. B
82
,
125327
(
2010
).
10.
G. L.
Tuin
,
M. T.
Borgström
,
J.
Trägårdh
,
M.
Ek
,
L. R.
Wallenberg
,
L.
Samuelson
, and
M.-E.
Pistol
,
Nano Res.
4
,
159
(
2011
).
11.
J. B.
Schlager
,
K. A.
Bertness
,
P. T.
Blanchard
,
L. H.
Robins
,
A.
Roshko
, and
N. A.
Sanford
,
J. Appl. Phys.
103
,
124309
(
2008
).
12.
T.
Soma
,
J.
Satoh
, and
H.
Matsuo
,
Solid State Commun.
42
,
889
(
1982
).
13.
K.
Haruna
,
H.
Maeta
,
K.
Ohashi
, and
T.
Koike
,
J. Phys. C: Solid State Phys.
20
,
5275
(
1987
).
14.
T.
Suski
and
W.
Paul
,
High Pressure in Semiconductor Physics II
(
Academic
,
New York
,
1998
), p.
245
.
15.
F.
Boxberg
,
N.
Sondergaard
, and
H. Q.
Xu
,
Nano Lett.
10
,
1108
(
2010
).
16.
R. M.
Martin
,
Phys. Rev. B
6
,
4546
(
1972
).
17.
M. W.
Larsson
,
J. B.
Wagner
,
M.
Wallin
,
P.
Håkansson
,
L. E.
Fröberg
,
L.
Samuelson
, and
L. R.
Wallenberg
,
Nanotechnology
18
,
015504
(
2007
).
18.
I.
Vurgaftman
,
J. R.
Meyer
, and
L. R.
Ram-Mohan
,
J. Appl. Phys.
89
(
11
),
1
(
2001
).
19.
Z. Y.
Zhai
,
X. S.
Wu
,
Z. S.
Jiang
,
J. H.
Hao
,
J.
Gao
,
Y. F.
Cai
, and
Y. G.
Pan
,
Appl. Phys. Lett.
89
,
262902
(
2006
).
20.
S. Q.
Wang
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
061902
(
2006
).
21.
F.
Xu
,
J. W.
Durham
 III
,
B. J.
Wiley
, and
Y.
Zhu
,
ACS Nano
2
,
1556
(
2011
).
22.
C. L.
dos Santos
and
P.
Piquini
,
Phys. Rev. B
81
,
075408
(
2010
).
23.
S.
Adachi
,
Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds
(
Wiley-VCH
,
Mörlenbach
,
1992
), p.
24
.
24.
M.
Bordag
,
A.
Ribayrol
,
G.
Conache
,
L. E.
Frçberg
,
S.
Gray
,
L.
Samuelson
,
L.
Montelius
, and
H.
Pettersson
,
Small
3
(
8
),
1398
(
2007
).
25.
B. F.
Levine
,
C. J.
Pinzone
,
S.
Hui
,
C. A.
King
,
R. E.
Leibenguth
,
D. R.
Zolnowski
,
D. V.
Lang
,
H. W.
Krautter
, and
M.
Geva
,
Appl. Phys. Lett.
75
,
2141
(
1999
).
26.
E.
Kuokstis
,
J. W.
Yang
,
G.
Simin
,
M.
Asif Khan
,
R.
Gaska
, and
M. S.
Shur
,
Appl. Phys. Lett.
80
,
977
(
2002
).
27.
M. H. M.
van Weert
,
O.
Wunnicke
,
A. L.
Roest
,
T. J.
Eijkemans
,
A.
Yu Silov
,
J. E. M.
Haverkort
,
G. W.
’t Hooft
, and
E. P. A. M.
Bakker
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
043109
(
2006
).
You do not currently have access to this content.