InP nanowires grown on silicon substrate are investigated using time-resolved spectroscopy. A strong modification of the exciton lifetime is observed (from 0.11 to 1.2 ns) when the growth temperature is increased from 340 °C to 460 °C. This strong dependence is not related to the density of zinc-blende insertions in the wurtzite nanowires or to the wurtzite exciton linewidth. The excitation power dependence of the lifetime and linewidth is investigated, and these results allow us to interpret the growth temperature dependence on the lifetime as a consequence of the reduction of the surface recombination velocity with the growth temperature.

1.
S.
Crankshaw
,
S.
Reitzenstein
,
L.
Chuang
,
M.
Moewe
,
S.
Münch
,
C.
Böckler
,
A.
Forchel
, and
C.
Chang-Hasnain
,
Phys. Rev. B
77
,
225409
(
2008
).
2.
N.
Akopian
,
G.
Patriarche
,
L.
Liu
,
J.-C.
Harmand
, and
V.
Zwiller
,
Nano Lett.
10
,
1198
(
2010
).
3.
S.
Münch
,
S.
Reitzenstein
,
M.
Borgström
,
C.
Thelander
,
L.
Samuelson
,
L.
Worschech
, and
A.
Forchel
,
Nanotechnology
21
,
105711
(
2010
).
4.
S.
Reitzenstein
,
S.
Münch
,
C.
Hofmann
,
A.
Forchel
,
S.
Crankshaw
,
L. C.
Chuang
,
M.
Moewe
, and
C.
Chang-Hasnain
,
Appl. Phys. Lett.
91
,
091103
(
2007
).
5.
O.
Demichel
,
M.
Heiss
,
J.
Bleuse
,
H.
Mariette
, and
A.
Fontcuberta i Morral
,
Appl. Phys. Lett.
97
,
201907
(
2010
).
6.
A.
Mishra
,
L. V.
Titova
,
T. B.
Hoang
,
H. E.
Jackson
,
L. M.
Smith
,
J. M.
Yarrison-Rice
,
Y.
Kim
,
H. J.
Joyce
,
Q.
Gao
,
H. H.
Tan
 et al,
Appl. Phys. Lett.
91
,
263104
(
2007
).
7.
J.
Bao
,
D. C.
Bell
,
F.
Capasso
,
J. B.
Wagner
,
T.
Mårtensson
,
J.
Trägårdh
, and
L.
Samuelson
,
Nano Lett.
8
,
836
(
2008
).
8.
L. C. O.
Dacal
and
A.
Cantarero
,
Solid State Commun.
151
,
781
(
2011
).
9.
E.
Gadret
,
G.
Dias
,
L.
Dacal
,
M.
de Lima
,
C.
Ruffo
,
F.
Iikawa
,
M.
Brasil
,
T.
Chiaramonte
,
M.
Cotta
,
L.
Tizei
 et al,
Phys. Rev. B
82
,
125327
(
2010
).
10.
L. V.
Titova
,
T. B.
Hoang
,
J. M.
Yarrison-Rice
,
H. E.
Jackson
,
Y.
Kim
,
H. J.
Joyce
,
Q.
Gao
,
H. H.
Tan
,
C.
Jagadish
,
X.
Zhang
 et al,
Nano Lett.
7
,
3383
(
2007
).
11.
A.
Honold
,
L.
Schultheis
,
J.
Kuhl
, and
C. W.
Tu
,
Phys. Rev. B
40
,
6442
(
1989
).
12.
W. A.
Hügel
,
M. F.
Heinrich
,
M.
Wegener
,
Q. T.
Vu
,
L.
Bányai
, and
H.
Haug
,
Phys. Rev. Lett.
83
,
3313
(
1999
).
13.
E.
Yablonovitch
,
C. J.
Sandroff
,
R.
Bhat
, and
T.
Gmitter
,
Appl. Phys. Lett.
51
,
439
(
1987
).
14.
M. H. M.
van Weert
,
O.
Wunnicke
,
A. L.
Roest
,
T. J.
Eijkemans
,
A.
Yu Silov
,
J. E. M.
Haverkort
,
G. W.’t
Hooft
, and
E. P. A. M.
Bakkers
,
Appl. Phys. Lett.
88
,
043109
(
2006
).
15.
K.
Pemasiri
,
M.
Montazeri
,
R.
Gass
,
L. M.
Smith
,
H. E.
Jackson
,
J.
Yarrison-rice
,
S.
Paiman
,
Q.
Gao
,
H. H.
Tan
,
C.
Jagadish
 et al,
Nano Lett.
9
,
648
(
2009
).
16.
R.
Eccleston
,
B. F.
Feuerbacher
,
J.
Kuhl
,
W. W.
Rühle
, and
K.
Ploog
,
Phys. Rev. B
45
,
11403
(
1992
).
17.
M.
O’Neill
,
M.
Oestreich
,
W. W.
Ruhle
, and
D. E.
Ashenford
,
Phys. Rev. B
48
,
8980
(
1993
).
18.
X. H.
Zhang
,
S. J.
Chua
,
A. M.
Yong
,
H. Y.
Yang
,
S. P.
Lau
,
S. F.
Yu
,
X. W.
Sun
,
L.
Miao
,
M.
Tanemura
, and
S.
Tanemura
,
Appl. Phys. Lett.
90
,
013107
(
2007
).
19.
T.
Takagahara
,
Solid State Commun.
78
,
279
(
1991
).
20.
B. M.
Keyes
,
D. J.
Dunlavy
,
R. K.
Ahrenkiel
,
G.
Shaw
,
G. P.
Summers
,
N.
Tzafaras
, and
C.
Lentz
,
J. Appl. Phys.
75
,
4249
(
1994
).
21.
S.
Bothra
,
S.
Tyagi
,
S. K.
Ghandhi
, and
J. M.
Borrego
,
Solid-State Electron.
34
,
47
(
1991
).
You do not currently have access to this content.