We report magnetoresistance (MR) properties from room temperature (300 K) to 2 K in multilayered epitaxial graphene (EG) prepared on C-face of SiC substrate. A large (∼50%) and linear MR is observed at 300 K, which is distinctively different from other carbon materials. This linear MR is attributed to the two-dimensional (2D) transport in the material as inferred from our angular dependence magnetotransport experiments. Furthermore, negative MR behaviour at a low field regime for temperatures ≤20 K is recognised as a weak localization in EG. This study underlines the potential of exploiting multilayered EG on C-face SiC for room temperature magneto-electronic device applications.

1.
C.
Berger
,
Z. M.
Song
,
T. B.
Li
,
X. B.
Li
,
A. Y.
Ogbazghi
,
R.
Feng
,
Z. T.
Dai
,
A. N.
Marchenkov
,
E. H.
Conrad
,
P. N.
First
, and
W. A.
de Heer
,
J. Phys. Chem. B
108
,
19912
(
2004
).
2.
W.
Chen
,
S.
Chen
,
D. C.
Qi
,
X. Y.
Gao
, and
A. T. S.
Wee
,
J. Am. Chem. Soc.
129
,
10418
(
2007
).
3.
Y. M.
Lin
,
C.
Dimitrakopoulos
,
K. A.
Jenkins
,
D. B.
Farmer
,
H. Y.
Chiu
,
A.
Grill
, and
P.
Avouris
,
Science
327
,
662
(
2010
).
4.
R.
Sevak Singh
,
V.
Nalla
,
W.
Chen
,
W.
Ji
, and
A. T. S.
Wee
,
Appl. Phys. Lett.
100
,
093116
(
2012
).
5.
R. S.
Singh
,
V.
Nalla
,
W.
Chen
,
A. T. S.
Wee
, and
W.
Ji
,
ACS Nano
5
,
5969
(
2011
).
6.
X. S.
Wu
,
X. B.
Li
,
Z. M.
Song
,
C.
Berger
, and
W. A.
de Heer
,
Phys. Rev. Lett.
98
,
136801
(
2007
).
7.
A.
Tzalenchuk
,
S.
Lara-Avila
,
A.
Kalaboukhov
,
S.
Paolillo
,
M.
Syvajarvi
,
R.
Yakimova
,
O.
Kazakova
,
T. J. B. M.
Janssen
,
V.
Fal'ko
, and
S.
Kubatkin
,
Nat. Nanotechnol.
5
,
186
(
2010
).
8.
S.
Latil
,
V.
Meunier
, and
L.
Henrard
,
Phys. Rev. B
76
,
201402
(
2007
).
9.
J. L.
Olsen
,
Electron Transport in Metals
(
Interscience
,
New York
,
1962
).
10.
P. P.
Freitas
,
R.
Ferreira
,
S.
Cardoso
, and
F.
Cardoso
,
J. Phys. Condens. Matter
19
,
165221
(
2007
).
11.
R.
Mahendiran
,
A. K.
Raychaudhuri
,
A.
Chainani
, and
D. D.
Sarma
,
Rev. Sci. Instrum.
66
,
3071
(
1995
).
12.
H.
Weiss
,
Structure and Applications of Galvanomagnetic Devices
(
Pergaman
,
New York
,
1969
).
13.
W. R.
Branford
,
A.
Husmann
,
S. A.
Solin
,
S. K.
Clowes
,
T.
Zhang
,
Y. V.
Bugoslavsky
, and
L. F.
Cohen
,
Appl. Phys. Lett.
86
,
202116
(
2005
).
14.
A.
Husmann
,
J. B.
Betts
,
G. S.
Boebinger
,
A.
Migliori
,
T. F.
Rosenbaum
, and
M. L.
Saboungi
,
Nature
417
,
421
(
2002
).
15.
A.
Patane
,
W. H. M.
Feu
,
O.
Makarovsky
,
O.
Drachenko
,
L.
Eaves
,
A.
Krier
,
Q. D.
Zhuang
,
M.
Helm
,
M.
Goiran
, and
G.
Hill
,
Phys. Rev. B
80
,
115207
(
2009
).
16.
H.
Xu
,
J.
Lu
,
Y.
Xia
,
J.
Yin
, and
Z.
Liu
,
Solid State Commun.
152
,
1150
(
2012
).
17.
N.
Žurauskiené
,
S.
Balevičius
,
V.
Stankevič
,
S.
Keršulis
,
M.
Schneider
,
O.
Liebfried
,
V.
Plaušinaitiene
, and
A.
Abrutis
,
IEEE Trans. Plasma Sci.
39
,
411
(
2011
).
18.
S.
Jin
,
T. H.
Tiefel
,
M.
Mccormack
,
R. A.
Fastnacht
,
R.
Ramesh
, and
L. H.
Chen
,
Science
264
,
413
(
1994
).
19.
X.
Wang
,
W. M.
Lu
,
A.
Annadi
,
Z. Q.
Liu
,
K.
Gopinadhan
,
S.
Dhar
,
T.
Venkatesan
, and
Ariando
,
Phys. Rev. B
84
,
075312
(
2011
).
20.
S. X.
Zhang
,
S. B.
Ogale
,
W. Q.
Yu
,
X. Y.
Gao
,
T.
Liu
,
S.
Ghosh
,
G. P.
Das
,
A. T. S.
Wee
,
R. L.
Greene
, and
T.
Venkatesan
,
Adv. Mater.
21
,
2282
(
2009
).
21.
L.
Liu
,
S. M.
Ryu
,
M. R.
Tomasik
,
E.
Stolyarova
,
N.
Jung
,
M. S.
Hybertsen
,
M. L.
Steigerwald
,
L. E.
Brus
, and
G. W.
Flynn
,
Nano Lett.
8
,
1965
(
2008
).
22.
X.
Zhang
,
Q. Z.
Xue
, and
D. D.
Zhu
,
Phys. Lett. A
320
,
471
(
2004
).
23.
Y. F.
Chen
,
M. H.
Bae
,
C.
Chialvo
,
T.
Dirks
,
A.
Bezryadin
, and
N.
Mason
,
J. Phys. Condens. Matter
22
,
205301
(
2010
).
24.
B.
Li
,
C. Y.
Kao
,
J. W.
Yoo
,
V. N.
Prigodin
, and
A. J.
Epstein
,
Adv. Mater.
23
,
3382
(
2011
).
25.
N. P.
Raju
,
V. N.
Prigodin
,
K. I.
Pokhodnya
,
J. S.
Miller
, and
A. J.
Epstein
,
Synth. Met.
160
,
307
(
2010
).
26.
H. G.
Johnson
,
S. P.
Bennett
,
R.
Barua
,
L. H.
Lewis
, and
D.
Heiman
,
Phys. Rev. B
82
,
085202
(
2010
).
27.
Z. H.
Ni
,
W.
Chen
,
X. F.
Fan
,
J. L.
Kuo
,
T.
Yu
,
A. T. S.
Wee
, and
Z. X.
Shen
,
Phys. Rev. B
77
,
115416
(
2008
).
28.
Z. H.
Ni
,
H. M.
Fan
,
Y. P.
Feng
,
Z. X.
Shen
,
B. J.
Yang
, and
Y. H.
Wu
,
J. Chem. Phys.
124
,
204703
(
2006
).
29.
J. A.
Robinson
,
M.
Wetherington
,
J. L.
Tedesco
,
P. M.
Campbell
,
X.
Weng
,
J.
Stitt
,
M. A.
Fanton
,
E.
Frantz
,
D.
Snyder
,
B. L.
VanMil
,
G. G.
Jernigan
,
R. L.
Myers-Ward
,
C. R.
Eddy
, and
D. K.
Gaskill
,
Nano Lett.
9
,
2873
(
2009
).
30.
T. J.
McArdle
,
J. O.
Chu
,
Y.
Zhu
,
Z. H.
Liu
,
M.
Krishnan
,
C. M.
Breslin
,
C.
Dimitrakopoulos
,
R.
Wisnieff
, and
A.
Grill
,
Appl. Phys. Lett.
98
,
132108
(
2011
).
31.
T. A.
Len
,
L. Y.
Matzui
,
I. V.
Ovsienko
,
Y. I.
Prylutskyy
,
V. V.
Andrievskii
,
I. B.
Berkutov
,
G. E.
Grechnev
, and
Y. A.
Kolesnichenko
,
Low. Temp. Phys.
37
,
819
(
2011
).
32.
Y.
Oshima
,
T.
Takenobu
,
K.
Yanagi
,
Y.
Miyata
,
H.
Kataura
,
K.
Hata
,
Y.
Iwasa
, and
H.
Nojiri
,
Phys. Rev. Lett.
104
,
016803
(
2010
).
33.
J. W.
Bai
,
R.
Cheng
,
F. X.
Xiu
,
L.
Liao
,
M. S.
Wang
,
A.
Shailos
,
K. L.
Wang
,
Y.
Huang
, and
X. F.
Duan
,
Nat. Nanotechnol.
5
,
655
(
2010
).
34.
V. I.
Falko
,
J. Phys. Condens. Matter
2
,
3797
(
1990
).
35.
E.
McCann
,
K.
Kechedzhi
,
V. I.
Fal'ko
,
H.
Suzuura
,
T.
Ando
, and
B. L.
Altshuler
,
Phys. Rev. Lett.
97
,
146805
(
2006
).
36.
W. R.
Anderson
,
D. R.
Lombardi
,
R. G.
Wheeler
, and
T. P.
Ma
,
IEEE Electron Device Lett.
14
,
351
(
1993
).
37.
G.
Bergmann
,
Int. J. Mod. Phys. B
24
,
2015
(
2010
).
38.
K.
Eto
,
Z.
Ren
,
A. A.
Taskin
,
K.
Segawa
, and
Y.
Ando
,
Phys. Rev. B
81
,
195309
(
2010
).
39.
A. A.
Abrikosov
,
Phys. Rev. B
58
,
2788
(
1998
).
40.
P. N.
Argyres
and
E. N.
Adams
,
Phys. Rev.
104
,
900
(
1956
).
41.
R. T.
Bate
,
R. K.
Willardson
, and
A. C.
Beer
,
J. Phys. Chem. Solids
9
,
119
(
1959
).
42.
J. S.
Hu
and
T. F.
Rosenbaum
,
Nature Mater.
7
,
697
(
2008
).
43.
T. J.
Diesel
and
W. F.
Love
,
Phys. Rev.
124
,
666
(
1961
).
44.
J. W.
Mcclure
and
W. J.
Spry
,
Phys. Rev.
165
,
809
(
1968
).
45.
H.
Tang
,
D.
Liang
,
R. L. J.
Qiu
, and
X. P. A.
Gao
,
ACS Nano
5
,
7510
(
2011
).
46.
M. M.
Parish
and
P. B.
Littlewood
,
Nature
426
,
162
(
2003
).
47.
See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1063/1.4765656 for thickness determination of epitaxial graphene and its quality evaluation using AFM, Raman spectroscopy measurements, and R vs. T, MR vs. B2, and dMR/dB vs. T plots (http://dx.doi.org/10.1063/1.3692107).

Supplementary Material

You do not currently have access to this content.